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公开(公告)号：CN119919422A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510423527.3
申请日：2025-04-07
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
IPC: G06T7/00 , G06T7/62 , G06T7/73 , G06F30/20 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开了一种加速光刻热点检测的方法及装置，包括：获取产品版图数据；对产品版图数据进行光刻工艺热点检查，定位热点，设定热点图形区域半径；将热点区域图形转换为特征向量并映射为图的节点，使用贪心算法实现基于图的动态热点库形成和更新；产品版图数据局部化与高风险热点版图区域筛选；光刻模拟仿真与光刻热点图形检测结果输出。本发明通过版图局部化的热点检测，可将光刻工艺热点仿真由全局转化为局部处理，大大降低光刻热点检查时间；改良的热点库热点匹配方法，包括热点图形尺寸选取方法、结合贪心算法的基于图的动态热点库建立算法，使得热点库图形更容易匹配且加快训练速度。
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公开(公告)号：CN118434137B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202410513934.9
申请日：2024-04-26
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供一种非易失性1.5T浮栅型FLASH存储器。该存储器包括衬底，选通晶体管，用于编程操作功能区域，用于擦除操作功能区域和源、漏极区。选通晶体管由选择栅极、底部介电层、顶部介电层构成，底部介电层较薄，利于低电压读取操作；用于编程操作功能区域包括浮置栅极、控制栅‑浮栅栅间介电层和控制栅极，这种结构控制栅和浮栅的栅间耦合率高，约为0.55‑0.6；用于擦除操作功能区域包括擦除栅、浮置栅极和顶部介电层，顶部擦除栅包覆浮栅上方尖端部位，这种结构的擦除栅和浮栅的栅间耦合率约为0.05，利于存储器工作状态的尖端隧穿高效擦除操作。该快闪存储单元结构具备高密度、高可靠性、低功耗、高效操作的优势。
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公开(公告)号：CN118887429A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410897970.X
申请日：2024-07-05
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
Abstract: 本发明公开一种空间索引四叉树应用于版图模式识别的快速匹配方法。本发明首先获取需要匹配的模板，对模板进行解析，利用模板中最佳的一个版图图形对获取版图，进行初步匹配，得到潜在匹配区域，使用空间索引树Quadtree进行存储，大大减少了模式匹配的查询时间，最后利用模板，对潜在匹配进行精确匹配，得到和模板完全相同或相似的匹配结果。本发明与现有EDA公司的Pattern Match方法相比，匹配时间提高了95％。因此在使用版图模式匹配查找坏点版图或查找违反设计规则的版图时，本发明可以提高版图模式匹配速度，加快工艺研发进度。
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公开(公告)号：CN118331002A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410760725.4
申请日：2024-06-13
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
IPC: G03F7/20 , G06V10/762 , G06V10/764
Abstract: 本发明公开了一种基于反向光刻技术的SRAF插入规则构建方法及系统，包括：建立测试图形版图，通过反向光刻技术修正测试图形版图，得到含有反向光刻生成的SRAF的测试图形版图；对SRAF进行曼哈顿化预处理，利用扫描线算法提取版图中的SRAF规则参数并建立规则化SRAF；利用K‑Means聚类算法对建立的规则化SRAF进行分类，将规则化SRAF形成多层级SRAF输出，进行规则匹配得到SRAF插入规则。这些规则参数即可用于实际版图中插入SRAF。本发明用以解决目前业界插入SRAF依赖工程师经验、求解时间长、SRAF自由度较低、工艺窗口提升效果不佳等问题。
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公开(公告)号：CN119297097A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411210813.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
Abstract: 本发明公开一种边墙栅氧工艺的可靠性评估方法和系统及其电子设备。本发明在TDDB测试结构中通过增加或减少finger数量来调整单个finger的栅长L，再进行可靠性测试得到TDDB测试结果；使用L、TDDB测试结果、栅极漏电流对数进行数据拟合，最终得到LDD区域与栅极的重叠面积的TDDB寿命、边墙附近下源漏极与栅极之间的栅氧化层质量。本发明提出新计算方法，用以弥补现有技术存在边墙附近部分栅氧可靠性评估的技术空白。本发明通过更精确地评估LDD区域与栅极重叠面积Sov的TDDB寿命，帮助工艺工程师深入理解并控制栅氧化层的制造工艺，尤其是在边墙和poly区域，有助于优化边墙附近部分栅氧化层的制造过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118331002B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410760725.4
