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公开(公告)号：CN119331621A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411211600.2
申请日：2024-08-30
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/00 , C23F11/10 , C09K13/06 , C09K13/10 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/16 , C11D7/04 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D7/60
Abstract: 本发明涉及半导体清洗技术领域，具体公开了一种易于清洗的高选择性TiN清洗液，该蚀刻液含有按质量百分数计的以下成分：氧化剂5~60%、有机碱1~10%、非质子性溶剂5~20%、氨基酸0.01~0.5%、铵盐0.1~10%、复方抑制剂0.1~5%余量为水，所述复方抑制剂包括醇醚和杂环氮化物。氧化剂将TiN氧化成易溶于水的HTiO3‑,有机碱作为pH调节剂，铵盐提高了对TiN层的刻蚀速率，氨基酸作为氧化剂稳定剂，复方抑制剂为醇醚（主链C原子数≥8，O原子数≥3）与杂环氮化物（N原子≥2）的混合物，其引入抑制了对低介电常数介电材料、Cu、Co、W的蚀刻，最重要的是，它易于被清洗不会在Cu、Co和W材料上留下残留物。能够用于微电子装置TiN的清洗去除。
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公开(公告)号：CN116240548B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202211669848.4
申请日：2022-12-25
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种相对于叠层金属选择性蚀刻AlCu层的蚀刻液及其制备方法。所述的蚀刻液主要用于相对于叠层金属（由光阻、AlCu合金层、W层、TiN层和Ti层自上而下构成）选择性蚀刻AlCu合金层，其组成包括氧化剂、腐蚀剂、添加剂、络合剂、均蚀剂和超纯水。本发明提供了一种相对于叠层金属选择性蚀刻AlCu层的蚀刻液及其制备方法，按照方法使用该蚀刻液不仅能有效控制叠层金属中AlCu层被蚀刻且其他金属层未被蚀刻，蚀刻精度高和蚀刻形貌好，而且对基板的电化学性能无损伤。
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公开(公告)号：CN118185711A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410222872.6
申请日：2024-02-28
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C11D7/32 , C23F11/10 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/34 , C11D3/39 , C11D7/60 , C09K13/00 , H01L21/033
Abstract: 本发明公开了一种铜钴钨兼容性好的TiN去除组合物，包括氧化剂、碱性物质、羧酸盐、金属腐蚀抑制剂、螯合剂和去离子水。本发明的蚀刻液用于先进铜制程中金属硬掩模材料TiN的去除和蚀刻残留物的清洁，相对于Low‑Κ材料和含Cu、Co、W的材料具有优异的兼容保护性，此外本发明的组合物还有较长使用寿命。
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公开(公告)号：CN117721467A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311420767.5
申请日：2023-10-30
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明提供了一种半导体用铜蚀刻液及其在旋转喷淋工艺中的应用，按质量百分比计，该铜蚀刻液含有1%~3%的过氧化物、1%~5%的磷酸、0.1%~1%的pH调节剂、0.5%‑1%的腐蚀抑制剂和0.01%‑0.1%的添加剂，余量为去离子水；其中腐蚀抑制剂为多酚类化合物；添加剂为磷酸酯甜菜碱。其中pH调节剂调节溶液的pH，使其维持酸性环境，减缓了过氧化物的分解，增强其稳定性，同时恒定的pH范围能有效地控制氧化铜的溶解速率进而稳定铜的蚀刻速率。腐蚀抑制剂抑制了对Ti的蚀刻，使得该蚀刻液对Ti粘附层有较高的选择比。添加剂的引入，降低了药液的表面张力，使其能很好的应用于旋转喷淋工艺，获得较好的均一性。
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公开(公告)号：CN117683590A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311420766.0
申请日：2023-10-30
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C11D1/83 , C11D3/60 , C11D3/20 , C11D3/04 , C11D3/30 , C11D3/34 , C11D3/32 , C11D3/28 , C11D3/43 , H01L21/02 , C11D1/00 , C11D1/22 , C11D1/30 , C11D1/66
