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公开(公告)号：CN116334626B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202211669852.0
申请日：2022-12-25
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C23F1/26
Abstract: 本发明涉及一种相对于叠层金属侧蚀可控的W层蚀刻液及其制备方法。其组成包括氧化剂、助氧剂、缓冲试剂、抑制剂、表面活性剂和超纯水。该蚀刻液利用氧化剂将W被氧化形成氧化物而被蚀刻；无机酸作为次氧化剂；醋酸铵等缓冲试剂为蚀刻液提供了稳定的蚀刻环境；抑制剂可以抑制铝离子和铜离子对W蚀刻的影响；表面活性剂可以降低溶液表面张力，促进W蚀刻的均匀性和完整性。本发明提供了一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法，按照方法使用该蚀刻液不仅能有效控制叠层金属中W层被蚀刻，还可实现W的蚀刻精度高和蚀刻形貌好等优良品质，并且保证TiN和Ti层金属未被蚀刻，AlCu具有极低蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN116218529B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202211669828.7
申请日：2022-12-25
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供了一种P‑硅的浸泡腐蚀液，该蚀刻液由硝酸、过一硫酸、醋酸、含氟酸、铵盐、添加剂和去离子水组成。在该蚀刻液中，硝酸为主氧化剂，过一硫酸为助氧化剂，加快了对硅的氧化速率，含氟酸在蚀刻液中溶解二氧化硅，醋酸起到了缓冲蚀刻速率的作用的同时还与铵盐协同作用使反应过程中生成大量的微小气泡在硅片表面与溶液间迅速的交换，从而获得均一的蚀刻表面。添加剂增加了蚀刻液对反应生成物的溶解能力。因此本发明中的P‑硅的浸泡腐蚀液能够在浸泡工艺条件下，蚀刻P‑硅，避免了黑硅的生成，获得均匀的磨砂表面。
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公开(公告)号：CN119120025A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411058455.9
申请日：2024-08-02
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/06
Abstract: 本发明提供了一种ZnS蚀刻液，包括按质量百分比计的无机酸40％‑80％、有机酸1％～10％、增稠剂0.1％～1％、余量为去离子水。该蚀刻液通过无机酸与硫化锌反应，实现对硫化锌膜层的蚀刻；而含孤对电子的有机酸，与硫化锌可以形成配位键，吸附于ZnS表面降低蚀刻速率，同时加入的增稠剂增加药液的粘稠度，使得蚀刻液中对蚀刻起作用的活性H+的活动范围变小，从而使得在该蚀刻液保证蚀刻精度的同时，具有稳定可控的蚀刻速率，且侧蚀小，对光刻胶无剥离、CD loss小等优良特性，实现对ZnS表面复杂图案和形状的精确蚀刻。
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公开(公告)号：CN118995223A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410967984.4
申请日：2024-07-18
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种硅锗/硅叠层中硅的高性能选择性蚀刻液，该蚀刻液包括氢氧化季铵、链烷醇胺、SiGe抑制剂和水。本发明提供的高性能、高选择比的蚀刻组合物，能够在高效维持蚀刻硅的同时，对硅锗有防蚀效果，硅/硅锗选择比＞20；当呋喃环类化合物与多胺类化合物按一定比例联用时，硅/硅锗选择比高达345。
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公开(公告)号：CN117402687A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311124379.2
申请日：2023-09-01
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种不含羟胺的有机清洗剂及其制备方法。有机清洗剂组分包括：二甲基亚砜、4‑羟基硫代吗啉及其衍生物、邻苯二酚、甲醇和余量的水。其制备方法是先将4‑羟基硫代吗啉及其衍生物和水混合得到溶液A；再将二甲基亚砜、甲醇和邻苯二酚混合，加热搅拌后得到溶液B；待B溶液冷却后，加入溶液A，搅拌均匀后得到产品。本发明的有机清洗剂清洗效率高，能有效去除金属垫晶圆结构表面的残留物；对金属铝、钨、钛的腐蚀速率小，不破坏金属垫晶圆结构；且不含羟胺，生产成本低，使用方法简单，无中间漂洗过程，简单安全，提高清洗效率，节约清洗成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114035411B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202111217302.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种光刻胶去膜液。该去膜液由有机碱、碱性氨基酸、有机溶剂、非离子表面活性剂和去离子水组成。有机碱为乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺中的至少一种。碱性氨基酸为2‑氨基‑5‑胍基戊酸，2，6‑二氨基己酸、组氨酸中的至少一种。有机溶剂为环丁砜、二甲基亚砜、二乙基亚砜、NMP、PGME、PGMEA中的至少一种。非离子表面活性剂为XP80、XP90、XP100中的至少一种。其中有机碱与碱性氨基酸协同作用，浸透入光刻胶与膜之间的界面层，使得光阻皱缩，有机溶剂使光阻膨胀泡发剥离，非离子表面活性剂的加入增强了溶液的浸润性，使被剥落的光刻胶迅速的溶解。
