公开(公告)号：CN102169892B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201110056140.7

申请日：2011-03-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  张超 ,  肖璇 ,  吴宽 ,  姜贯军 ,  余士江 ,  谢家雄

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P+体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管的基础上，引入由N型空穴势垒层和N-漂移区形成的JFET效应削弱结构，N型空穴势垒层所形成的扩充电流路径结构。N型空穴势垒层能够增大器件靠近发射极一侧的电导调制效应，减小JFET效应，并增加电子电流的流经面积，减小通态压降；槽型空穴旁路结构能够提高闩锁电流密度，加速空穴抽取，从而提高关断速度；且P+体区增大耗尽区面积，提高了击穿电压；槽型金属化发射极还能进一步减小器件的电阻，降低通态压降。

公开(公告)号：CN102169892A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110056140.7

申请日：2011-03-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  张超 ,  肖璇 ,  吴宽 ,  姜贯军 ,  余士江 ,  谢家雄

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P+体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管的基础上，引入由N型空穴势垒层和N-漂移区形成的JFET效应削弱结构，N型空穴势垒层所形成的扩充电流路径结构。N型空穴势垒层能够增大器件靠近发射极一侧的电导调制效应，减小JFET效应，并增加电子电流的流经面积，减小通态压降；槽型空穴旁路结构能够提高闩锁电流密度，加速空穴抽取，从而提高关断速度；且P+体区增大耗尽区面积，提高了击穿电压；槽型金属化发射极还能进一步减小器件的电阻，降低通态压降。