申请日：2024-06-13
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
IPC: G03F7/20 , G06V10/762 , G06V10/764
Abstract: 本发明公开了一种基于反向光刻技术的SRAF插入规则构建方法及系统，包括：建立测试图形版图，通过反向光刻技术修正测试图形版图，得到含有反向光刻生成的SRAF的测试图形版图；对SRAF进行曼哈顿化预处理，利用扫描线算法提取版图中的SRAF规则参数并建立规则化SRAF；利用K‑Means聚类算法对建立的规则化SRAF进行分类，将规则化SRAF形成多层级SRAF输出，进行规则匹配得到SRAF插入规则。这些规则参数即可用于实际版图中插入SRAF。本发明用以解决目前业界插入SRAF依赖工程师经验、求解时间长、SRAF自由度较低、工艺窗口提升效果不佳等问题。
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公开(公告)号：CN118862788A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410901531.1
申请日：2024-07-05
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F111/10 , G06F119/02 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开浮栅型存储器TCAD仿真模型的校准方法、设备及存储介质。对浮栅型存储器搭建实际浮栅型存储器和对应TCAD仿真模型；然后对仿真模型进行校准；通过在浮栅型存储器的控制栅和浮栅之间增加电容，微调控制栅和浮栅的电容耦合比，校准器件在编程、擦除过程中氧化层固定电荷参数，校准迁移率模型参数和界面态参数，实现电性测试校准；通过校准Si/SiO2界面态、体氧化物陷阱和近界面氧化物陷阱的分布情况，实现可靠性测试校准。本发明方法显著提高TCAD仿真模型的表达准确率。
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公开(公告)号：CN118676187A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410952100.8
申请日：2024-07-16
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/43 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开一种超短沟道二维场效应晶体管，包括衬底、栅极、栅介质、二维沟道，二维沟道的表面分别与第一电极和第二电极相接触；第一电极采用金铝双层合金，第一电极与第二电极间采用第一电极自氧化层间隔。所述金铝双层合金采用不同原子比的上层合金和下层合金。第一电极的靠近二维沟道所在层合金自氧化的自氧化层厚度为亚5纳米。本发明通过采用金铝双层合金分层自氧化的方式实现了亚5纳米厚度的均匀自氧化层，并将亚5纳米厚度的自氧化层用作隔离材料，实现第一电极和第二电极的自对准隔离，进而实现由第一电极自氧化层厚度定义的亚5纳米沟道长度，实现了亚5纳米沟道长度二维场效应晶体管低成本、大规模的制备。
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公开(公告)号：CN118434149A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410520444.1
申请日：2024-04-28
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
IPC: H10B43/35
Abstract: 本发明公开高擦写速度和可靠性的电荷俘获型存储器及其制造方法，本发明是在硅衬底上制备隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备一层常规的氮化硅层；在常规氮化硅层上制备一层富硅氮化硅层；在富硅氮化硅层上制备一层硅氧氮层；在硅氧氮层上制备阻挡氧化层；最后生长多晶硅栅层。本发明通过设计一种新的SONOS结构，对传统的单层氮化硅陷阱层改进为三层式陷阱层，在氮化硅陷阱层中间增加浅能级陷阱数量，有利于在编程过程中俘获电荷，增大存储窗口、编程速度；同时对靠近阻挡氧化层部分的陷阱层进行改进，增加深能级陷阱数量，避免电荷隧穿而进入栅电极，有利于增大存储窗口和可靠性。
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公开(公告)号：CN118135261A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410547698.2
申请日：2024-05-06
Applicant: 浙江大学 , 浙江创芯集成电路有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超大规模版图的图形匹配方法及系统，包括：获取版图图形和模版匹配图形，模版匹配图形中包括若干个多边形和一个关键区域标记；对版图图形每个多边形构造包围矩形框；选择模版匹配图形中一个固定的多边形与关键区域标记组合为粗模版匹配图形；根据粗模版匹配图形与版图图形匹配检测，得到潜在区域；根据所有潜在区域的位置在版图图形上建立KD查找树，将包围矩形框与分支内图形的关键区域标记相交的多边形与潜在区域位置关联，对关联的多边形进行筛选后与模版匹配图形逐点匹配。使用该方法，解决了现有技术中搜索复杂图形精度差、误报漏报等问题，实现了高准确率、低时耗，节约大量搜索时间成本。
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