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公开(公告)号：CN118431054A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202310080651.5
申请日：2023-02-02
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/305
Abstract: 本发明公开了一种边缘进气装置及等离子刻蚀系统，所述边缘进气装置包括气体管路、进气块及匀气环；所述气体管路连接所述进气块，所述进气块均匀分布在所述匀气环周围，所述匀气环的环状凹槽由介质窗覆盖，所述环状凹槽设有用于通入气体的进气孔和用于连通腔室的出气孔；所述进气孔和/或环状凹槽内设有能够使气体在输入过程中分散通过的防电离部件，和/或，所述出气孔为能够使气体在输出过程中变向的非直线孔，以形成防电离结构。该边缘进气装置可以在解决电离问题的同时保证良好的匀气效果，从而更好的满足刻蚀系统的工艺要求。
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公开(公告)号：CN119819500A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202311319290.1
申请日：2023-10-12
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多区喷气进气结构及多区喷气系统，包括进气连接件和气体喷嘴，所述进气连接件与气体喷嘴相互连接；所述气体喷嘴设有中心进气气路、中间进气气路和边缘进气气路，所述中心进气气路包括中心匀气孔和中心进气孔，所述中间进气气路包括中间匀气孔和中间进气孔，所述边缘进气气路包括边缘匀气孔和边缘进气孔；所述进气连接件与所述气体喷嘴之间设有将所述中心进气气路、中间进气气路和边缘进气气路相互独立密封的密封件。该进气结构可单独控制多路进气中的任意一路进气，从而有效的控制进气的均匀性、实现进气比例的调节、降低电弧放电的风险、减少气体沉积与颗粒的产生。
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公开(公告)号：CN118280803A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211739122.3
申请日：2022-12-31
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本申请公开一种聚焦环调节装置以及等离子体刻蚀设备，聚焦环调节装置包括挡环，所述挡环用于支撑聚焦环，所述聚焦环调节装置还包括膨胀部件，所述挡环开设有第一安装槽，所述膨胀部件装设在所述第一安装槽内，所述膨胀部件膨胀时，用于直接或间接地顶升所述聚焦环。该聚焦环调节装置的结构简单。
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公开(公告)号：CN117198972A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210602982.6
申请日：2022-05-30
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开一种晶圆升降机构及晶圆载台装置，其中，该晶圆升降机构包括第一升降组件和第二升降组件，所述第一升降组件包括第一驱动件和第一驱动杆，所述第一驱动杆用于对所述晶圆的中部区域进行设定距离的微顶升，所述第二升降组件包括第二驱动件和第二驱动杆，所述第二驱动杆用于对所述晶圆进行顶升；在对所述晶圆进行顶升时，所述第二驱动件在所述第一驱动件进行微顶升后启动。上述晶圆升降机构可以先对晶圆所携带电荷进行释放，然后再进行举升，不易对晶圆造成破坏，也不易造成晶圆移位，有利于保证晶圆加工的良率。
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公开(公告)号：CN116666276A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310938337.6
申请日：2023-07-28
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种喷嘴固定结构及等离子刻蚀系统，包括进气管、介质窗、喷嘴本体、第一夹环和第二夹环，进气管具有喷嘴安装端；介质窗具有喷嘴安装槽；喷嘴本体的外侧设置有自第一密封端面向第二密封端面呈阶梯递减布置的第一限位轴肩和第二限位轴肩，第一密封端面与喷嘴安装端之间通过第一密封圈密封，第二密封端面通过第二密封圈与喷嘴安装槽密封配合；第一夹环具有与第一限位轴肩的端面适配的轴向限位面；第二夹环与第一夹环背离轴向限位面的一面适配；另外，喷嘴安装端与第一夹环通过第一螺纹紧固件连接；第一夹环和第二夹环通过第二螺纹紧固件连接。拆卸过程中，通过顶丝替代第一螺纹紧固件周向均匀顶升第一夹环来避免损坏喷嘴的防护涂层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118280802A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211736327.6
