公开(公告)号：CN105070781B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510262782.0

申请日：2015-05-21

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  戴睿轩 ,  徐建龙 ,  李娴 ,  孙翊淋 ,  张小稳 ,  张丞 ,  杨埔 ,  滕长久 ,  李志鑫 ,  朱宏伟

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管柔性光敏器件及其制备方法，属于柔性电子技术以及敏感电子学领域，该光敏单元器件包括依次层叠的柔性衬底、柔性支撑层、柔性缓冲层、柔性背栅电极层、柔性背栅介质层、图形化的柔性碳纳米管光敏薄膜沟道层、以及在光敏沟道上图形化的金属源电极和漏电极。本发明利用有机高分子柔性材料作为光敏器件衬底，同时采用柔性栅介质材料、金属电极、以及碳纳米管薄膜光敏薄膜，可以实现光敏器件的柔性化。光敏薄膜沟道层采用碳纳米管网络结构，具有工艺简单、室温成膜的特点，适合于柔性传感器的制备。此外，碳纳米管还具有优异的光电特性，能实现对光的高效快速检测。

公开(公告)号：CN105070781A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510262782.0

申请日：2015-05-21

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  戴睿轩 ,  徐建龙 ,  李娴 ,  孙翊淋 ,  张小稳 ,  张丞 ,  杨埔 ,  滕长久 ,  李志鑫 ,  朱宏伟

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1136 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管柔性光敏器件及其制备方法，属于柔性电子技术以及敏感电子学领域，该光敏单元器件包括依次层叠的柔性衬底、柔性支撑层、柔性缓冲层、柔性背栅电极层、柔性背栅介质层、图形化的柔性碳纳米管光敏薄膜沟道层、以及在光敏沟道上图形化的金属源电极和漏电极。本发明利用有机高分子柔性材料作为光敏器件衬底，同时采用柔性栅介质材料、金属电极、以及碳纳米管薄膜光敏薄膜，可以实现光敏器件的柔性化。光敏薄膜沟道层采用碳纳米管网络结构，具有工艺简单、室温成膜的特点，适合于柔性传感器的制备。此外，碳纳米管还具有优异的光电特性，能实现对光的高效快速检测。

公开(公告)号：CN104766888A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510134837.X

申请日：2015-03-26

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  张丞 ,  徐建龙 ,  孙翊淋 ,  张小稳 ,  赵远帆 ,  李晓 ,  李昕明 ,  朱宏伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明涉及一种高介电常数栅介质复合沟道场效应晶体管器件，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件包括依次层叠的衬底、高介电常数栅介质、图形化的石墨烯导电沟道、图形化的硫化钼(MoS2)导电沟道，及在复合导电沟道上的金属源电极和金属漏电极。该制备方法中直接利用原子层沉积技术(ALD)的方式，在Si衬底上生长高介电常数(high-k)材料。本发明采用石墨烯/硫化钼(MoS2)的复合沟道，可以获得更大的迁移率和开关比，提高了器件的电学性能。

公开(公告)号：CN104617099A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510033719.X

申请日：2015-01-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  孙翊淋 ,  徐建龙 ,  张丞 ,  张小稳 ,  李娴 ,  赵远帆 ,  朱宏伟

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明涉及一种有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制备方法，属于柔性电子技术领域，该存储器件包括依次层叠的柔性衬底、金属背栅电极层、金属氧化物背栅介质层、图形化的石墨烯导电沟道、在石墨烯导电沟道上的金属源电极和金属漏电极，旋涂在背栅介质、图形化的石墨烯导电沟道、以及金属源电极和漏电极上的有机铁电顶栅介质，蒸发在顶栅介质之上的金属顶栅电极。本发明利用有机铁电材料作为栅介质，可以实现铁电型非易失数据存储，而且有机铁电材料因其自身的柔韧性以及可在低温下成膜的特点，适合于柔性存储器件的制备。同时，引入石墨烯作为沟道材料，极大提高了器件的电学性能，具有制备工艺简单，成本低，且可以在低温下实现的特点。

公开(公告)号：CN113948612A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202111211600.9

申请日：2021-10-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  王怀鹏 ,  孙翊淋 ,  刘志方 ,  任天令

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  B81C1/00

Abstract: 公开一种一维二硒化铂纳米带的制备方法，能够同时实现大规模、高质量制备和自取向制备。其包括：(1)在SiO2/Si衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，使用电子束曝光产生纳米带图形；(2)使用显影液溶解曝光部分的PMMA，并用定影液去除残留的显影液；(3)使用电子束蒸发在衬底上淀积一层金属铂，使用无水丙酮溶解PMMA，将非纳米带区域的金属铂剥离掉，得到金属铂纳米带；(4)将金属铂纳米带放置于管式炉的中间位置，在上游位置放置硒源，将硒源加热到220～300℃；(5)密封管式炉的腔体并抽真空后，以流量为40～70sccm的氮气为载气，将腔体升温至420～500℃持续一小时后，自然冷却至室温，得到二硒化铂纳米带。

公开(公告)号：CN113948612B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202111211600.9

申请日：2021-10-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  王怀鹏 ,  孙翊淋 ,  刘志方 ,  任天令

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/12 ,  B81C1/00

Abstract: 公开一种一维二硒化铂纳米带的制备方法，能够同时实现大规模、高质量制备和自取向制备。其包括：(1)在SiO2/Si衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，使用电子束曝光产生纳米带图形；(2)使用显影液溶解曝光部分的PMMA，并用定影液去除残留的显影液；(3)使用电子束蒸发在衬底上淀积一层金属铂，使用无水丙酮溶解PMMA，将非纳米带区域的金属铂剥离掉，得到金属铂纳米带；(4)将金属铂纳米带放置于管式炉的中间位置，在上游位置放置硒源，将硒源加热到220～300℃；(5)密封管式炉的腔体并抽真空后，以流量为40～70sccm的氮气为载气，将腔体升温至420～500℃持续一小时后，自然冷却至室温，得到二硒化铂纳米带。

公开(公告)号：CN104617099B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201510033719.X

申请日：2015-01-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  孙翊淋 ,  徐建龙 ,  张丞 ,  张小稳 ,  李娴 ,  赵远帆 ,  朱宏伟

IPC: H01L27/11507 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种有机铁电栅石墨烯柔性存储器件及其制备方法，属于柔性电子技术领域，该存储器件包括依次层叠的柔性衬底、金属背栅电极层、金属氧化物背栅介质层、图形化的石墨烯导电沟道、在石墨烯导电沟道上的金属源电极和金属漏电极，旋涂在背栅介质、图形化的石墨烯导电沟道、以及金属源电极和漏电极上的有机铁电顶栅介质，蒸发在顶栅介质之上的金属顶栅电极。本发明利用有机铁电材料作为栅介质，可以实现铁电型非易失数据存储，而且有机铁电材料因其自身的柔韧性以及可在低温下成膜的特点，适合于柔性存储器件的制备。同时，引入石墨烯作为沟道材料，极大提高了器件的电学性能，具有制备工艺简单，成本低，且可以在低温下实现的特点。