公开(公告)号：CN113292338A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110622929.8

申请日：2021-06-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李元勋 ,  杨昕 ,  彭睿 ,  陆永成 ,  苏桦

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种Ba‑Co‑V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法，其烧结温度低，且具有高Q*f值和正τf值，可应用于LTCC技术领域。本发明在具有高微波介电性能的Ba3(VO4)2陶瓷基础上，未添加降烧剂通过调整原料配比，首次采用Co2+取代Ba3(VO4)2中的Ba2+，通过不同的取代量，在900℃～950℃低温致密烧结，获得了τf为+14.5ppm/℃～+23.8ppm/℃,Q*f为25318GHz～54,063GHz的Ba‑Co‑V基低介微波介电陶瓷材料；由于未添加助烧剂B2O3，因此避免了后期LTCC领域应用对流延工艺的影响，可作为微波介质陶瓷τf调节材料有效应用于LTCC技术领域。

公开(公告)号：CN110911789A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911124531.0

申请日：2019-11-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李元勋 ,  曾昭怡 ,  陆永成 ,  彭睿 ,  苏桦 ,  陶志华

IPC: H01P1/208

Abstract: 本发明设计属于微波射频技术领域，具体是一种基片集成波导带通滤波器，附有金属夹层。本发明采用八分之一基片集成波导结构，物理尺寸是一般基片集成波导结构的八分之一，易于小型化；相比于微带线、悬置线等结构，Q值更高、集成度更高、选择性更好、损耗更小。同时，通过在基片集成波导结构的上下金属层间添加直角梯形的金属夹层，克服了基片集成波导结构不能产生水平极化电磁波这一缺点，为沿垂直于电壁的纵向电流提供路径，其信号的选择性更好，损耗更低。

公开(公告)号：CN114824813A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210456980.0

申请日：2022-04-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李元勋 ,  李馥余 ,  韩莉坤 ,  文岐业 ,  廖宇龙 ,  陆永成 ,  刘新研

IPC: H01Q15/00

Abstract: 本发明属于太赫兹成像元件设计领域，具体是一种可用于太赫兹近场成像的双频巨手性全硅结构。本发明采用琼斯矩阵法和各向异性结构组合的方式，通过破坏整体结构的镜像对称性和n级旋转对称性(n>2)，在两个不同的太赫兹频率附近实现了优异且相反的自旋选择性传输，在太赫兹和手性超表面的研究基础上将二者结合，设计了一对双频巨手性结构。在1.09THz和1.65THz的太赫兹频率附近实现了优异且相反的自旋选择性传输，并且两个频率下的最大圆二色性均高达0.34，其覆盖带宽分别为85.5GHz和41.4GHz。本发明有效解决了现有手性介质超表面多频段工作由于多个结构间存在寄生效应和耦合效应的问题，提供了一种新的设计思路。

公开(公告)号：CN113292338B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110622929.8

申请日：2021-06-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李元勋 ,  杨昕 ,  彭睿 ,  陆永成 ,  苏桦

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种Ba‑Co‑V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法，其烧结温度低，且具有高Q*f值和正τf值，可应用于LTCC技术领域。本发明在具有高微波介电性能的Ba3(VO4)2陶瓷基础上，未添加降烧剂通过调整原料配比，首次采用Co2+取代Ba3(VO4)2中的Ba2+，通过不同的取代量，在900℃～950℃低温致密烧结，获得了τf为+14.5ppm/℃～+23.8ppm/℃,Q*f为25318GHz～54,063GHz的Ba‑Co‑V基低介微波介电陶瓷材料；由于未添加助烧剂B2O3，因此避免了后期LTCC领域应用对流延工艺的影响，可作为微波介质陶瓷τf调节材料有效应用于LTCC技术领域。

公开(公告)号：CN112745115B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110031492.0

申请日：2021-01-11

Applicant: 电子科技大学 ,  绵阳北斗电子有限公司

Inventor： 李元勋 ,  王桂娟 ,  陆永成 ,  彭睿 ,  苏桦 ,  张仕俊 ,  徐雷

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  G01R33/02

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种低磁场域下高应变灵敏度的磁致伸缩材料及其制备方法。本发明在具有高磁致伸缩系数的钴铁氧体的基础上，首次采用Mg2+和Zr4+复合取代CoFe2O4，通过取代元素的选取以及配方比例选择，实现不同占位，其中Mg2+倾向于同时占据四面体位点和八面体位点，Zr4+倾向于取代四面体位点，在两个位点的共同取代的作用下实现了钴铁氧体在低磁场域下的3.3×10‑9A‑1m～4.3×10‑9A‑1m的应变灵敏度，极大的提升了当前低磁场域下钴铁氧体的应变灵敏度，使其具有更好的应用前景，从而为磁传感器在更低磁场下工作的可能提供了基础。

公开(公告)号：CN112745115A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202110031492.0

