公开(公告)号：CN118676187A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410952100.8

申请日：2024-07-16

Applicant: 浙江大学 ,  浙江创芯集成电路有限公司

Inventor： 李海川 ,  綦殿禹 ,  任堃 ,  高大为 ,  许凯 ,  方文章

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/43 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明公开一种超短沟道二维场效应晶体管，包括衬底、栅极、栅介质、二维沟道，二维沟道的表面分别与第一电极和第二电极相接触；第一电极采用金铝双层合金，第一电极与第二电极间采用第一电极自氧化层间隔。所述金铝双层合金采用不同原子比的上层合金和下层合金。第一电极的靠近二维沟道所在层合金自氧化的自氧化层厚度为亚5纳米。本发明通过采用金铝双层合金分层自氧化的方式实现了亚5纳米厚度的均匀自氧化层，并将亚5纳米厚度的自氧化层用作隔离材料，实现第一电极和第二电极的自对准隔离，进而实现由第一电极自氧化层厚度定义的亚5纳米沟道长度，实现了亚5纳米沟道长度二维场效应晶体管低成本、大规模的制备。

公开(公告)号：CN118591271A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410644803.4

申请日：2024-05-23

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 綦殿禹 ,  方文章 ,  许凯 ,  姚一洋 ,  李海川 ,  胡沈醉 ,  钟欢

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本申请涉及二维材料存储器及其制造方法、存储元件。该用于制造二维材料存储器的方法，该方法包括：形成依次层叠的第一电极、介电层、忆阻层及第二电极层；其中，介电层包括层叠设置的至少一层六方氮化硼层；忆阻层包括层叠设置的至少一层二碲化钼层。该方法能够制造稳定性好的二维材料存储器。

公开(公告)号：CN118588568A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410663608.6

申请日：2024-05-23

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 綦殿禹 ,  许凯 ,  方文章 ,  钟欢 ,  姚一洋 ,  李海川 ,  胡沈醉

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请涉及二维材料场效应晶体管及其制造方法。该方法包括：形成层叠于介电层并间隔设置的第一电极图案和第二电极图案，介电层包括层叠设置的一个或两个六方氮化硼层；形成层叠于第一电极图案和第二电极图案的转印贴合层；将介电层结合到沟道层；以及去除转印贴合层。该方法可以方便地、良好地实现电极图案的形成与转印，保证了二维材料场效应晶体管的电学性能。

公开(公告)号：CN119121182A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411041831.3

申请日：2024-07-31

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 綦殿禹 ,  李海川 ,  方文章 ,  许凯 ,  胡沈醉 ,  钟欢 ,  姚一洋

IPC: C23C16/44 ,  B05D1/00

Abstract: 本申请涉及气相涂布装置和气相涂布方法。该气相涂布装置包括：真空室，真空室包括承托盘和密封盖，承托盘具有承托面、凹陷于承托面的盛料腔以及连通于盛料腔并绕过承托面而连通到承托面上侧的气道，密封盖密封地连接于承托盘，密封盖与承托盘限定涂布腔，涂布腔通过气道连通于盛料腔，涂布腔覆盖承托面；真空腔阻隔器，连通于真空室，真空腔阻隔器具有导通状态和封闭状态；以及外接通道，通过真空腔阻隔器连通于真空室。该气相涂布装置能够适用于实验级别半导体制造。