公开(公告)号：CN111490096A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010219080.5

申请日：2020-03-25

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  王冠宇 ,  闫伟涛 ,  常晓伟 ,  耿欣 ,  蒋巍

IPC: H01L29/737 ,  G06F30/39

Abstract: 本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，属于半导体集成电路技术领域，包括本征NPN晶体管单元，寄生衬底PNP晶体管单元，衬底匹配网络单元，BC寄生等效电路单元，BE寄生等效电路单元，以及发射区、基区和集电区寄生等效电阻。本发明能精确反映异质结双极晶体管器件物理本质，准确的模拟器件特性，且参数少、提取过程简单，同时可以将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件，适用于模拟高频集成电路仿真设计。

公开(公告)号：CN111490096B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202010219080.5

申请日：2020-03-25

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  王冠宇 ,  闫伟涛 ,  常晓伟 ,  耿欣 ,  蒋巍

IPC: H01L29/737 ,  G06F30/39

Abstract: 本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，属于半导体集成电路技术领域，包括本征NPN晶体管单元，寄生衬底PNP晶体管单元，衬底匹配网络单元，BC寄生等效电路单元，BE寄生等效电路单元，以及发射区、基区和集电区寄生等效电阻。本发明能精确反映异质结双极晶体管器件物理本质，准确的模拟器件特性，且参数少、提取过程简单，同时可以将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件，适用于模拟高频集成电路仿真设计。