公开(公告)号：CN113701616B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202111004423.7

申请日：2021-08-30

Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司

Inventor： 王想 ,  刘小波 ,  孙宏博 ,  窦阳 ,  孙洋 ,  胡冬冬 ,  陈璐 ,  许开东

IPC: G01B7/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种用于静电吸盘上晶圆位置偏移的检测装置和检测方法，检测装置包括射频信号生成模块、电感(L)、电容(C1)、电容(C2)、电容(C3)、射频检测器、电阻(R1)、第一高压电源、射频匹配器、电极偏压电源、电阻(R2)和第二高压电源；射频检测器用于检测电容(C2)与电容(C3)连接点处的射频信号电压；如果射频检测器检测到的射频信号电压与基准电压之间的差值绝对值大于预设差值阈值，则判断晶圆位置已偏移，并且根据差值绝对值进一步判断偏移量。本发明能够在刻蚀作业过程中精确检测晶圆的位置是否偏移，并对偏移量进行估算，提高刻蚀精度和作业成功率。

公开(公告)号：CN111162164B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201811325919.2

申请日：2018-11-08

Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司

Inventor： 蒋中原 ,  刘自明 ,  王珏斌 ,  车东晨 ,  崔虎山 ,  胡冬冬 ,  陈璐 ,  任慧群 ,  邹志文 ,  许开东

IPC: H10N50/01

Abstract: 本发明公开一种半导体器件制作方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室。在不中断真空的情况下，首先利用反应离子刻蚀到达隔离层，然后离子束刻蚀到固定层中接近底电极金属层时停止，仅保留少量固定层，而后采用反应离子刻蚀到底电极金属层，最后进行离子束清洗去除金属残留物和样品表面处理，并进行镀膜保护。通过采用离子束刻蚀和反应离子刻蚀相互结合进行刻蚀、清洗步骤，不仅能有效减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤，提高刻蚀的效率，而且降低了过刻蚀风险，提高了器件性能和良率。

公开(公告)号：CN118919388A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202310510933.4

申请日：2023-05-08

Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司

Inventor： 窦阳 ,  刘小波 ,  李晓磊 ,  王智超 ,  王想 ,  胡冬冬 ,  许开东 ,  陈璐

IPC: H01J37/32

Abstract: 本申请提供一种射频等离子体匹配网络电路，包括：第一真空继电器以及高/低功率等离子体负载匹配网络，利用第一真空继电器实现高功率等离子体负载匹配网络和低功率等离子体负载匹配网络之间的切换，低功率等离子体负载匹配网络包括电容模块和电阻模块，也就是说，低功率等离子体负载匹配网络中的电容模块和电阻模块实现对射频电源的功率衰减，实现低功率等离子体的稳定工艺，具体可以通过调整电容模块的电容和电阻模块的电阻实现对于低功率等离子体工艺的精确调整，由此可见，本申请实施例提供的射频等离子体匹配网络电路，能够满足对于高低能量等离子体组合工艺的需求，拓展了半导体设备的工艺窗口，能够更好地进行半导体器件及芯片的制造。

公开(公告)号：CN118280798A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211727242.1

申请日：2022-12-30

Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司

Inventor： 王想 ,  刘小波 ,  王智超 ,  晁洁方 ,  窦阳 ,  胡冬冬 ,  陈璐 ,  许开东

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供了一种离子束刻蚀的均匀性调节装置及方法，通过均匀性调节电容组件和安装在放电腔预设位置上的均匀性调节线圈组件，实现对均匀性调节线圈组件中平面线圈和/或筒形线圈上功率的调节，最终实现对所述放电腔内等离子体密度分布的调节，并且还可以对平面线圈和/或筒形线圈在安装位置上的排布进一步优化(例如使平面线圈和/或筒形线圈呈非中心对称性排布或呈中心对称性排布)，还可以进一步精确的对所述放电腔内等离子体密度分布进行再次优化调节，以达到放电腔内预期的等离子体密度分布，从而实现离子束蚀刻的均匀性调节。

公开(公告)号：CN118039439A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211372007.7

