公开(公告)号：CN110088873B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201780078300.3

申请日：2017-11-10

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰伊·R·沃利斯 ,  厄尼斯特·E·艾伦 ,  理查德·J·赫尔特 ,  艾立克斯恩德·C·刚特司 ,  梁树荣 ,  杰佛瑞·E·卡兰波特 ,  泰勒·洛克威尔

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/02 ,  H01J37/305

Abstract: 公开一种用于离子束装置的气体注入系统及制造其的萃取板的方法。所述气体注入系统包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有气体狭槽以从所述萃取板逐出残余物移除气体。气体注入系统可包括气体导管及气体源，所述气体导管在气体狭槽与气体歧管之间延伸穿过萃取板，气体源与气体歧管流体连通地连接，所述气体源容纳残余物移除气体。气体歧管可包括能够在第一位置与第二位置之间调节的阀门，在所述第一位置中允许残余物移除气体流动到萃取板中，在所述第二位置中所述残余物移除气体可从所述萃取板排出。气体注入系统还可包括耦合到气体歧管的歧管罩。

公开(公告)号：CN105659371B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201480055162.3

申请日：2014-09-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰佛瑞·E·卡兰波特 ,  罗杰·B·费许

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明描述了在半导体制造期间用于测量基板温度的温度探针与组合件和用于支撑基板的传感器压板。温度探针包括温度传感器。各项实施例描述了具有安置在压板的介电板内的开口的气室，其中密封件安置在气室中的开口周围，使得气室中的开口可以抵着基板密封。此外，温度传感器以及弹簧安置在气室中，所述弹簧经偏置以将温度传感器放置成与基板接触。另外，提供了经配置以利用低压气体对气室加压以便增加基板与温度传感器之间的热导率的气体源。

公开(公告)号：CN106165079A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580016349.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰佛瑞·E·卡兰波特 ,  罗杰·B·费许

IPC: H01L21/66

Abstract: 揭露一种在处理室中测量工件温度的改良系统与方法。因为硅在红外线光谱带中具有非常低的放射率，所以会在工件的至少一部分上配置涂布层。涂布层可为石墨或任何其他可易于应用的材料，且涂布层在红外线光谱中对于温度具有相对恒定的放射率。在一实施例中，将石墨涂布层涂布至工件的一部分，使得工件的温度可通过观察涂布层的温度而被测量。此技术可用以校准处理室、验证处理室内的操作条件或发展制造工艺。

公开(公告)号：CN105659371A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480055162.3

申请日：2014-09-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰佛瑞·E·卡兰波特 ,  罗杰·B·费许

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明大体上描述了在半导体装置制造期间用于基板基板测量基板的温度的低压温度传感器。各项实施例描述了具有安置在压板的介电板内的开口的气室，其中密封件安置在气室中的开口周围，使得气室中的开口可以抵着基板密封。此外，温度传感器以及弹簧安置在气室中，所述弹簧经偏置以将温度传感器放置成与基板接触。另外，提供了经配置以利用低压气体对气室加压以便增加基板与温度传感器之间的热导率的气体源。

公开(公告)号：CN106165079B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201580016349.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰佛瑞·E·卡兰波特 ,  罗杰·B·费许

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种处理系统及校准、验证工件工艺及在高温处理工件的方法。因为硅在红外线光谱带中具有非常低的放射率，所以会在工件的至少一部分上配置涂布层。涂布层可为石墨或任何其他可易于应用的材料，且涂布层在红外线光谱中在温度范围内具有相对恒定的放射率。在一实施例中，将石墨涂布层涂布至工件的一部分，使得工件的温度可通过观察涂布层的温度而被测量。此技术可用以校准处理室、验证处理室内的操作条件或发展制造工艺。

公开(公告)号：CN110088873A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780078300.3

申请日：2017-11-10

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 杰伊·R·沃利斯 ,  厄尼斯特·E·艾伦 ,  理查德·J·赫尔特 ,  艾立克斯恩德·C·刚特司 ,  梁树荣 ,  杰佛瑞·E·卡兰波特 ,  泰勒·洛克威尔

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/02 ,  H01J37/305

Abstract: 一种气体注入系统包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有气体狭槽以从所述萃取板逐出残余物移除气体。气体注入系统可包括气体导管及气体源，所述气体导管在气体狭槽与气体歧管之间延伸穿过萃取板，气体源与气体歧管流体连通地连接，所述气体源容纳残余物移除气体。气体歧管可包括能够在第一位置与第二位置之间调节的阀门，在所述第一位置中允许残余物移除气体流动到萃取板中，在所述第二位置中所述残余物移除气体可从所述萃取板排出。气体注入系统还可包括耦合到气体歧管的歧管罩。

公开(公告)号：CN102714124A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080053059.7

申请日：2010-09-29

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗杰·B·费许 ,  杰佛瑞·E·卡兰波特

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/02 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2001

Abstract: 在离子植入器中，一个或多个光学加热器安置于一对支撑臂上方。支撑臂具有啮合位置和可缩回位置，啮合位置安置于平台下方，可缩回位置垂直地被移开以远离平台且在平行于平台的平坦表面的方向上被旋转以远离平台。当支撑臂在缩回位置时，一个或多个光学加热器经组态以提供光能量，所述光能量入射于安置于支撑臂上的冷却垫的表面，用以移除其上不想要的材料。以此方式，在离子植入器中于低温表面的再生周期期间使用光学加热器。