申请日：2022-12-31
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本申请公开一种聚焦环以及等离子体刻蚀设备，所述聚焦环包括由上至下分布的多层聚焦环层，且多层所述聚焦环层的介电常数自上向下地递增或递减设置。本申请方案中通过将聚焦环设置为具有不同介电常数的多层结构，可以减小或抵消聚焦环厚度变化对刻蚀速率的影响，从而尽量减小刻蚀速率以及刻蚀均匀性的变化。由此可见，本申请中的聚焦环可以在延长等离子体刻蚀设备的MTBC的情况下，保证刻蚀速率以及刻蚀均匀性的稳定性。
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公开(公告)号：CN117894658A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202211260536.8
申请日：2022-10-14
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀设备、介质窗加热装置及系统，本发明中加热元件通过导热体包裹，一方面加热元件的热量可以通过与介质窗直接接触的下层导热体直接传递热量于介质窗，另一方面加热元件的部分热量经位于背离介质窗一侧的上层导热体散发，这样加热元件的热量可以经导热体快速散发，不会产生积聚现象。
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公开(公告)号：CN116838798A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310830212.1
申请日：2023-07-07
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC: F16K1/00 , H01L21/67 , F16K1/32 , F16K1/44 , F16K3/02 , F16K3/30 , F16K27/02 , F16K27/04 , F16K31/122 , F16K37/00 , F16K51/02 , G01M3/28
Abstract: 本发明公开了一种传输阀，包括阀体、单侧密封板和双侧密封板，所述阀体设有第一端口和第二端口，所述单侧密封板用于密封所述第一端口，所述双侧密封板包括第一密封板和第二密封板，所述第一密封板和第二密封板用于密封所述第一端口和第二端口；所述阀体内部设有升降机构，所述第一密封板和第二密封板通过横向伸缩机构安装于所述升降机构，所述第一密封板和第二密封板分别通过能够分离和结合的对接结构与所述横向伸缩机构相连接。该传输阀在排查相邻腔室间出现漏点的情况时，能够实现漏点的准确定位，提高排查效率，而且，在拆装阀体时，不会破坏腔室内部的真空环境，从而保证晶圆生产质量的稳定性。
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公开(公告)号：CN119833381A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202311324318.0
申请日：2023-10-12
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有光学访问通道的喷气结构及喷气系统，包括进气连接件和气体喷嘴，所述进气连接件与气体喷嘴相互连接；所述气体喷嘴设有光学访问通道、中间进气气路和边缘进气气路，所述光学访问通道位于所述气体喷嘴的中心位置且竖直向下延伸，所述中间进气气路包括中间匀气结构和连通所述中间匀气结构的中间进气孔，所述边缘进气气路包括边缘匀气孔和连通边缘匀气孔的边缘进气孔；所述进气连接件与所述气体喷嘴之间设有将光学访问通道、中间进气气路和边缘进气气路相互独立密封的密封件。该进气结构可单独控制两路进气中的任意一路进气，从而有效的控制进气的均匀性、实现进气比例的调节、降低电弧放电的风险、减少气体沉积与颗粒的产生。
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公开(公告)号：CN118280804A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211739258.4
申请日：2022-12-31
Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/20 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种聚焦环置换装置，包括驱动装置(30)、顶针升降机构(10)和聚焦环升降机构(20)；顶针升降机构(10)包括第一顶针(11)和第一连动件(12)，第一顶针设置在第一连动件的顶部，且可通过边缘环上的贯通孔伸出；聚焦环升降机构(20)包括第二顶针(21)和第二连动件(22)，第二顶针设置在第二连动件的顶部，且可通过基座的贯通孔伸出；所述驱动装置(30)固定设置在下电极(70)的下方，且其输出端分别与第一连动件和第二连动件相连接，以分别带动顶针升降机构的第一顶针(11)和聚焦环升降机构(20)的第二顶针(21)升降。应用本方案，可实现结构的简化配置，同时合理降低设备成本。
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