-
公开(公告)号：CN118919388A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202310510933.4
申请日：2023-05-08
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本申请提供一种射频等离子体匹配网络电路，包括：第一真空继电器以及高/低功率等离子体负载匹配网络，利用第一真空继电器实现高功率等离子体负载匹配网络和低功率等离子体负载匹配网络之间的切换，低功率等离子体负载匹配网络包括电容模块和电阻模块，也就是说，低功率等离子体负载匹配网络中的电容模块和电阻模块实现对射频电源的功率衰减，实现低功率等离子体的稳定工艺，具体可以通过调整电容模块的电容和电阻模块的电阻实现对于低功率等离子体工艺的精确调整，由此可见，本申请实施例提供的射频等离子体匹配网络电路，能够满足对于高低能量等离子体组合工艺的需求，拓展了半导体设备的工艺窗口，能够更好地进行半导体器件及芯片的制造。
-
公开(公告)号：CN118431054A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202310080651.5
申请日：2023-02-02
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/305
Abstract: 本发明公开了一种边缘进气装置及等离子刻蚀系统，所述边缘进气装置包括气体管路、进气块及匀气环；所述气体管路连接所述进气块，所述进气块均匀分布在所述匀气环周围，所述匀气环的环状凹槽由介质窗覆盖，所述环状凹槽设有用于通入气体的进气孔和用于连通腔室的出气孔；所述进气孔和/或环状凹槽内设有能够使气体在输入过程中分散通过的防电离部件，和/或，所述出气孔为能够使气体在输出过程中变向的非直线孔，以形成防电离结构。该边缘进气装置可以在解决电离问题的同时保证良好的匀气效果，从而更好的满足刻蚀系统的工艺要求。
-
公开(公告)号：CN118280798A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211727242.1
申请日：2022-12-30
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了一种离子束刻蚀的均匀性调节装置及方法，通过均匀性调节电容组件和安装在放电腔预设位置上的均匀性调节线圈组件，实现对均匀性调节线圈组件中平面线圈和/或筒形线圈上功率的调节，最终实现对所述放电腔内等离子体密度分布的调节，并且还可以对平面线圈和/或筒形线圈在安装位置上的排布进一步优化(例如使平面线圈和/或筒形线圈呈非中心对称性排布或呈中心对称性排布)，还可以进一步精确的对所述放电腔内等离子体密度分布进行再次优化调节，以达到放电腔内预期的等离子体密度分布，从而实现离子束蚀刻的均匀性调节。
-
公开(公告)号：CN118039439A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211372007.7
申请日：2022-11-03
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种射频中和器及启辉方法；射频中和器包括：匹配器、放电腔、射频线圈、第一射频电容和开关电路；射频线圈绕在放电腔外，射频线圈用于通过匹配器连接射频电源；匹配器包括串联的电感和电容；开关电路包括至少一个开关；开关电路中的所有开关的第一端均通过第一射频电容连接放电腔内的阴极，开关电路中的所有开关的第二端连接匹配器；射频中和器启辉时，至少一个开关闭合；射频中和器启辉完成，开关电路中的所有开关断开。本申请在不升高启辉功率和放电腔的腔体压力情况下，能够解决感应耦合的射频中和器启辉困难的问题，提高了射频中和器的效率。
-
公开(公告)号：CN109462929B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201811578691.8
申请日：2018-12-24
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种改善等离子体启辉及稳定性的方法及应用该方法的装置，所述方法用于将气体稳定激发为等离子体，设置电感耦合线圈外圈到反应腔室的接地端的距离小于电感耦合线圈内圈到接地端的距离；调节与电感耦合线圈串联的电容值，使电感耦合线圈外圈端口的电压始终高于电感耦合线圈内圈端口的电压。这种电感耦合线圈外圈和内圈间的电压差不仅有利于等离子体启辉，扩大工艺窗口；还有利于维持工艺过程中等离子体的稳定性，提高工艺重复性。同时由于高电压的区域位于电感耦合线圈的外圈，对晶圆表面以及刻蚀或沉积速度的影响最小。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116417324A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111675852.7
