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公开(公告)号：CN119799338A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411800338.5
申请日：2024-12-09
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及电子化学品技术领域，具体公开了一种硅片清洗蚀刻液及其在抑制硅片表面氧化中的应用，该蚀刻液中按质量百分数计，含有氢氟酸0~10%，氟化铵0~30%和添加剂0.001~1%，其余为水；所述添加剂为含有烯烃和酰胺的化合物。本发明中以氢氟酸和氟化铵组成清洗体系，同时引入了含有烯烃和酰胺的化合物作为添加剂，通过改性硅片表面的自由基团，其能够有效抑制硅片清洗后表面自然氧化，保证后续制造工艺的稳定和精度。
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公开(公告)号：CN119331621A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411211600.2
申请日：2024-08-30
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/00 , C23F11/10 , C09K13/06 , C09K13/10 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/16 , C11D7/04 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D7/60
Abstract: 本发明涉及半导体清洗技术领域，具体公开了一种易于清洗的高选择性TiN清洗液，该蚀刻液含有按质量百分数计的以下成分：氧化剂5~60%、有机碱1~10%、非质子性溶剂5~20%、氨基酸0.01~0.5%、铵盐0.1~10%、复方抑制剂0.1~5%余量为水，所述复方抑制剂包括醇醚和杂环氮化物。氧化剂将TiN氧化成易溶于水的HTiO3‑,有机碱作为pH调节剂，铵盐提高了对TiN层的刻蚀速率，氨基酸作为氧化剂稳定剂，复方抑制剂为醇醚（主链C原子数≥8，O原子数≥3）与杂环氮化物（N原子≥2）的混合物，其引入抑制了对低介电常数介电材料、Cu、Co、W的蚀刻，最重要的是，它易于被清洗不会在Cu、Co和W材料上留下残留物。能够用于微电子装置TiN的清洗去除。
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公开(公告)号：CN116218528A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211573449.8
申请日：2022-12-08
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种高选择性且低泡的缓冲氧化物蚀刻液。该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于二氧化硅薄膜的蚀刻，并可同时抑制多晶硅层及氮化硅层蚀刻。其中添加剂可同时抑制多晶硅层及氮化硅层蚀刻，并在溶液体系中分散性好、不易起泡，可避免蚀刻过程不均匀。表面活性剂主要用于降低蚀刻液的表面张力，提高蚀刻液浸润性。本发明所述的蚀刻液对二氧化硅层和多晶硅层具有高选择性；同时对二氧化硅层和氮化硅层具有高选择性，蚀刻速率选择比≥12。本发明所述的蚀刻液可调整各组分含量，以满足不同制程中的二氧化硅层对多晶硅层和氮化硅层的蚀刻选择比要求。
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公开(公告)号：CN117844485A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311566112.9
申请日：2023-11-22
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种缓冲氧化物蚀刻液及其在栅极氧化层侧壁修饰中的应用，该蚀刻液包括氢氟酸、氟化铵、表面活性剂、增稠剂以及超纯水；其中表面活性剂为异构醇聚氧乙烯醚；增稠剂为对称型多元醇醚。本发明使用的表面活性剂因其特殊结构使其在含氟体系中具有良好的溶解度和分散性，同时获得低的表面张力和低泡性能，保证栅极氧化层侧壁表面的清洗效果和均一性。增稠剂由于其高粘度的特性，进一步修饰平滑侧壁形貌，抑制了侧壁的过度腐蚀。该蚀刻液可以有效抑制栅极氧化层的侧向腐蚀，同时保证侧壁的完整和平滑。
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公开(公告)号：CN117402687A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311124379.2
申请日：2023-09-01
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种不含羟胺的有机清洗剂及其制备方法。有机清洗剂组分包括：二甲基亚砜、4‑羟基硫代吗啉及其衍生物、邻苯二酚、甲醇和余量的水。其制备方法是先将4‑羟基硫代吗啉及其衍生物和水混合得到溶液A；再将二甲基亚砜、甲醇和邻苯二酚混合，加热搅拌后得到溶液B；待B溶液冷却后，加入溶液A，搅拌均匀后得到产品。本发明的有机清洗剂清洗效率高，能有效去除金属垫晶圆结构表面的残留物；对金属铝、钨、钛的腐蚀速率小，不破坏金属垫晶圆结构；且不含羟胺，生产成本低，使用方法简单，无中间漂洗过程，简单安全，提高清洗效率，节约清洗成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115232624B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202210780705.4
