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公开(公告)号：CN117923631A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311604022.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C02F1/54 , C02F1/00 , C02F103/34
Abstract: 本专利公开了一种单晶硅片用二氧化硅抛光废液的处理方法及应用，包括：将二氧化硅抛光废液进行过滤；制备处理剂，其重量百分含量包括如下组分：无机盐5‑30％、0.1‑2％螯合剂、醇醚类物质改性的表面活性剂0.1‑0.5％、消泡剂0.001‑0.1％、余量为去离子水，将各组分按比例依次加入去离子水中溶解；将处理剂与过滤后的抛光废液按1:5‑10进行混合，静置1‑2h，待废液中沉淀物与水完全分层后，继续通过过滤的方式将二者进行分离，得到废水与沉淀物，废水中悬浮物指标符合国家污水排放二级标准，总金属离子含量低于50mg/L，而沉淀物中主要成分为二氧化硅，可作为一般固废进行处理，降低了抛光废液的处理成本，解决了抛光废液难处理的难题。
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公开(公告)号：CN115504486A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211145137.7
申请日：2022-09-20
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C01C1/02
Abstract: 一种超高纯电子级氨水的生产方法，工业液氨经过两级过滤、氧化、汽化、纯化、吸附、过滤、水合吸收、过滤等工序，首先液氨通过偏心射流微孔反应器，并在反应器中加入氧化液，脱除氨水中的还原性物质，脱除易氧化物的氨水经过丝网过滤器、活性炭过滤后进入汽化器，液氨在汽化器内汽化，汽化后的氨气经过纯化室后进入吸附塔，并经吸附塔顶部的过滤器后进入并流吸收塔，在通过并流吸收塔反应得到氨水中间产品，合成后的氨水经过微孔膜过滤得到G5等级的高纯电子级氨水。
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公开(公告)号：CN119409220A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411636088.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C01F17/235 , C01F17/10 , C09G1/02 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种合成高Ce3+比的八面体纳米氧化铈的方法及一种化学机械抛光液，该抛光液以合成的八面体氧化铈作为磨料，所述八面体氧化铈的制备具体步骤为：将一定量的有机配体和硝酸铈溶解在去离子水中，控制有机配体、硝酸铈和水的比例在0.01‑0.5：1：100‑300，在氮气气氛下搅拌1‑2h；将一定量的碱液，在氮气气氛下，以一定的速度滴加到溶液中，对混合物进行水热处理，控制反应温度在80‑150℃之间，合成时间在6‑8h，反应后对混合物进行离心、干燥并煅烧，煅烧温度在400‑600℃，煅烧4‑8h，即可得到粒径在30‑50nm左右的高Ce3+比的八面体纳米氧化铈。以本发明制备八面体纳米氧化铈为磨料的抛光液，拥有良好的分散性与稳定性，抛光速率高且表面粗超度低，具有广泛的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN119350286A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411279518.3
申请日：2024-09-12
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C07D311/82 , G03F7/20 , G03F7/004 , C07F9/6568 , C07D219/06 , C07D335/12 , C07C303/28 , C07C309/76
Abstract: 本发明公开了一系列带有多苯环羟基体系化合物及其光引发剂应用，本发明的多苯环羟基芳香体系化合物作为光引发剂前驱体，与重氮萘醌（DNQ）结合后，可配成光刻胶负载于基材表面，并通过光刻工艺可以完成光刻胶明显高深差梯度的处理，具有成为I线光引发剂的实际意义。
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公开(公告)号：CN118996415A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410860541.5
申请日：2024-06-28
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片的制备方法，包括以下步骤：S1、将硅片置于真空烘箱内，升温至硅片温度达到90~130℃并维持；S2、对真空烘箱内进行多次抽真空、充氮气循环操作置换其中的空气；然后抽真空至1000pa，充入HMDS药液并维持反应一段时间；再次进行抽真空、充入氮气的循环操作去除残余的HMDS，即得电子级六甲基二硅氮烷修饰硅片。该制备方法通过真空烘箱将HMDS沉积到硅片上，调整加热处理、改变充液时间、保持时间参数等，并通过测量接触角的大小系统的研究了HMDS沉积工序对硅片表面改性的效果，其接触角大，且稳定性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117801684A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311594202.9
