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公开(公告)号：CN102914273B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210413986.6
申请日：2012-10-25
Applicant: 清华大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提出一种多功能云纹干涉及制栅系统，属于光测力学、变形检测技术领域，该系统包括激光器、分光耦合器、干涉光路系统、图像采集系统、加载及六维调节装置以及带有观察窗的高温炉。本发明通过更换不同角度的楔形反射镜和场镜，来实现常温、高温条件下对试件u、v两个位移场的高精度实时测量和高质量光栅的制作，本发明具有结构紧凑、光路简单、使用方便、多灵敏度、可制作单向光栅或正交光栅等优点。
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公开(公告)号：CN103149614A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310070717.9
申请日：2013-03-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种高温光栅的制作及转移方法，属于光测力学技术领域。本发明的技术特点是通过全息光栅制作、电铸、压印、镀膜和转移的方法在试样表面制作高温光栅，只需制作全息光栅模板，即可在试样表面制作出高温光栅，无需对试件表面进行精细抛光处理，因此操作简单、容易实现；有效克服了现有技术中直接在试样表面制作高温光栅所带来的光路复杂、难调节、高温光栅制作成本高和刻蚀难以控制等不足和缺陷。
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公开(公告)号：CN102914273A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210413986.6
申请日：2012-10-25
Applicant: 清华大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提出一种多功能云纹干涉及制栅系统，属于光测力学、变形检测技术领域，该系统包括激光器、分光耦合器、干涉光路系统、图像采集系统、加载及六维调节装置以及带有观察窗的高温炉。本发明通过更换不同角度的楔形反射镜和场镜，来实现常温、高温条件下对试件u、v两个位移场的高精度实时测量和高质量光栅的制作，本发明具有结构紧凑、光路简单、使用方便、多灵敏度、可制作单向光栅或正交光栅等优点。
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公开(公告)号：CN102506733A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110284419.0
申请日：2011-09-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种微米尺度散斑的制作方法，属于光测力学技术领域。本发明的技术特点是利用甩胶机将环氧固化剂和粉末混合溶液在试件表面进行均匀涂覆，完成微米尺度散斑的制作，该方法操作简单，通过改变粉末颗粒的大小、环氧固化剂和粉末的体积质量比、离心时间和甩胶速度参数来控制散斑颗粒的密度和大小，通过平均灰度梯度平方和对不同参数下得到的散斑图进行评价，选择平均灰度梯度平方和最大值的表面散斑图作为所制作的微米尺度散斑，从而实现散斑所制作的散斑适用于不同材料的微观变形行为的研究。
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公开(公告)号：CN102445158A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110286850.9
申请日：2011-09-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种制作高温散斑的方法，属于光测力学技术领域。本发明的技术特点是在通过对模拟散斑进行优化，寻求最佳的散斑制作工艺参数，然后制作不同放大倍数对应下的散斑，通过打印设备将散斑图打印到聚氯乙烯片，比较方便灵活，依此为掩模板，然后通过光刻刻蚀的方法在高温材料试样表面形成散斑。该方法操作简单、散斑场可量化，容易实现，尤其适用于高温环境下不同材料的宏观变形行为的研究。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101608904B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200910088896.2
申请日：2009-07-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 多功能三维位移和形貌的激光干涉测量系统，属于光测力学、工程材料、构件变形、位移测试、形貌测量等技术领域。本发明由激光器，图像采集摄像系统，分光耦合器，分光光开关，直流电源控制器，三维激光干涉光路系统，放置试件的加载装置台，支架调节体系和计算机等组成。该测量系统可实现u、v、w三个位移场的高精度测量，位移测量灵敏度可达波长量级，并具有数字全息和电子散斑干涉两种位移测量模式，以及数字全息测量表面形貌的模式。采用支架调节体系实现多个方向自由度的调节，方便的系统成像和测量的调节，具有使用方便，结构紧凑、测量精度高等特点。系统配有相移装置，经过相移技术处理后的位移测量精度可达纳米量级。
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公开(公告)号：CN101514890B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910131922.5
申请日：2009-03-27
Applicant: 清华大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 一种基于光学剪切的二维光学应变花测量方法，该测量方法首先采用热压印方法在被测物体表面制作矩形光学应变花标记，在测量光路中放置四棱锥镜，引入光学剪切量，形成具有剪切量的图像，根据数字相关方法计算具有剪切量的图像中光学应变花的4个标记点的位移，根据有限元方法计算应变花区域的应变。本发明有效提高了图像质量，改善了数字相关方法的应变求解区域不大的问题，可以实现操作简单方便，在复杂工作环境下进行现场实时的高精度大区域的无损测量。
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公开(公告)号：CN103217275B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310175694.8
申请日：2013-05-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开一种显微镜放大倍数标定方法，包括：以已知光栅节距的标准光栅为参考，在需标定的显微镜中采集光栅图像；对采集的图像进行快速傅里叶变换，获得空间频率谱；在空间频率谱中选择某一级次的谐振频率所在区间，进行局部高分辨率离散傅里叶变换得到局部高分辨率空间频率谱；在局部高分辨率空间频率谱中选择幅值最大处的频率作为谐振频率，用谐振频率除以级次得到基频；由光栅节距和基频计算图像对应标准光栅的尺寸；由图像的显示尺寸和图像对应标准光栅的尺寸之比标定显微镜的放大倍数。本发明利用傅里叶变换的方法标定显微镜的放大倍数，相比传统的方法，精度高，标定范围大，适用性广。
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公开(公告)号：CN101922910A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010236191.3
申请日：2010-07-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种利用云纹对扫描电镜的扫描线间距进行标定的方法，属于光测力学技术领域。本发明以扫描电镜的扫描线为参考栅，以已知栅距的标准光栅为试件栅，通过使两栅发生干涉形成清晰的平行云纹，测量出云纹的像素间距，将其代入推导出的反演公式求解出每个像素所对应的实际物理尺寸即扫描线间距。此方法集成了云纹法测量灵敏度高、视场大等优点，可实现实时原位标定，精度高，操作简单，并且考虑了扫描线数和工作距离等因素的影响，为扫描电镜和扫描电镜云纹法用于微纳米变形测量提供了良好的基础。
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公开(公告)号：CN101832759A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010138837.4
申请日：2010-04-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种微纳米尺度散斑的制作方法，属于光测力学技术领域。本发明的技术特点是在聚焦离子束系统这一成熟商品仪器环境下，完成微纳米尺度散斑的制作，该方法可直接在试件表面进行刻蚀，无需掩模板和光刻胶，无温度要求，在常温下即可进行，操作简单。通过比较图像子区灰度梯度平方和选用最佳模拟散斑图，通过改变聚焦离子束系统的放大倍数可以控制散斑的大小和面积，通过改变束流强度和刻蚀时间可改变散斑形貌，所制作的散斑适用于不同材料的微纳观变形行为的研究。
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