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公开(公告)号：CN119409650A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411385566.0
申请日：2024-09-30
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C07D249/18
Abstract: 本发明属于半导体及电子化学品技术领域，具体公开了一种苯并三氮唑和/或其衍生物的纯化方法，包括以下步骤：S1、将苯并三氮唑和/或其衍生物加溶剂混合，加酸调pH至5以下；S2、加入碱调整pH在11以上，冷却静置，过滤得到的滤饼经过洗涤干燥，即为纯化的产品。本发明提供的纯化方法，能够快速有效地将金属离子的含量降低至100ppb以下，工艺方法简单，易于操作，能够很好地控制提纯成本，在半导体晶圆清洗等微电子领域将具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117568037A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311321210.6
申请日：2023-10-12
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种抑制光刻胶下氧化硅侧向蚀刻的深沟槽蚀刻液，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：3‑9%的氢氟酸、30‑38%的氟化铵、0.01‑0.1%的活性剂，余量为超纯水；其中添加剂为三胺类的有机胺小分子与丙二醇嵌段聚醚大分子的混合物。通过三胺类的有机胺小分子与长碳链大分子活性剂的复配使用，蚀刻液的表面张力低、对硅的浸润性好、不易起泡，该蚀刻液将深沟槽内的氧化硅蚀刻完全且无残留。更重要的是，对于光刻胶覆盖下氧化硅侧向蚀刻抑制作用明显，显著降低光刻胶下氧化硅的侧向腐蚀，可以有效提高器件生产的良率。
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公开(公告)号：CN117887464A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311566111.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种SiGe/Si和SiO2的选择性蚀刻液，属于电子化学品技术领域。所述选择性蚀刻液主要用于SiGe的湿法刻蚀，对SiGe具有良好的选择性，且对Si和SiO2的腐蚀性弱，主要成分包括1~15%的氧化剂、1~15%的氟源、0.5~10%的缓冲组合物、0.05~5%的螯合剂、0.001%~1%的二氧化硅腐蚀抑制剂，余量为高纯水。该选择性蚀刻液不仅对SiGe具有良好的选择性，对Si和SiO2腐蚀极小，而且具有较高的寿命还能通过组分含量以及温度来控制蚀刻速率及选择比。
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公开(公告)号：CN117417748A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311180644.9
申请日：2023-09-13
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , B08B3/08 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种抑制铝的缓冲氧化物蚀刻液及应用，该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、有机酸、表面活性剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于氧化硅薄膜的蚀刻，并可抑制铝层蚀刻；有机酸可加快氧化硅蚀刻速率，并形成有机酸‑铝膜保护铝表面不被进一步蚀刻；表面活性剂可与铝表面的氧化铝反应产生化学吸附，从而抑制铝表面的腐蚀；本发明所述的蚀刻液对氧化硅层和铝层具有高选择性，蚀刻速率选择比≥37。本发明所述的蚀刻液可调整各组分含量，以满足不同制程中的氧化硅层对铝层的蚀刻选择比要求。
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公开(公告)号：CN116240023B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202211572581.7
申请日：2022-12-08
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种氧化硅高选择性蚀刻液，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：1‑6%的氢氟酸、10‑30%的氟化铵、0.01‑0.1%的活性剂，余量为超纯水；其中活性剂为有机胺类化合物与含磷酸基的化合物的混合物，有机胺类化合物优选长碳链有机胺。通过活性剂的复配使用，可以更加高效地抑制金属层地蚀刻，蚀刻选择比可以高于20；同时该蚀刻液可以快速浸润到氧化硅深孔结构中，将深孔中的氧化硅蚀刻完全，满足工艺的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119307921A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411221893.2
申请日：2024-09-02
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明属于电子化学品技术领域，具体公开了一种长寿命双剂型铜蚀刻液，该蚀刻液包括A液和B液；A液含有按质量百分数计的以下成分：1‑6%的铜盐，1‑12%的酸，1‑20%的有机碱和0.01‑5%的表面活性剂，余量为水；B液与A液相比，仅将铜盐替换为相应摩尔含量的有机酸，其余原料一致，并加有机碱调pH至6.2‑6.8。本发明通过设置含A液和B液的双剂型铜蚀刻液，通过添加B液不断更新A液的蚀刻寿命，延长蚀刻液使用寿命，减少多余工艺流程，从而节约生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN117488391A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311275177.8
申请日：2023-09-28
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C25F3/02
Abstract: 本发明涉及一种半导体电化学金蚀刻液及其蚀刻方法。利用无机酸、金属盐、卤化物、表面活性剂、去污剂、消泡剂等组成电化学金蚀刻液，将半导体晶圆阳极、阴极浸没在电化学金蚀刻液中，在恒定电流密度下进行电化学的单质金蚀刻。通过调整电化学金蚀刻液的成分、pH值、含量以及蚀刻条件，实现半导体晶圆上单质金的蚀刻速率快、蚀刻厚度可控、表面均匀等优异效果。
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公开(公告)号：CN116240023A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211572581.7
申请日：2022-12-08
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种氧化硅高选择性蚀刻液，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：1‑6%的氢氟酸、10‑30%的氟化铵、0.01‑0.1%的活性剂，余量为超纯水；其中活性剂为有机胺类化合物与含磷酸基的化合物的混合物，有机胺类化合物优选长碳链有机胺。通过活性剂的复配使用，可以更加高效地抑制金属层地蚀刻，蚀刻选择比可以高于20；同时该蚀刻液可以快速浸润到氧化硅深孔结构中，将深孔中的氧化硅蚀刻完全，满足工艺的要求。
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公开(公告)号：CN119799431A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411842207.3
申请日：2024-12-13
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明属于集成电路行业电子化学品方向技术领域，具体涉及一种电子级清洗剂的生产工艺方法。包括以下步骤：步骤一S1、将醇胺类溶剂通过滤芯过滤后备用；步骤一S2、向储罐中投入部分超纯水，再投入部分醇胺溶剂，再投入部分固体添加剂，以此为一个周期。整批投料分三周期投入，投料过程中开启搅拌。利用有机溶剂溶解在水溶液的溶解放热提高固体原料的溶解性。步骤二、进一步地，待所有原料投入完毕后开启循环过夜。步骤三及步骤四、进一步地，循环完全后过滤、取样检测。本发明提供了一种集成电路行业电子级清洗剂的生产工艺，能够有效缩短生产周期，提高体系颗粒度指标品质和提高滤芯使用寿命。
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公开(公告)号：CN117535056A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311252517.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种抑制硅内壁腐蚀的氧化硅深沟槽低泡蚀刻液及应用，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：3‑6%的氢氟酸、30‑38%的氟化铵、0.001‑0.05%的活性剂，余量为超纯水；其中活性剂为二胺、三胺具有支链的有机胺类化合物与甲基烯丙基聚氧乙烯醚的复配物。通过活性剂的复配使用，明显降低蚀刻液的表面张力且该蚀刻液起泡高度低、消泡速度快，该蚀刻液可以将深沟槽氧化硅蚀刻完全且无残留，对于蚀刻后暴露出的硅内壁抑制腐蚀作用明显，可以有效提高器件生产的良率。
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