一种边缘进气装置及等离子刻蚀系统

    公开(公告)号:CN118431054A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202310080651.5

    申请日:2023-02-02

    Abstract: 本发明公开了一种边缘进气装置及等离子刻蚀系统,所述边缘进气装置包括气体管路、进气块及匀气环;所述气体管路连接所述进气块,所述进气块均匀分布在所述匀气环周围,所述匀气环的环状凹槽由介质窗覆盖,所述环状凹槽设有用于通入气体的进气孔和用于连通腔室的出气孔;所述进气孔和/或环状凹槽内设有能够使气体在输入过程中分散通过的防电离部件,和/或,所述出气孔为能够使气体在输出过程中变向的非直线孔,以形成防电离结构。该边缘进气装置可以在解决电离问题的同时保证良好的匀气效果,从而更好的满足刻蚀系统的工艺要求。

    一种晶圆位置校准方法及设备

    公开(公告)号:CN116721960B

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202311011509.1

    申请日:2023-08-11

    Abstract: 本申请提供一种晶圆位置校准方法及设备,晶圆放置于晶圆载台,方法包括:控制超声波发生器向晶圆发射第一声波,由于超声波发生器、超声波接收器和晶圆部分交叠,因此第一声波具有未被晶圆阻挡的部分,可以控制超声波接收器接收未被晶圆阻挡的第一声波。根据未被晶圆阻挡的第一声波计算得到晶圆的中心位置偏移晶圆载台的中心位置的偏移方向和偏移值,就可以根据偏移方向和偏移值定位晶圆在晶圆载台上的位置,实现利用超声波对晶圆的精准定位。在对晶圆定位之后,可以控制机械手臂根据偏移方向和偏移值调整抓取晶圆的位置信息,也就是说,对机械手臂抓取晶圆的位置进行校准,从而实现晶圆在传输过程中进行稳定且高精度的定位和校准。

    一种磁流体密封轴
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115704475A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202110939002.7

    申请日:2021-08-16

    Abstract: 本发明公开一种磁流体密封轴,包括轴套和轴体,所述轴体安装于所述轴套,且所述轴体能够相对所述轴套进行转动,所述轴体与所述轴套之间设置有磁流体进行密封;还包括伸缩部件,所述伸缩部件包括伸缩轴,所述伸缩轴内置于所述轴体,并能够相对所述轴体进行伸出或者缩回。伸缩轴和轴体相互独立,轴体用于和轴套相配合以实现旋转密封,而伸缩轴则用于输出直线位移,使得轴体可以不参与直线位移的输出,这样,轴体与轴套之间的旋转密封不至于受到影响,而伸缩轴的引入则可以补充完善常规磁流体密封轴无法输出直线位移的缺陷;同时,伸缩轴采用内置于轴体的设计,可以避免对磁流体密封轴外部空间的占用,能够缩减设备的体积,并可提高设备的集成度。

    一种具有光学访问通道的喷气结构及喷气系统

    公开(公告)号:CN119833381A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202311324318.0

    申请日:2023-10-12

    Abstract: 本发明公开了一种具有光学访问通道的喷气结构及喷气系统,包括进气连接件和气体喷嘴,所述进气连接件与气体喷嘴相互连接;所述气体喷嘴设有光学访问通道、中间进气气路和边缘进气气路,所述光学访问通道位于所述气体喷嘴的中心位置且竖直向下延伸,所述中间进气气路包括中间匀气结构和连通所述中间匀气结构的中间进气孔,所述边缘进气气路包括边缘匀气孔和连通边缘匀气孔的边缘进气孔;所述进气连接件与所述气体喷嘴之间设有将光学访问通道、中间进气气路和边缘进气气路相互独立密封的密封件。该进气结构可单独控制两路进气中的任意一路进气,从而有效的控制进气的均匀性、实现进气比例的调节、降低电弧放电的风险、减少气体沉积与颗粒的产生。

