公开(公告)号：CN110364573B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201910643820.5

申请日：2019-07-17

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 廖佳佳 ,  罗远东 ,  曾斌建 ,  曾诗妍 ,  彭强祥 ,  廖敏 ,  周益春

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

Abstract: 一种存储器件、存储器及制备存储器件的方法，其中，存储器件包括衬底、隔离层、缓冲层、铁电层、第一浮栅金属层、电荷捕获层、隧穿层和栅金属层；衬底两边形成有隔离层，用于隔离相邻的存储器件；两边的隔离层之间的衬底上设置有有源区；有源区一边形成源区，另一边形成漏区；源区和漏区通过金属连线与上层金属连线连接，经过多层金属互联形成器件的外围电路控制；缓冲层覆盖隔离层和有源区上不与金属连线连接的部分；铁电层、电荷捕获层、第一浮栅金属层、隧穿层和栅金属层依次设置在源区和漏区之间的缓冲层上。由铁电层和电荷捕获层共同实现存储功能，铁电层极化时产生的电场作用于电荷捕获层存储信息，增加器件的抗疲劳性能，提高存储密度。

公开(公告)号：CN110031708A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910371399.7

申请日：2019-05-06

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 彭强祥 ,  罗远东 ,  杨琼 ,  廖敏 ,  周益春

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明公开了一种铁电薄膜温度可靠性的评价方法，所述方法包括：获取铁电薄膜样品的初始特性，以得到所述铁电薄膜样品的初始性能参数；对所述铁电薄膜样品进行预极化处理，测得剩余极化值；根据所述铁电薄膜样品的热释电系数及相关参数与剩余极化值的比值，确定所述铁电薄膜样品是否合格。本发明由能够对铁电集成器件中由环境温度变化引起铁电薄膜性能波动而造成的器件性能可靠性下降进行预评估，能有效缩短产品研发周期，降低产品研发投入成，满足了实际应用需求。

公开(公告)号：CN108872050A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810689851.X

申请日：2018-06-28

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 彭强祥 ,  罗远东 ,  杨琼 ,  廖敏 ,  姜杰 ,  周益春

IPC: G01N17/00

Abstract: 本发明用于构建所需的测试环境，特别涉及一种综合环境模拟设备。该设备主要由七个部分组成，分别是测试腔、湿度控制模块、温度控制模块、气体混合模块、压强控制模块、电源控制器、测试台。在测试腔外侧设置湿度控制模块和气体混合模块；在腔体内部设置温度控制模块和测试台；在腔体外侧设置压强控制模块。该设备可以在一定范围内通过对电子材料与器件应用环境单参数条件或多参数条件的调控，实现电子材料与器件的复杂环境可靠性试验的目标。除此之外，该设备整体小巧实用、操作简单，通过参数设置模拟众多电子材料与器件的真实应用环境，从而通过外联扩展电学通路，实现对模拟条件下电子材料与器件电学性能的测试与评估。

公开(公告)号：CN110364573A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910643820.5

申请日：2019-07-17

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 廖佳佳 ,  罗远东 ,  曾斌建 ,  曾诗妍 ,  彭强祥 ,  廖敏 ,  周益春

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

Abstract: 一种存储器件、存储器及制备存储器件的方法，其中，存储器件包括衬底、隔离层、缓冲层、铁电层、第一浮栅金属层、电荷捕获层、隧穿层和栅金属层；衬底两边形成有隔离层，用于隔离相邻的存储器件；两边的隔离层之间的衬底上设置有有源区；有源区一边形成源区，另一边形成漏区；源区和漏区通过金属连线与上层金属连线连接，经过多层金属互联形成器件的外围电路控制；缓冲层覆盖隔离层和有源区上不与金属连线连接的部分；铁电层、电荷捕获层、第一浮栅金属层、隧穿层和栅金属层依次设置在源区和漏区之间的缓冲层上。由铁电层和电荷捕获层共同实现存储功能，铁电层极化时产生的电场作用于电荷捕获层存储信息，增加器件的抗疲劳性能，提高存储密度。