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公开(公告)号：CN115418642B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211014276.6
申请日：2022-08-23
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种铜钼蚀刻液及其制备方法。在本发明中，双氧水，双氧水稳定剂，无机酸，螯合剂，蚀刻抑制剂，表面活性剂，有机碱和去离子水构成铜钼叠层的蚀刻液。蚀刻液对金属铜、钼进行蚀刻的过程中，蚀刻液对金属铜、钼的蚀刻速率基本一致，多层金属之间不会出现阶梯状形貌。蚀刻液中噻唑类蚀刻抑制剂可以以物理吸附或化学键的形式结合在金属表面形成一层薄膜，稳定并控制蚀刻液对不同金属的蚀刻速率；聚氧乙烯烷醇酰胺等表面活性剂和醇胺类有机碱的协同作用可以调节蚀刻液的粘度、表面张力等物理性质，协作改变蚀刻液在不同金属层上的浸润效果，从而调节蚀刻液对铜和钼的蚀刻速率一致，消除不同金属层间的蚀刻差异，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN114276814B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111534816.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08
Abstract: 本发明公开了一种专用于蚀刻后的微米级孔穴结构的清洗液。该清洗液主要成分为氢氟酸、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的制备的清洗液表面张力极低，对孔穴结构有很强的钻蚀能力，更利于药液进入孔穴进行溶解清洗，并且孔内结构表面清洗后更加均一。其中添加剂在HF药液体系中具有良好的溶解度和分散性，且更容易在氮化硅和多晶硅表面形成空间位阻，腐蚀速率极低。表面活性剂的引入能够降低蚀刻液的表面张力，其表面张力可维持在25mN/m以内。本发明所述的清洗液可满足芯片结构制造中的＜10um孔径的孔内氧化物残留和多晶硅残渣的快速清洗，并保证结构的稳定性。
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公开(公告)号：CN114891509B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111525543.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08
Abstract: 本发明公开了一种高选择性的缓冲氧化物蚀刻液及其制备方法。该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、改性表面活性剂、添加剂以及超纯水。本发明的制备的蚀刻液用于二氧化硅薄膜的高选择性蚀刻，并且对氮化硅薄膜蚀刻具有优异的抑制效果，其中添加剂在HF药液体系中具有极优的溶解度和分散性，避免添加剂在低温下会析出的缺陷，同时能够降低蚀刻液的表面张力，改善晶圆蚀刻后表面的平整度。本发明所述的蚀刻液可用于蚀刻二氧化硅薄膜并保护氮化硅薄膜，通过调整各组分的含量得到的BOE蚀刻液，满足不同制程中的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的蚀刻指标要求。
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公开(公告)号：CN119979170A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411842530.0
申请日：2024-12-13
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/306 , C09K13/10
Abstract: 本发明涉及一种适用于微电子器件从硅锗/硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物及应用。所述组合物包括按照质量分数计的以下组分：聚亚烷基亚胺0.0001‑10 wt％；氟化物0.001‑10 wt％；氧化剂0.1‑70 wt%；缓冲组合物0.01‑50wt%；硅抑制剂0.00001‑1wt％；硅锗蚀刻稳定剂0.0001‑1wt％；消泡剂0.0001‑20wt％；余量为水。本发明组合物可用于在制造微电子器件的过程中从其上具有硅和硅锗叠层的微电子器件相对于硅而选择性地去除硅锗。
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