公开(公告)号：CN102082171B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201010271741.5

申请日：2010-09-03

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 都官佑 ,  李起正 ,  朴京雄 ,  李正烨

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/28 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L28/75 ,  H01L29/47 ,  H01L29/92 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明的半导体器件的电极包括TiCN层和TiN层。本发明的制造半导体器件电极的方法包括制备衬底、形成TiCN层和形成TiN层。

公开(公告)号：CN101565829B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200910001299.1

申请日：2009-01-16

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 吉德信 ,  李起正 ,  金荣大 ,  金珍赫 ,  都官佑 ,  朴京雄 ,  李正烨 ,  金慈容

IPC: C23C30/00 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76873 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明涉及使用臭氧反应气体形成贵金属的方法，其中使用臭氧(O3)作为反应气体形成贵金属层。

公开(公告)号：CN102082087B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201010178457.3

申请日：2010-05-13

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 都官佑 ,  李起正 ,  金荣大 ,  李美炯 ,  李正烨

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45531 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明涉及包括含碳电极的半导体器件及其制造方法，电极由于其中含有含碳的氮化钛(TiN)层因而具有高功函数。可提供具有高电容率的介电层，并因此通过形成具有高功函数的电极而减少漏电流。而且通过采用具有高功函数的电极及具有高电容率的介电层而可确保电容器的足够电容。

公开(公告)号：CN101630661B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200910008586.5

申请日：2009-02-03

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 李起正 ,  卢载盛 ,  吉德信 ,  金荣大 ,  金珍赫 ,  都官佑 ,  朴京雄 ,  李正烨

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/41 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述方法能够防止在相邻存储节点之间发生倾斜现象。所述方法包括：形成多个多层柱状物型存储节点，每一个节点均掩埋在多个模层中，其中所述多层柱状物型存储节点的最上层由支撑层固定；蚀刻支撑层的一部分以形成开口；和通过所述开口供给蚀刻溶液以移除所述多个模层。通过实施沉积和蚀刻模层的工艺2次或更多次来形成所述多层柱状物型存储节点。因此，充分确保期望的电容并避免相邻存储节点之间的倾斜现象。

公开(公告)号：CN102082087A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010178457.3

申请日：2010-05-13

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 都官佑 ,  李起正 ,  金荣大 ,  李美炯 ,  李正烨

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45531 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明涉及包括含碳电极的半导体器件及其制造方法，电极由于其中含有含碳的氮化钛(TiN)层因而具有高功函数。可提供具有高电容率的介电层，并因此通过形成具有高功函数的电极而减少漏电流。而且通过采用具有高功函数的电极及具有高电容率的介电层而可确保电容器的足够电容。

公开(公告)号：CN101630661A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910008586.5

申请日：2009-02-03

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 李起正 ,  卢载盛 ,  吉德信 ,  金荣大 ,  金珍赫 ,  都官佑 ,  朴京雄 ,  李正烨

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/41 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述方法能够防止在相邻存储节点之间发生倾斜现象。所述方法包括：形成多个多层柱状物型存储节点，每一个节点均掩埋在多个模层中，其中所述多层柱状物型存储节点的最上层由支撑层固定；蚀刻支撑层的一部分以形成开口；和通过所述开口供给蚀刻溶液以移除所述多个模层。通过实施沉积和蚀刻模层的工艺2次或更多次来形成所述多层柱状物型存储节点。因此，充分确保期望的电容并避免相邻存储节点之间的倾斜现象。

公开(公告)号：CN102082171A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010271741.5

申请日：2010-09-03

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 都官佑 ,  李起正 ,  朴京雄 ,  李正烨

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/28 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L28/75 ,  H01L29/47 ,  H01L29/92 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明的半导体器件的电极包括TiCN层和TiN层。本发明的制造半导体器件电极的方法包括制备衬底、形成TiCN层和形成TiN层。

公开(公告)号：CN101565829A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910001299.1

申请日：2009-01-16

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 吉德信 ,  李起正 ,  金荣大 ,  金珍赫 ,  都官佑 ,  朴京雄 ,  李正烨 ,  金慈容

IPC: C23C30/00 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76873 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明涉及使用臭氧反应气体形成贵金属的方法，其中使用臭氧(O3)作为反应气体形成贵金属层。