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公开(公告)号：CN111048508B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201911132333.9
申请日：2019-11-19
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种双向LVTSCR的ESD防护或抗浪涌方法，属于集成电路的静电放电防护及浪涌领域。本发明提供了一种可用于瞬态电压抑制或ESD的保护器件及其应用，所述保护器件包括SCR、NMOS和金属线，所述应用实例器件主要由P衬底、第一N阱、第二N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第六N+注入区、第一多晶硅栅以及其覆盖的第一薄栅氧化层、第二多晶硅栅以及其覆盖的第二薄栅氧化层。本发明利用了SCR结构的强ESD鲁棒性优点，通过引入NMOS结构和多条SCR路径，可降低触发电压，增强器件的单位面积ESD鲁棒性，有助于提高电路单元面积ESD或浪涌防护效率。
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公开(公告)号：CN108695316B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201810497160.X
申请日：2018-05-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种双向二极管串触发SCR结构的ESD保护器件，属于集成电路的静电放电保护领域。该ESD保护器件包括用分割阱技术形成的二极管串、双向SCR结构和金属线；在P衬底上设置深N阱，在深N阱的表面区域从左至右依次设有第一P阱、第一N阱、第二P阱和第二N阱，每个阱中均设置P+注入区和N+注入区；在第二N阱区域内，利用掩膜制备版，间隔插入P阱，每一个P阱的四周均通过N阱隔离，每个P阱中分别设置一对P+注入区和N+注入区；所述的金属线连接注入区，并从金属线中引出正负电极用于正向通导和反向通导。本发明可以通过增加或者减少由阱分割形成的二极管的个数控制触发电压，使器件在低压领域内有更广泛的应用。
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公开(公告)号：CN108695316A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810497160.X
申请日：2018-05-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L27/0255
Abstract: 本发明提供一种双向二极管串触发SCR结构的ESD保护器件，属于集成电路的静电放电保护领域。该ESD保护器件包括用分割阱技术形成的二极管串、双向SCR结构和金属线；在P衬底上设置深N阱，在深N阱的表面区域从左至右依次设有第一P阱、第一N阱、第二P阱和第二N阱，每个阱中均设置P+注入区和N+注入区；在第二N阱区域内，利用掩膜制备版，间隔插入P阱，每一个P阱的四周均通过N阱隔离，每个P阱中分别设置一对P+注入区和N+注入区；所述的金属线连接注入区，并从金属线中引出正负电极用于正向通导和反向通导。本发明可以通过增加或者减少由阱分割形成的二极管的个数控制触发电压，使器件在低压领域内有更广泛的应用。
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公开(公告)号：CN111223855A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911132334.3
申请日：2019-11-19
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L21/8249
Abstract: 本发明公开了一种利用栅隔离技术提高电路系统ESD防护性能的方法，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。本发明可用于瞬态电压抑制或ESD保护器件，所述器件包括P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第一多晶硅栅以及其覆盖的第一薄栅氧化层、第二多晶硅栅以及其覆盖的第二薄栅氧化层、第三多晶硅栅以及其覆盖的第三薄栅氧化层、第四多晶硅栅以及其覆盖的第四薄栅氧化层、第五多晶硅栅以及其覆盖的第五薄栅氧化层、第六多晶硅栅以及其覆盖的第六薄栅氧化层。本发明利用了栅隔离技术，提高维持电压，增强器件在ESD防护或抗浪涌过程中的抗闩锁性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108878417B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810730016.6
申请日：2018-07-05
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种高维持MOS辅助触发SCR结构的瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域，可用于提高芯片的抗ESD能力。该器件包括嵌入式MOS、SCR、BJT结构和金属线，其中由PNP、NPN与PMOS辅助SCR结构的正向ESD电流泄放路径，以及由NPN、PNP与NMOS辅助触发SCR结构的反向ESD电流泄放路径SD电流泄放路径，不仅具有低触发、高维持电压的小电压回滞特性，还具有强ESD鲁棒性，与单向瞬态器相比，所述瞬态电压抑制器的单位面积ESD防护能力强。
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公开(公告)号：CN111223855B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201911132334.3
申请日：2019-11-19
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02 , H01L21/8249
Abstract: 本发明公开了一种利用栅隔离技术提高电路系统ESD防护性能的方法，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。本发明可用于瞬态电压抑制或ESD保护器件，所述器件包括P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第一多晶硅栅以及其覆盖的第一薄栅氧化层、第二多晶硅栅以及其覆盖的第二薄栅氧化层、第三多晶硅栅以及其覆盖的第三薄栅氧化层、第四多晶硅栅以及其覆盖的第四薄栅氧化层、第五多晶硅栅以及其覆盖的第五薄栅氧化层、第六多晶硅栅以及其覆盖的第六薄栅氧化层。本发明利用了栅隔离技术，提高维持电压，增强器件在ESD防护或抗浪涌过程中的抗闩锁性。
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公开(公告)号：CN113367304A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110694091.3
申请日：2021-06-22
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明提供了一种油炸花生米及其加工技术，属于食品加工与保藏技术领域。本发明以带皮花生米为原料，经烘烤去皮、热水浸泡、沥干、拌料、油炸、冷却、包装等步骤制成具有较长保质期的油炸花生米。本发明的制备方法是将稳定性较高的复配油中加入脂溶性叔丁基对苯二酚作为煎炸油，消除其直接加入拌料与花生混合过程中分布不均，降低其在油炸花生米中的浓度，制得产品保证了油炸花生米的口感，且常温贮藏可达12个月以上，解决现有油炸花生产品易氧化，产品保质期短的难题；并且制作工艺简单，成本低，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN108878417A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810730016.6
申请日：2018-07-05
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L27/0259 , H01L27/0266 , H01L27/0296
Abstract: 一种高维持MOS辅助触发SCR结构的瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域，可用于提高芯片的抗ESD能力。该器件包括嵌入式MOS、SCR、BJT结构和金属线，其中由PNP、NPN与PMOS辅助SCR结构的正向ESD电流泄放路径，以及由NPN、PNP与NMOS辅助触发SCR结构的反向ESD电流泄放路径SD电流泄放路径，不仅具有低触发、高维持电压的小电压回滞特性，还具有强ESD鲁棒性，与单向瞬态器相比，所述瞬态电压抑制器的单位面积ESD防护能力强。
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公开(公告)号：CN111048508A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911132333.9
申请日：2019-11-19
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种双向LVTSCR的ESD防护或抗浪涌方法，属于集成电路的静电放电防护及浪涌领域。本发明提供了一种可用于瞬态电压抑制或ESD的保护器件及其应用，所述保护器件包括SCR、NMOS和金属线，所述应用实例器件主要由P衬底、第一N阱、第二N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第六N+注入区、第一多晶硅栅以及其覆盖的第一薄栅氧化层、第二多晶硅栅以及其覆盖的第二薄栅氧化层。本发明利用了SCR结构的强ESD鲁棒性优点，通过引入NMOS结构和多条SCR路径，可降低触发电压，增强器件的单位面积ESD鲁棒性，有助于提高电路单元面积ESD或浪涌防护效率。
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