公开(公告)号：CN111952374B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202010861356.X

申请日：2020-08-25

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 周益春 ,  杨添悦 ,  廖佳佳 ,  廖敏 ,  彭强祥 ,  曾斌建

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种随机数字发生器，包括：负电容晶体管；所述负电容晶体管包括层叠的栅极和铁电层；所述铁电层背离所述栅极一侧设置有源端和漏端，所述源端与所述漏端之间设置有沟道区；所述栅极为信号输入端，所述漏端为信号输出端。该随机数字发生器利用铁电介质层的电容与晶体管沟道中的电容匹配，整体产生不可预测的负电容条件，可以降低随机数字发生器的功耗；并且，该随机数字发生器的结构较简单，有利于电路的集成。

公开(公告)号：CN111952374A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010861356.X

申请日：2020-08-25

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 周益春 ,  杨添悦 ,  廖佳佳 ,  廖敏 ,  彭强祥 ,  曾斌建

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种随机数字发生器，包括：负电容晶体管；所述负电容晶体管包括层叠的栅极和铁电层；所述铁电层背离所述栅极一侧设置有源端和漏端，所述源端与所述漏端之间设置有沟道区；所述栅极为信号输入端，所述漏端为信号输出端。该随机数字发生器利用铁电介质层的电容与晶体管沟道中的电容匹配，整体产生不可预测的负电容条件，可以降低随机数字发生器的功耗；并且，该随机数字发生器的结构较简单，有利于电路的集成。