    一种栅组件及离子源装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118431052A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202310078706.9

    申请日:2023-01-31

    Abstract: 本发明公开了一种栅组件及离子源装置,该栅组件至少包括两个栅极单元,每一栅极单元包括栅格部以及支撑部,相邻栅极单元的支撑部之间设置有绝缘体,以隔离两相邻栅格部;绝缘体包括第一接触面和第二接触面,分别用于与相邻栅极单元的支撑部接触连接,相邻栅极单元至少一者其支撑部具有位于栅格部外围的遮挡环,遮挡环位于绝缘体的环形腔内部,并且遮挡环与环形腔内壁具有径向间距;本发明在栅格部与环形腔内壁之间设置有遮挡环,这样遮挡环可以将该栅格部与环形腔内壁进行隔离,栅格部工作时即使会产生材料溅射也不会溅射到遮挡环外侧的环形腔内壁上,这样相邻栅格部不会通过绝缘体导通,保障了栅组件正常工作,提高了栅组件工作的可靠性。

    一种聚焦环置换装置及等离子刻蚀机

    公开(公告)号:CN118280804A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202211739258.4

    申请日:2022-12-31

    Abstract: 本发明公开一种聚焦环置换装置,包括驱动装置(30)、顶针升降机构(10)和聚焦环升降机构(20);顶针升降机构(10)包括第一顶针(11)和第一连动件(12),第一顶针设置在第一连动件的顶部,且可通过边缘环上的贯通孔伸出;聚焦环升降机构(20)包括第二顶针(21)和第二连动件(22),第二顶针设置在第二连动件的顶部,且可通过基座的贯通孔伸出;所述驱动装置(30)固定设置在下电极(70)的下方,且其输出端分别与第一连动件和第二连动件相连接,以分别带动顶针升降机构的第一顶针(11)和聚焦环升降机构(20)的第二顶针(21)升降。应用本方案,可实现结构的简化配置,同时合理降低设备成本。

    一种离子源挡片、离子刻蚀机及其使用方法

    公开(公告)号:CN113707528B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202010440876.3

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本发明提出了一种离子源挡片、离子刻蚀机及其使用方法,该离子源挡片包括挡片本体;挡片本体为一中空结构;挡片本体的内壁上固定对称设置的挡片;挡片朝挡片本体的中心方向延伸;沿挡片本体的内壁朝挡片本体中心的方向,挡片形成的遮挡区域由大变小;离子刻蚀机包括放电室、反应室和离子源挡片,离子源挡片卡设在放电室的内壁上;等离子体依次经过离子源挡片和离子源Grid组件。本发明的离子刻蚀机通过增设一离子源挡片,等离子体经离子源挡片进行遮挡后,自放电室的边缘区域至放电室的中心区域,等离子体的数量逐渐增多,从而补偿了屏栅上外小孔大于内小孔的结构设计,保证了等离子体穿过屏栅形成的等离子束的均匀性。

    一种多区喷气进气结构及多区喷气系统

    公开(公告)号:CN119819500A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202311319290.1

    申请日:2023-10-12

    Abstract: 本发明公开了一种多区喷气进气结构及多区喷气系统,包括进气连接件和气体喷嘴,所述进气连接件与气体喷嘴相互连接;所述气体喷嘴设有中心进气气路、中间进气气路和边缘进气气路,所述中心进气气路包括中心匀气孔和中心进气孔,所述中间进气气路包括中间匀气孔和中间进气孔,所述边缘进气气路包括边缘匀气孔和边缘进气孔;所述进气连接件与所述气体喷嘴之间设有将所述中心进气气路、中间进气气路和边缘进气气路相互独立密封的密封件。该进气结构可单独控制多路进气中的任意一路进气,从而有效的控制进气的均匀性、实现进气比例的调节、降低电弧放电的风险、减少气体沉积与颗粒的产生。

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