Abstract: 本发明提供了一种含氟清洗液组合物及其应用，该含氟清洗液组合物按质量百分比计，包括40%‑70%的有机溶剂，0.1%‑5%的羧酸，0.1%‑5%的羧酸盐，0.1%‑5%的氟化物，0.1%‑5%的缓蚀剂，0.1%‑5%的分散剂，余量为水；其中羧酸和羧酸盐组成缓冲体系。本发明的清洗液组合物中，采用羧酸和羧酸盐组成缓冲体系，能够有效维持清洗液长时间清洗过程中的pH稳定；同时，缓蚀剂的加入，能有效保护金属基底不受腐蚀，可用于铝制程和部分铜制程干法刻蚀后等离子体灰化步骤后晶片上残留物的去除。该清洗液组合物对金属和非金属的刻蚀速率低，清洗效果优良，且本发明的清洗液在长期储存或者使用过程中颗粒含量几乎不增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120041208A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510137387.3
申请日：2025-02-07
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , C30B33/10 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种SiO2和IGZO的选择性蚀刻液，包括有机溶剂、含氟物质、pH调节剂、钝化剂和余量的水。本发明的蚀刻液可以选择性蚀刻SiO2，对IGZO基本不蚀刻，药液对SiO2和IGZO的选择比大于500，此外本发明组合物有较长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119799431A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411842207.3
申请日：2024-12-13
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明属于集成电路行业电子化学品方向技术领域，具体涉及一种电子级清洗剂的生产工艺方法。包括以下步骤：步骤一S1、将醇胺类溶剂通过滤芯过滤后备用；步骤一S2、向储罐中投入部分超纯水，再投入部分醇胺溶剂，再投入部分固体添加剂，以此为一个周期。整批投料分三周期投入，投料过程中开启搅拌。利用有机溶剂溶解在水溶液的溶解放热提高固体原料的溶解性。步骤二、进一步地，待所有原料投入完毕后开启循环过夜。步骤三及步骤四、进一步地，循环完全后过滤、取样检测。本发明提供了一种集成电路行业电子级清洗剂的生产工艺，能够有效缩短生产周期，提高体系颗粒度指标品质和提高滤芯使用寿命。
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公开(公告)号：CN119596654A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411569310.5
申请日：2024-11-05
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明提供了一种兼具压印胶去除和加强保护光栅的组合物，包括5‑30%的复配型表面活性剂、20‑70%的复配型有机溶剂及0.1‑5%的金属腐蚀抑制剂.其中，20‑70%的复配型有机溶剂包括1‑10%的不饱和烃及其衍生物、20‑60%的芳香族化合物。本发明的组合物用于纳米压印工艺中压印胶的快速、高效去除，解决了胶体因交联性太强而产生残留的问题，且对底部的光栅结构具有兼容保护性。除此，本发明的组合物在循环使用过程中不会对滤芯等设备造成伤害。
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公开(公告)号：CN116288352B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202211670386.8
申请日：2022-12-25
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明具体涉及一种TiN和Ti金属薄膜蚀刻液及其制备方法。所述的蚀刻液的组成主要包括氧化剂、稳定剂、铵盐、助氧剂、表面活性剂和醋酸。该蚀刻液利用氧化剂将TiN和Ti氧化形成氧化物而被蚀刻；铵盐作为缓蚀剂可以与金属离子进行络合；无机酸或有机酸作为次氧化剂，既增加氧化剂的氧化性又提供了足够的氢离子，使氧化剂的浓度维持在较高的水平，维持蚀刻速率稳定，延长蚀刻液的使用/储存寿命；表面活性剂可以降低溶液表面张力，促进TiN和Ti的蚀刻均匀性和完整性。按照本发明的方法使用该蚀刻液能够保证TiN金属薄膜和Ti金属薄膜的蚀刻速率基本一致（二者蚀刻速率差值≤17 Å/min）。
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公开(公告)号：CN118996415A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410860541.5
申请日：2024-06-28
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片的制备方法，包括以下步骤：S1、将硅片置于真空烘箱内，升温至硅片温度达到90~130℃并维持；S2、对真空烘箱内进行多次抽真空、充氮气循环操作置换其中的空气；然后抽真空至1000pa，充入HMDS药液并维持反应一段时间；再次进行抽真空、充入氮气的循环操作去除残余的HMDS，即得电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片。该制备方法通过真空烘箱将HMDS沉积到硅片上，调整加热处理、改变充液时间、保持时间参数等，并通过测量接触角的大小系统的研究了HMDS沉积工序对硅片表面改性的效果，其接触角大，且稳定性好。
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