申请日：2022-11-03

Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司

Inventor： 王想 ,  刘小波 ,  李晓磊 ,  王智超 ,  晁洁方 ,  胡冬冬 ,  陈璐 ,  许开东

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/08

Abstract: 本申请公开了一种射频中和器及启辉方法；射频中和器包括：匹配器、放电腔、射频线圈、第一射频电容和开关电路；射频线圈绕在放电腔外，射频线圈用于通过匹配器连接射频电源；匹配器包括串联的电感和电容；开关电路包括至少一个开关；开关电路中的所有开关的第一端均通过第一射频电容连接放电腔内的阴极，开关电路中的所有开关的第二端连接匹配器；射频中和器启辉时，至少一个开关闭合；射频中和器启辉完成，开关电路中的所有开关断开。本申请在不升高启辉功率和放电腔的腔体压力情况下，能够解决感应耦合的射频中和器启辉困难的问题，提高了射频中和器的效率。

公开(公告)号：CN109462929B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201811578691.8

申请日：2018-12-24

Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司

Inventor： 李雪冬 ,  刘小波 ,  胡冬冬 ,  车东晨 ,  李娜 ,  徐康宁 ,  陈璐 ,  许开东

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种改善等离子体启辉及稳定性的方法及应用该方法的装置，所述方法用于将气体稳定激发为等离子体，设置电感耦合线圈外圈到反应腔室的接地端的距离小于电感耦合线圈内圈到接地端的距离；调节与电感耦合线圈串联的电容值，使电感耦合线圈外圈端口的电压始终高于电感耦合线圈内圈端口的电压。这种电感耦合线圈外圈和内圈间的电压差不仅有利于等离子体启辉，扩大工艺窗口；还有利于维持工艺过程中等离子体的稳定性，提高工艺重复性。同时由于高电压的区域位于电感耦合线圈的外圈，对晶圆表面以及刻蚀或沉积速度的影响最小。

公开(公告)号：CN114373665B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202111585443.8

申请日：2021-12-22

Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司

Inventor： 李雪冬 ,  刘海洋 ,  刘小波 ,  朱小庆 ,  许开东 ,  陈璐

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种具有终点检测功能的离子束刻蚀系统，离子束刻蚀系统包括载台和聚焦环；载台包括晶圆承载面、厂务连接板和载台座，聚焦环包括固定部、环体和台阶部，环体通过固定部固定于载台上，台阶部下表面与环体外径相连，台阶部上表面高于晶圆上表面；终点检测装置包括信号收集探头、信号传输线和信号处理器；信号收集探头的采集端放置在台阶部的孔内，信号收集探头的数据输出端与信号传输线连接，信号收集探头对临近晶圆处的实时光谱信号进行实时采集，并将采集结果经由信号传输线发送至信号处理器，信号处理器根据实时光谱信号计算得到相应的产物基团浓度。本发明能够提高终点检测信号强度、稳定性和重复性，并且不会影响腔室内真空。

公开(公告)号：CN113737155B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202010474933.X

申请日：2020-05-29

Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司

Inventor： 范思大 ,  侯永刚 ,  崔虎山 ,  张军 ,  宋晓宏 ,  吴志浩 ,  许开东 ,  陈璐

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明涉及一种提高PECVD清洗效率的腔体内衬装置，其安装于腔体内，该装置包括陶瓷环和内衬，陶瓷环嵌套于内衬上方，陶瓷环、内衬、腔壁三者之间形成环形抽气通道，其中，陶瓷环一周均匀分布若干个抽气小孔；内衬包括轴向抽气通道，轴向抽气通道设于内衬外侧，环形抽气通道与轴向抽气通道之间连通；本发明解决腔体内壁和腔体底部等离子体不能到达的位置无法清洗彻底问题，内衬装置可以缩小腔体空间，保证清洗等离子体覆盖腔体内壁和底部，在陶瓷环一圈设若干抽气小孔，保证了腔体形成均匀分布反应气体，且陶瓷环起到绝缘的作用，本发明对抽气小孔在腔体的相对高度的把控，保证了清洗效果及沉积薄膜质量。