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公开(公告)号：CN119920357A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411791366.5
申请日：2024-12-06
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: G16C20/64 , C25D3/38 , C25D7/12 , G16C20/70 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种快速筛选TSV铜填充抑制剂的方法。利用电化学方法，采用线性扫描伏安法（LSV）研究抑制剂的抑制性能，采用循环伏安法（CV）剥铜，采用计时电位法（CP）研究抑制剂的抑制效果强弱，最后结合电化学测试结果定性分析添加剂的特性。过上述方法，本发明能快速筛选抑制作用强的抑制剂，便于后续TSV铜的填充，筛选出的抑制剂能达到TSV铜自底向上填充且无孔洞无缺陷。
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公开(公告)号：CN119615167A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411728310.5
申请日：2024-11-28
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本申请针对Mo/Al/Mo/MoOx的叠层金属膜层提供了一种可以形成高均一性的钼拖尾的蚀刻液。所述蚀刻液含有磷酸、硝酸、醋酸、添加剂、超纯水。本发明提供了一种解决钼铝、钼铝钼等叠层金属结构横向蚀刻中钼蚀刻速率高于铝蚀刻速率的方案，有助于提高蚀刻精度、改善产品良率。
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公开(公告)号：CN119615166A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411716590.8
申请日：2024-11-27
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种稳定蚀刻含钼金属叠层的蚀刻液，包括：磷酸60‑70%、硝酸1‑5%、醋酸含量10‑20%、添加剂1.5%‑8%，余量为超纯水。蚀刻液对MoOx/Mo/Al/Mo叠层蚀刻，顶层钼和底层钼均相对于铝层少量缩进，关键尺寸偏差（CD Bias）、倾斜角（Taper）、顶层钼相对铝的尺寸偏差（Mo Tip）和底层钼相对铝的尺寸偏差（Mo Tail）的方差均有显著降低，表明本蚀刻液蚀刻后的形貌尺寸更为均一，有利于产品蚀刻的良率提升。
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公开(公告)号：CN119613249A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411695641.3
申请日：2024-11-25
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电子级乙酸铵的制备方法，所得的电子级乙酸铵适用于电子行业。所述方法包括：S1.将工业级乙酸铵室温溶解后，利用阴阳离子交换树脂初步去除乙酸铵水溶液中的金属及阴离子等杂质，得到树脂纯化液；S2.将树脂纯化液减压浓缩到乙酸铵的浓度为75~80%wt后，降温结晶，经离心、洗涤、溶解过滤后，得到金属离子含量＜1ppb，阴离子含量＜10ppb，0.3μm颗粒物＜10pcs/ml的60%~65%wt电子级乙酸铵溶液。本发明整个制备过程可循环生产，生产过程温和无污染，该方法工艺简单，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN119552660A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411684828.3
申请日：2024-11-22
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种二氧化铪蚀刻液，所述的蚀刻液成分包括占蚀刻液总重量78‑94%的二元醇、5‑20%的醇醚、0.5‑1.5%的氢氟酸、0.05‑0.15%的抑制剂。该二氧化铪蚀刻液能实现二氧化铪（HfO2）与氧化铟镓锌（IGZO）的蚀刻选择比1:1，且具有良好的蚀刻均一性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119307921A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411221893.2
申请日：2024-09-02
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明属于电子化学品技术领域，具体公开了一种长寿命双剂型铜蚀刻液，该蚀刻液包括A液和B液；A液含有按质量百分数计的以下成分：1‑6%的铜盐，1‑12%的酸，1‑20%的有机碱和0.01‑5%的表面活性剂，余量为水；B液与A液相比，仅将铜盐替换为相应摩尔含量的有机酸，其余原料一致，并加有机碱调pH至6.2‑6.8。本发明通过设置含A液和B液的双剂型铜蚀刻液，通过添加B液不断更新A液的蚀刻寿命，延长蚀刻液使用寿命，减少多余工艺流程，从而节约生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN117822068A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311614977.8
申请日：2023-11-29
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本申请涉及半导体先进封装的技术领域，具体公开了一种RDL(铜重布线层)铜电镀液及其使用方法。由母液、加速剂、抑制剂、整平剂、助溶剂、润湿剂六部分组成。将电镀添加剂与母液组合后可用于芯片RDL铜重布线层电镀，可实现提高镀层结合力、降低孔隙率、表面粗糙度以及杂质含量、提高晶圆片内均一性中的一种或多种效果，适用于多种RDL(铜重布线层)结构的电镀。
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公开(公告)号：CN117535778A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311275178.2
申请日：2023-09-28
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C25F5/00
Abstract: 本发明公开了一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂及使用方法，包括0.01%‑10%配位剂，2%‑10%导电化合物，0.01‑2%pH调节剂，剥金时将待剥金的材料作为阳极，通过电化学方法现将材料上的金氧化，并与剥金剂中配位剂结合形成可溶性的金配位化合物，从而将金从材料了剥除，在不使用任何有毒氰化物和强氧化剂的前提下实现了剥金，并使剥金后的材料表面可以维持极低的表面粗糙度，从而获得高平整度的表面。本发明可以通过通知逆电镀剥金剂中配位剂的含量、pH值，剥金时的工作温度以及所施加的恒电流密度，在较宽的范围内对剥金速率实现精确调控，从而实现对不同材料的剥金处理。
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公开(公告)号：CN117488391A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311275177.8
申请日：2023-09-28
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C25F3/02
Abstract: 本发明涉及一种半导体电化学金蚀刻液及其蚀刻方法。利用无机酸、金属盐、卤化物、表面活性剂、去污剂、消泡剂等组成电化学金蚀刻液，将半导体晶圆阳极、阴极浸没在电化学金蚀刻液中，在恒定电流密度下进行电化学的单质金蚀刻。通过调整电化学金蚀刻液的成分、pH值、含量以及蚀刻条件，实现半导体晶圆上单质金的蚀刻速率快、蚀刻厚度可控、表面均匀等优异效果。
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公开(公告)号：CN119776812A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411762883.X
申请日：2024-12-03
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于显示面板铜焊盘化学镀镍钯离子活化液，所述活化液包括以下浓度含量的组分：可溶性钯盐5‑100mg/L、络合剂0.5‑20g/L、稳定剂0.5‑50mg/L、润湿剂5‑100mg/L、铜缓蚀剂1‑20g/L、助溶剂3‑10g/L和pH调节剂。本发明的化学镀镍钯离子活化液，通过添加铜缓蚀剂和助溶剂，能够与铜发生配位作用，在铜表面形成一层致密的保护膜，阻止腐蚀介质与铜接触，防止了铜缓蚀剂与钯离子配位产生沉淀，造成活化液不稳定而失活。有效避免了铜焊盘被腐蚀而造成电路短路，接触不良和散热不良等安全风险，以及造成存储信息丢失、逻辑功能干扰等功能问题，同时，稳定剂的加入保证了活化液的稳定性，有效防止了化镀镍出现漏镀或渗镀，延长了活化液的寿命，拓展了其在显示面板铜焊盘金属化领域的应用。
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