公开(公告)号：CN110364573B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201910643820.5

申请日：2019-07-17

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 廖佳佳 ,  罗远东 ,  曾斌建 ,  曾诗妍 ,  彭强祥 ,  廖敏 ,  周益春

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

Abstract: 一种存储器件、存储器及制备存储器件的方法，其中，存储器件包括衬底、隔离层、缓冲层、铁电层、第一浮栅金属层、电荷捕获层、隧穿层和栅金属层；衬底两边形成有隔离层，用于隔离相邻的存储器件；两边的隔离层之间的衬底上设置有有源区；有源区一边形成源区，另一边形成漏区；源区和漏区通过金属连线与上层金属连线连接，经过多层金属互联形成器件的外围电路控制；缓冲层覆盖隔离层和有源区上不与金属连线连接的部分；铁电层、电荷捕获层、第一浮栅金属层、隧穿层和栅金属层依次设置在源区和漏区之间的缓冲层上。由铁电层和电荷捕获层共同实现存储功能，铁电层极化时产生的电场作用于电荷捕获层存储信息，增加器件的抗疲劳性能，提高存储密度。

公开(公告)号：CN110364573A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910643820.5

申请日：2019-07-17

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 廖佳佳 ,  罗远东 ,  曾斌建 ,  曾诗妍 ,  彭强祥 ,  廖敏 ,  周益春

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

Abstract: 一种存储器件、存储器及制备存储器件的方法，其中，存储器件包括衬底、隔离层、缓冲层、铁电层、第一浮栅金属层、电荷捕获层、隧穿层和栅金属层；衬底两边形成有隔离层，用于隔离相邻的存储器件；两边的隔离层之间的衬底上设置有有源区；有源区一边形成源区，另一边形成漏区；源区和漏区通过金属连线与上层金属连线连接，经过多层金属互联形成器件的外围电路控制；缓冲层覆盖隔离层和有源区上不与金属连线连接的部分；铁电层、电荷捕获层、第一浮栅金属层、隧穿层和栅金属层依次设置在源区和漏区之间的缓冲层上。由铁电层和电荷捕获层共同实现存储功能，铁电层极化时产生的电场作用于电荷捕获层存储信息，增加器件的抗疲劳性能，提高存储密度。