公开(公告)号：CN116130423A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211613694.7

申请日：2022-12-15

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 杨宁 ,  王刘乐 ,  陈浩

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/04 ,  H01L23/32

Abstract: 本申请公开了封装壳体。封装壳体包括外框、盖板、散热底板和固定装置。盖板连接于外框的一侧。散热底板连接于外框的另一侧，以与外框、盖板配合形成容纳空间。外框具有设置于容纳空间内的连接件，连接件位于散热底板与盖板之间。固定装置固定连接连接件与盖板。固定装置位于容纳空间内的部位在连接件上的正投影区域完全位于连接件靠近盖板一侧的表面上。通过上述方式，本申请能够增加封装壳体内供芯片安装的空间。

公开(公告)号：CN117448945A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311439483.0

申请日：2023-10-31

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 陈浩 ,  张洁 ,  高玉强

IPC: C30B15/34 ,  C30B15/24 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置，包括：坩埚；提拉装置，沿所述坩埚的轴线方向可移动的贯穿于所述坩埚的顶部；以及生长模具，包括变径段，所述变径段包括位于所述坩埚内且沿所述坩埚的轴线方向相邻设置的第一缩径段和第一扩径段，所述第一缩径段和第一扩径段均为筒状结构且均沿所述坩埚的轴线方向延伸，所述第一缩径段具有靠近所述坩埚的顶壁的第一端和远离所述顶壁的第二端，所述第一缩径段的内径由所述第一端向所述第二端减小，所述第一扩径段具有靠近所述顶壁的第三端和远离所述顶壁的第四端，所述第一扩径段的内径由所述第三端向所述第四端增大。本发明实施例的晶体生长装置能够在维持晶体尺寸的同时减少晶体缺陷。

公开(公告)号：CN219085960U

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202223370962.5

申请日：2022-12-15

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 杨宁 ,  陈浩 ,  王刘乐

IPC: H01L23/28

Abstract: 本实用新型涉及一种功率模块封装结构，其包括：衬板；框架，其固定设在衬板上，框架包括外边框，外边框用于界定安装功率芯片的区域；盖板，其盖设在框架远离衬板的一侧；第一卡扣部，其包括第一扣体，设置在盖板上的第一插孔和设置在外边框上且与第一插孔对应设置的第一卡槽，第一扣体被构造为通过第一插孔与第一卡槽卡接。本申请提供的功率模块封装结构使用了第一卡扣部来实现框架与盖板之间的连接，这不但具有较高的连接强度，而且具有比现有技术更高的装配效率。

公开(公告)号：CN219303643U

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202223373808.3

申请日：2022-12-15

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 杨宁 ,  魏思 ,  陈浩 ,  王刘乐

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/31

Abstract: 本实用新型提供了一种封装壳体结构和功率模块，涉及芯片封装技术领域，该封装壳体结构包括封装框架和模块盖板，模块盖板卡合设置在封装框架内侧，且封装框架的内角顶点处设置有卡扣，模块盖板上对应开设有卡槽，卡扣与卡槽相配合。相较于现有技术，本实用新型通过将卡扣设置在封装框架的内角顶点处，在卡扣与卡槽装配完成后，能够同时对模块盖板的两个侧边进行限位，从而提升装配的稳定性，使得装配完成后不易发生松动。并且，卡扣结构设置在内角顶点处，避免影响盖板及内部衬板的使用面积，从而提升了盖板及内部衬板的使用面积，有利于功率模块的优化设计。

公开(公告)号：CN219778870U

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202223372840.X

申请日：2022-12-15

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 杨宁 ,  王刘乐 ,  陈浩

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/04 ,  H01L23/32

Abstract: 本申请公开了封装壳体。封装壳体包括外框、盖板、散热底板和固定装置。盖板连接于外框的一侧。散热底板连接于外框的另一侧，以与外框、盖板配合形成容纳空间。外框具有设置于容纳空间内的连接件，连接件位于散热底板与盖板之间。固定装置固定连接连接件与盖板。固定装置位于容纳空间内的部位在连接件上的正投影区域完全位于连接件靠近盖板一侧的表面上。通过上述方式，本申请能够增加封装壳体内供芯片安装的空间。

公开(公告)号：CN219772323U

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202222997030.7

申请日：2022-11-10

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Inventor： 陈浩 ,  张洁

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本申请公开了一种晶体生长装置和晶体生长设备。该晶体生长装置包括：坩埚体、坩埚盖、若干个籽晶板和若干个导流结构。坩埚体包括坩埚底壁与坩埚侧壁，坩埚底壁与坩埚侧壁围合形成有腔体。若干个籽晶板设置于坩埚盖朝向腔体的一侧上。若干个导流结构设置在腔体内，每一导流结构包括：第一导流件和第二导流件。第一导流件从坩埚侧壁向腔体的中部延伸且具有第一导流口。第二导流件设置于第一导流件与籽晶板之间，且具有至少一个第二导流口。第一导流口与第二导流口在底壁的投影相互错开。该晶体生长设备包括上述晶体生长装置和加热装置，加热装置设置于坩埚外侧。通过上述方式，本申请能够有效提高晶体生产效率且降低晶体的碳包裹风险。

公开(公告)号：CN307887344S

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202230624129.5

申请日：2022-09-21

Applicant: 湖南三安半导体有限责任公司

Designer： 杨宁 ,  魏思 ,  王刘乐 ,  陈浩

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：功率半导体开关模块。
2.本外观设计产品的用途：主要用于电子零部件。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。
5.指定设计1为基本设计。