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公开(公告)号:CN103038959A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201180037546.9
申请日:2011-06-21
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01L33/005 , H01L2933/0083 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/3202 , H01S5/3432 , H01S2304/04
Abstract: 本发明所涉及的半导体面发光元件其特征在于具备:光子晶体层(6),周期性地将多个孔(H)形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层(6A)内,并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层(6B)在孔(H)内生长;活性层(4),对光子晶体层(6)提供光;基本层(6A)的主表面为(001)面,孔(H)的侧面具有至少不同的3个{100}面。
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公开(公告)号:CN113629491A
公开(公告)日:2021-11-09
申请号:CN202110490126.1
申请日:2021-05-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的量子级联激光器具备半导体基板、设置于半导体基板上的活性层、和设置于活性层的半导体基板侧的相反侧、杂质掺杂浓度小于1×1017cm‑3的上部包覆层。活性层中含有的各单位层叠体在其子带能级结构中具有第一发光上位能级、第二发光上位能级、和至少一个发光下位能级。活性层被构成为,在各单位层叠体中,由发光层中的第一发光上位能级、第二发光上位能级、及至少一个发光下位能级中的至少两个能级间的电子跃迁生成中心波长为10μm以上的光。
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公开(公告)号:CN115280611A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202180021429.7
申请日:2021-03-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/02326 , G02B7/02
Abstract: 本发明的量子级联激光装置具备:QCL元件、与QCL元件的端面相对地配置的透镜、和保持透镜的透镜架。透镜架具有:小径孔、大径孔、和连接小径孔与大径孔的环状的沉孔面。透镜的侧面的至少一部分在透镜的入射面的边缘部与沉孔面抵接的状态下,经由树脂粘接剂,固定于大径孔的内侧面。小径孔的中心轴从大径孔的中心轴偏心。沿着从大径孔的中心轴朝向小径孔的中心轴的方向,透镜的侧面相对于大径孔的内侧面定位。透镜的中心轴配置在与大径孔的中心轴相比,更靠近离小径孔的中心轴的位置。
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公开(公告)号:CN115280611B
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202180021429.7
申请日:2021-03-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/02326 , G02B7/02
Abstract: 本发明的量子级联激光装置具备:QCL元件、与QCL元件的端面相对地配置的透镜、和保持透镜的透镜架。透镜架具有:小径孔、大径孔、和连接小径孔与大径孔的环状的沉孔面。透镜的侧面的至少一部分在透镜的入射面的边缘部与沉孔面抵接的状态下,经由树脂粘接剂,固定于大径孔的内侧面。小径孔的中心轴从大径孔的中心轴偏心。沿着从大径孔的中心轴朝向小径孔的中心轴的方向,透镜的侧面相对于大径孔的内侧面定位。透镜的中心轴配置在与大径孔的中心轴相比,更靠近离小径孔的中心轴的位置。
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公开(公告)号:CN115280610A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202180021413.6
申请日:2021-03-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/02257
Abstract: 本发明的量子级联激光装置具备QCL元件和封装件。在封装件的侧壁,设置有使从QCL元件出射的激光通过的光出射窗。光出射窗由小径孔、比小径孔大的大径孔、连接小径孔与大径孔的环状的沉孔面、和配置在大径孔的内侧的窗构件构成。窗构件的入射面具有:设置有防反射膜的第1区域、和以与第1区域隔开间隔地包围第1区域的方式形成为环状并被金属化的第2区域。第2区域通过焊料构件与沉孔面接合。
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公开(公告)号:CN103038959B
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:CN201180037546.9
申请日:2011-06-21
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01L33/005 , H01L2933/0083 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/3202 , H01S5/3432 , H01S2304/04
Abstract: 本发明所涉及的半导体面发光元件其特征在于具备:光子晶体层(6),周期性地将多个孔(H)形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层(6A)内,并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层(6B)在孔(H)内生长;活性层(4),对光子晶体层(6)提供光;基本层(6A)的主表面为(001)面,孔(H)的侧面具有至少不同的3个{100}面。
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