申请日：2021-12-31
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种法拉第平板及等离子体处理设备，包括内平板和在第一平面内包围内平板的外平板，内平板和外平板在第一平面内延伸，内平板用于连接射频电源，外平板用于连接第一电容的第一端，第一电容的第二端用于连接射频电源。在本申请中，内平板连接射频电源，外平板通过第一电容连接射频电源，利用第一电容的分压作用能够有效地抵消清洗时平板电压在径向分布不均匀的现象，实现了清洗电压一致性从而实现了清洗均一性的提升，提升清洗的均一性可以大大缩短清洗时间从而提高设备产能，同时还能减小介质窗表面的涂层损耗，增长介质窗使用寿命。
-
公开(公告)号：CN114373665B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202111585443.8
申请日：2021-12-22
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种具有终点检测功能的离子束刻蚀系统，离子束刻蚀系统包括载台和聚焦环；载台包括晶圆承载面、厂务连接板和载台座，聚焦环包括固定部、环体和台阶部，环体通过固定部固定于载台上，台阶部下表面与环体外径相连，台阶部上表面高于晶圆上表面；终点检测装置包括信号收集探头、信号传输线和信号处理器；信号收集探头的采集端放置在台阶部的孔内，信号收集探头的数据输出端与信号传输线连接，信号收集探头对临近晶圆处的实时光谱信号进行实时采集，并将采集结果经由信号传输线发送至信号处理器，信号处理器根据实时光谱信号计算得到相应的产物基团浓度。本发明能够提高终点检测信号强度、稳定性和重复性，并且不会影响腔室内真空。
-
公开(公告)号：CN114724913B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202110002167.1
申请日：2021-01-04
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置，包括均安装在刻蚀反应腔内的第一挡板和第二挡板；第一挡板为整圆板，能在第一挡板驱动装置的作用下，对离子源产生的离子束进行全遮挡；晶圆采用两次刻蚀，一次刻蚀为无挡板遮挡下的刻蚀，二次刻蚀为采用第二挡板遮挡的刻蚀；第二挡板的结构根据刻蚀工况进行选择，能在第二挡板驱动装置的作用下，对一次刻蚀时晶圆表面刻蚀速率快的区域进行遮挡，使得晶圆表面刻蚀速率保持一致。刻蚀工况包括低能工况、中能工况和高能工况。本发明通过两块挡板的配合刻蚀，从而提高晶圆成品的整体刻蚀均匀性，增加晶圆的利用率。
-
公开(公告)号：CN114724907B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202110002168.6
申请日：2021-01-04
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子密度可调的离子源装置，包括从内至外依次同轴设置的放电腔、螺旋线圈和离子源腔；放电腔的外壁面上设置有金属箔，金属箔能够屏蔽放电腔的内边缘磁场强度，中和趋肤效应所造成的等离子体密度偏高，使得放电腔内等离子体密度分布均匀。金属箔的宽度W取值范围为1~20mm，金属箔的厚度T取值范围为0.1mm~t，其中，t为趋肤深度；根据放电腔中的边缘等离子体密度和中心区域等离子体密度的差异性，选择金属箔的厚度T和表面积。本发明通过在放电腔外增加法拉第结构，并对法拉第结构进行功率分配，针对不同工况进行等离子体密度调节，从而有效改善刻蚀均匀性。
-
公开(公告)号：CN118280802A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211736327.6
申请日：2022-12-31
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本申请公开一种聚焦环以及等离子体刻蚀设备，所述聚焦环包括由上至下分布的多层聚焦环层，且多层所述聚焦环层的介电常数自上向下地递增或递减设置。本申请方案中通过将聚焦环设置为具有不同介电常数的多层结构，可以减小或抵消聚焦环厚度变化对刻蚀速率的影响，从而尽量减小刻蚀速率以及刻蚀均匀性的变化。由此可见，本申请中的聚焦环可以在延长等离子体刻蚀设备的MTBC的情况下，保证刻蚀速率以及刻蚀均匀性的稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
35
records
(took 0.048 seconds)
