公开(公告)号：CN104617099A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510033719.X

申请日：2015-01-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  孙翊淋 ,  徐建龙 ,  张丞 ,  张小稳 ,  李娴 ,  赵远帆 ,  朱宏伟

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明涉及一种有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制备方法，属于柔性电子技术领域，该存储器件包括依次层叠的柔性衬底、金属背栅电极层、金属氧化物背栅介质层、图形化的石墨烯导电沟道、在石墨烯导电沟道上的金属源电极和金属漏电极，旋涂在背栅介质、图形化的石墨烯导电沟道、以及金属源电极和漏电极上的有机铁电顶栅介质，蒸发在顶栅介质之上的金属顶栅电极。本发明利用有机铁电材料作为栅介质，可以实现铁电型非易失数据存储，而且有机铁电材料因其自身的柔韧性以及可在低温下成膜的特点，适合于柔性存储器件的制备。同时，引入石墨烯作为沟道材料，极大提高了器件的电学性能，具有制备工艺简单，成本低，且可以在低温下实现的特点。

公开(公告)号：CN104597082A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510036987.7

申请日：2015-01-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  李娴 ,  徐建龙 ,  戴睿轩 ,  赵远帆 ,  王靖 ,  向兰 ,  朱淼 ,  朱宏伟 ,  蒋亚东

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的杂化分级结构敏感薄膜传感器件制备方法，该传感器件包括：根据制备顺序依次层叠的单晶半导体衬底，绝缘层，叉指电极层，第一PDDA薄膜层，还原氧化石墨烯薄膜层，第二PDDA薄膜层，分级结构ZnO-PSS薄膜；制备方法主要包括叉指电极器件制备，制备传感器件所需膜层材料，采用层层自组装方法制备杂化分级结构传感器件。本发明的优点在于充分利用还原氧化石墨烯的大比表面积、低电子噪声、良好半导体性质和带负电的特点，结合分级结构氧化锌的结构特点，制备杂化分级结构敏感薄膜，工艺简单，重复性好，所制备的敏感器件可用于气体检测领域。

公开(公告)号：CN105070781B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510262782.0

申请日：2015-05-21

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  戴睿轩 ,  徐建龙 ,  李娴 ,  孙翊淋 ,  张小稳 ,  张丞 ,  杨埔 ,  滕长久 ,  李志鑫 ,  朱宏伟

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管柔性光敏器件及其制备方法，属于柔性电子技术以及敏感电子学领域，该光敏单元器件包括依次层叠的柔性衬底、柔性支撑层、柔性缓冲层、柔性背栅电极层、柔性背栅介质层、图形化的柔性碳纳米管光敏薄膜沟道层、以及在光敏沟道上图形化的金属源电极和漏电极。本发明利用有机高分子柔性材料作为光敏器件衬底，同时采用柔性栅介质材料、金属电极、以及碳纳米管薄膜光敏薄膜，可以实现光敏器件的柔性化。光敏薄膜沟道层采用碳纳米管网络结构，具有工艺简单、室温成膜的特点，适合于柔性传感器的制备。此外，碳纳米管还具有优异的光电特性，能实现对光的高效快速检测。

公开(公告)号：CN105070781A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510262782.0

申请日：2015-05-21

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  戴睿轩 ,  徐建龙 ,  李娴 ,  孙翊淋 ,  张小稳 ,  张丞 ,  杨埔 ,  滕长久 ,  李志鑫 ,  朱宏伟

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1136 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管柔性光敏器件及其制备方法，属于柔性电子技术以及敏感电子学领域，该光敏单元器件包括依次层叠的柔性衬底、柔性支撑层、柔性缓冲层、柔性背栅电极层、柔性背栅介质层、图形化的柔性碳纳米管光敏薄膜沟道层、以及在光敏沟道上图形化的金属源电极和漏电极。本发明利用有机高分子柔性材料作为光敏器件衬底，同时采用柔性栅介质材料、金属电极、以及碳纳米管薄膜光敏薄膜，可以实现光敏器件的柔性化。光敏薄膜沟道层采用碳纳米管网络结构，具有工艺简单、室温成膜的特点，适合于柔性传感器的制备。此外，碳纳米管还具有优异的光电特性，能实现对光的高效快速检测。

公开(公告)号：CN104865293A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510257321.4

申请日：2015-05-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  李娴 ,  戴睿轩 ,  徐建龙 ,  滕长久 ,  李志鑫 ,  杨埔

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明公开了一种基于三维网络敏感薄膜的柔性气体传感器件及其制备方法，属于敏感电子学和柔性电子学领域。该传感器件包括：根据制备顺序依次层叠的柔性衬底层，叉指电极层和三维网络结构敏感薄膜层；制备方法主要包括柔性叉指电极器件制备，制备传感器件所需膜层材料，采用气喷成膜工艺制备三维网络结构敏感薄膜器件。本发明的优点在于利用柔性衬底对三维网络结构敏感薄膜的延伸性，进一步提高敏感薄膜对气体的响应性能，同时工艺简单，成本低，所制备的传感器件可用于气体检测领域。

公开(公告)号：CN104597082B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201510036987.7

申请日：2015-01-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  李娴 ,  徐建龙 ,  戴睿轩 ,  赵远帆 ,  王靖 ,  向兰 ,  朱淼 ,  朱宏伟 ,  蒋亚东

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的杂化分级结构敏感薄膜传感器件制备方法，该传感器件包括：根据制备顺序依次层叠的单晶半导体衬底，绝缘层，叉指电极层，第一PDDA薄膜层，还原氧化石墨烯薄膜层，第二PDDA薄膜层，分级结构ZnO-PSS薄膜；制备方法主要包括叉指电极器件制备，制备传感器件所需膜层材料，采用层层自组装方法制备杂化分级结构传感器件。本发明的优点在于充分利用还原氧化石墨烯的大比表面积、低电子噪声、良好半导体性质和带负电的特点，结合分级结构氧化锌的结构特点，制备杂化分级结构敏感薄膜，工艺简单，重复性好，所制备的敏感器件可用于气体检测领域。

公开(公告)号：CN104617099B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201510033719.X

申请日：2015-01-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  孙翊淋 ,  徐建龙 ,  张丞 ,  张小稳 ,  李娴 ,  赵远帆 ,  朱宏伟

IPC: H01L27/11507 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制备方法，属于柔性电子技术领域，该存储器件包括依次层叠的柔性衬底、金属背栅电极层、金属氧化物背栅介质层、图形化的石墨烯导电沟道、在石墨烯导电沟道上的金属源电极和金属漏电极，旋涂在背栅介质、图形化的石墨烯导电沟道、以及金属源电极和漏电极上的有机铁电顶栅介质，蒸发在顶栅介质之上的金属顶栅电极。本发明利用有机铁电材料作为栅介质，可以实现铁电型非易失数据存储，而且有机铁电材料因其自身的柔韧性以及可在低温下成膜的特点，适合于柔性存储器件的制备。同时，引入石墨烯作为沟道材料，极大提高了器件的电学性能，具有制备工艺简单，成本低，且可以在低温下实现的特点。