申请日：2022-07-04
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种用于纳米级氧化硅中间层蚀刻的缓冲氧化物蚀刻液，该蚀刻液包括氢氟酸、氟化铵、表面活性剂、消泡剂以及超纯水。该蚀刻液表面张力低，对纳米级孔穴有很强的钻蚀能力，保证蚀刻后孔内结构的完整性和均一性。其中表面活性剂在氢氟酸药液体系中具有良好的溶解度和分散性，且更容易在氮化硅表面形成空间位阻，腐蚀速率极低；同时表面活性剂的引入能够降低蚀刻液的表面张力，提高蚀刻液对氮化硅和硅的浸润性。消泡剂可以抑制蚀刻过程中气泡的产生，防止氧化层被气泡阻挡而形成氧化物残留。本发明所述的蚀刻液可满足芯片结构制造中的＜100nm孔径的中间氧化层的蚀刻，并保证层内结构的完整性。
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公开(公告)号：CN114891509B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111525543.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08
Abstract: 本发明公开了一种高选择性的缓冲氧化物蚀刻液及其制备方法。该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、改性表面活性剂、添加剂以及超纯水。本发明的制备的蚀刻液用于二氧化硅薄膜的高选择性蚀刻，并且对氮化硅薄膜蚀刻具有优异的抑制效果，其中添加剂在HF药液体系中具有极优的溶解度和分散性，避免添加剂在低温下会析出的缺陷，同时能够降低蚀刻液的表面张力，改善晶圆蚀刻后表面的平整度。本发明所述的蚀刻液可用于蚀刻二氧化硅薄膜并保护氮化硅薄膜，通过调整各组分的含量得到的BOE蚀刻液，满足不同制程中的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的蚀刻指标要求。
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公开(公告)号：CN116218528B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202211573449.8
申请日：2022-12-08
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/08 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种高选择性且低泡的缓冲氧化物蚀刻液。该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于二氧化硅薄膜的蚀刻，并可同时抑制多晶硅层及氮化硅层蚀刻。其中添加剂可同时抑制多晶硅层及氮化硅层蚀刻，并在溶液体系中分散性好、不易起泡，可避免蚀刻过程不均匀。表面活性剂主要用于降低蚀刻液的表面张力，提高蚀刻液浸润性。本发明所述的蚀刻液对二氧化硅层和多晶硅层具有高选择性；同时对二氧化硅层和氮化硅层具有高选择性，蚀刻速率选择比≥12。本发明所述的蚀刻液可调整各组分含量，以满足不同制程中的二氧化硅层对多晶硅层和氮化硅层的蚀刻选择比要求。
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公开(公告)号：CN117987144A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311359079.2
申请日：2023-10-19
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/06 , C09K13/04 , H01L21/311 , H10B41/27 , H10B43/27
Abstract: 本发明公开了一种适用于深沟槽蚀刻的氮化硅选择性蚀刻液，该蚀刻液包括硅烷偶联剂改性的胶体二氧化硅、磷酸和水。本发明所述的氮化硅蚀刻液可提高氮化硅和氧化硅的蚀刻选择比，选择性去除氮化硅层，延长蚀刻液寿命，适应层叠结构的蚀刻。
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公开(公告)号：CN117903889A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311691639.4
申请日：2023-12-11
Applicant: 湖北兴福电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于铜制程干法蚀刻后的清洗液，按质量百分比计，含有5‑10~12%螯合剂、20‑30%的有机溶剂、3‑100%的pH调节剂、3‑10%缓蚀剂和水，清洗液的pH控制在6~10。本发明提供的清洗液，能够有效去除铜制程蚀刻后的残留物，同时对金属（Cu、W、ALCU、Ti、TiN、）和非金属介质(如SiO2、SION、BPSG、TEOS、SiN、poly Si、BD/BDII)均有较好的抑制腐蚀作用。
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