申请日：2023-11-27
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09G1/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种硅片精抛液，具有显著减少硅片抛光雾和表面缺陷的精抛液的制备及应用，该硅片精抛液由高纯硅溶胶、聚合物粘结剂、速率促进剂、增稠剂、抗结晶剂和超纯水组成。速率促进剂为胺类和氮唑类化合物的混合物，能显著提高抛光速率。增稠剂能增加抛光液的粘度，在抛光过程中，能在抛光液和硅片之间形成一层缓冲层，能显著减小硅片表面划伤问题。在磨料和各种添加剂的共同作用下，本发明的精抛液不仅抛光速率高达194nm/min，且抛光后硅片表面抛光雾极少，同时表面只有零星的沾污颗粒，表面没有划痕和凹陷，表面状态良好。同时本发明精抛液的金属杂质离子控制在10ppb以下，符合高端集成电路中单晶硅的精抛要求。
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公开(公告)号：CN119350285A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411279515.X
申请日：2024-09-12
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C07D311/82 , G03F7/20 , G03F7/004 , C07D219/02 , C07D335/12 , C07F9/6568 , C07C309/76 , C07C303/28
Abstract: 本发明公开了一类多羟基蒽系骨架化合物及其光引发剂应用，本发明的一类多羟基蒽系骨架化合物用作光引发剂前驱体，该系列化合物结构具有各向异性，羟基分布均匀位阻小，和重氮萘醌光敏剂（DNQ）结合后不会产生背景吸收影响。因此，该类型化合物可以作为新型光引发剂，有望在半导体领域大放光彩。
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公开(公告)号：CN119350243A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411279517.9
申请日：2024-09-12
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C07D219/06 , G03F7/20 , G03F7/004 , C07D219/02 , C07F9/6568
Abstract: 本发明涉及一系列多环芳烃化合物及其光引发剂的合成与应用，涉及多环芳烃非共轭光引发剂的合成方法和应用，其中合成方法为碱催化的酯化反应。本发明筛选的多环芳烃非共轭化合物具有多苯环均匀分布的活性羟基，进一步合成相应光引发剂时反应位阻小且产物光敏性强，具有优异的光化学应用性能。
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公开(公告)号：CN117384642A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311180642.X
申请日：2023-09-13
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种选择性蚀刻液，其主要成分包括磷酸、氟离子源、含羟基有机物、抑制剂和水组成。选择性蚀刻液中的含羟基有机物的结构中含有三氟甲基或硝基的强吸电子基团，有助于提高羟基与氧化硅层表面硅羟基键以及氧化铝层表面铝羟基键进行结合，以降低氧化硅层和氧化铝层的蚀刻速率。选择性蚀刻液中的抑制剂能够协同含羟基有机物一起在氧化铝层表面形成吸附层，降低氧化铝层的蚀刻速率，进一步提高氮化硅和氧化铝的蚀刻选择比。
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公开(公告)号：CN116948532A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310743059.9
申请日：2023-06-21
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅精抛液及制备方法，该硅片精抛液由咪唑改性的高纯硅溶胶、渗透剂和成膜剂、表面活性剂、pH调节剂和超纯水组成，各组分所占的质量百分比为：0.5%～20%的咪唑改性的高纯纳米硅溶胶、0.01～1%的螯合剂、0.01%～0.5%的渗透剂，0.001%～0.5%的成膜剂、0.01%～5%的pH调节剂、余量的超纯水。其中咪唑改性的高纯硅溶胶不仅能提高硅溶胶的分散性，而且能减弱硅溶胶与硅片之间的静电斥力，显著地提高硅片的抛光速率；在渗透剂和成膜剂的共同作用下，本发明的精抛液不仅抛光速率高达550 nm/min，且抛光后硅片表面沾污颗粒极少，表面没有划痕和凹陷，表面状态良好。同时本发明精抛液的金属杂质离子控制在10 ppb以下，符合高端集成电路中单晶硅的精抛要求。
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