申请日：2021-01-11

Applicant: 电子科技大学 ,  绵阳北斗电子有限公司

Inventor： 李元勋 ,  王桂娟 ,  陆永成 ,  彭睿 ,  苏桦 ,  张仕俊 ,  徐雷

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  G01R33/02

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种低磁场域下高应变灵敏度的磁致伸缩材料及其制备方法。本发明在具有高磁致伸缩系数的钴铁氧体的基础上，首次采用Mg2+和Zr4+复合取代CoFe2O4，通过取代元素的选取以及配方比例选择，实现不同占位，其中Mg2+倾向于同时占据四面体位点和八面体位点，Zr4+倾向于取代四面体位点，在两个位点的共同取代的作用下实现了钴铁氧体在低磁场域下的3.3×10‑9A‑1m～4.3×10‑9A‑1m的应变灵敏度，极大的提升了当前低磁场域下钴铁氧体的应变灵敏度，使其具有更好的应用前景，从而为磁传感器在更低磁场下工作的可能提供了基础。

公开(公告)号：CN115947600A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211240981.8

申请日：2022-10-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李元勋 ,  李馥余 ,  韩莉坤 ,  刘新研 ,  陆永成 ,  廖宇龙 ,  文岐业

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Li‑Mg‑Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法，分子式为Li2Mg2‑xNa2xMo3O12，具有超低的烧结温度和高Q×f值，可同时作为微波和太赫兹极化选择器的基板材料。本发明采用固相反应法实现了Na+对Li2Mg2Mo3O12中Mg2+的纯相取代，获得了出色的微波介电性能(εr＝7.9,Q×f＝43844GHz,τf＝‑48.3ppm/℃)和太赫兹传输性能(εr1＝7.4,tanσ1＝0.0158,Tcoefficient＝0.598)。利用化学相容性良好的Ag浆和Li2Mg1.94Na0.12Mo3O12陶瓷材料分别在9.7GHz和0.45THz下设计了圆极化和线极化的极化选择器件，其微波和太赫兹器件的归一化极化选择差异分别为0.876和0.523。本发明很好的解决了介电陶瓷和ULTCC技术在微波和太赫兹应用中存在的问题。

公开(公告)号：CN110724960B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201911043813.8

申请日：2019-10-30

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞成启瓷创新材料有限公司

Inventor： 李元勋 ,  王桂娟 ,  陶志华 ,  苏桦 ,  陆永成 ,  韩莉坤

IPC: C23F11/14 ,  C23G1/06 ,  C23G1/08

Abstract: 本发明属于铁基材除锈酸洗/微蚀处理领域，具体提供一种铁基缓蚀剂及其在铁基材酸洗液中的应用。本发明采用罗丹明衍生物(罗丹明B化合物、罗丹明6G化合物)作为缓蚀剂，应用于铁基材酸洗液中，酸洗液中酸液为硫酸或盐酸的一种或两种的组合，配制得具有缓蚀效果的铁基材酸洗液；该酸洗液中作为缓蚀剂的罗丹明衍生物用量少，且缓蚀效率高、可达到80‑99％，缓蚀性能稳定，在不同的温度和浓度下均具有良好的缓蚀性能；同时，由于罗丹明衍生物作为荧光探针的一种，具有特殊的内酰胺结构和优良的荧光性能，成为了理想的荧光探针母体，使得本发明适合酸液中铁基体材料的保护的同时便于探测电子电器封装表面微纳米级缺陷或酸液输送管道的泄漏微孔检测。

公开(公告)号：CN110129807A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910433032.3

申请日：2019-05-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李元勋 ,  汪海 ,  韩莉坤 ,  苏桦 ,  陶志华 ,  陆永成

IPC: C23G1/06 ,  C23G1/08 ,  C23G1/10

Abstract: 本发明属于印制电路板制造领域，涉及铁基材与铜基材电镀前酸洗/微蚀处理工艺及印制电路板棕化工艺中的酸洗工艺，具体提供一种用于铜/铁基材的酸洗缓蚀剂及酸洗液，用以克服现有铜/铁基材酸洗液中缓蚀剂缓蚀效率低、成本高、环境兼容性差的缺陷。本发明采用常规作为医药中间体用的苯基四唑化合物作为缓蚀剂加入铜/铁基材酸洗液，作为缓蚀剂的苯基四唑类化合物用量少，环境危害性小，符合绿色缓蚀剂发展的趋势；且缓蚀效率高、可达到80-99％，缓蚀性能稳定，在不同的温度和浓度下均具有良好的缓蚀性能；同时，酸洗液中酸液为硝酸、硫酸或盐酸的一种或多种的组合，适和铜基铁基体材料表面酸洗。

公开(公告)号：CN109796202A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201910227097.2

申请日：2019-03-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李元勋 ,  陆永成 ,  彭睿 ,  陶志华

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01C7/112 ,  H01C7/108

Abstract: 本发明涉及一种高稳定性低温烧结叠层片式压敏电阻材料，属于电子材料技术领域。本发明对ZnO-Bi2O3基低温烧结压敏电阻材料，通过Ta2O5和BBSZ玻璃的加入，利用液相烧结机理加速了传质过程，进一步提高了材料的烧结致密度、降低了材料的烧结温度。由此材料通过叠层片式电容器生产制造工艺制备的片式压敏电阻器，其具有高稳定的压敏特性，烧结温度低(850℃～925℃)，非线性系数高(≥86.26)，漏电流小，具有良好的应用前景。