公开(公告)号：CN119027425A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411516738.3

申请日：2024-10-29

Applicant: 江南大学

Inventor： 陈忆雯 ,  魏宁 ,  武文琦 ,  姜阳

IPC: G06T7/00 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08 ,  G06T5/60 ,  G06V10/764 ,  G06V10/774 ,  G06V10/82 ,  G01N25/72

Abstract: 本发明涉及一种半导体芯片缺陷检测技术领域，提供一种半导体芯片表面缺陷检测方法及系统，其特征在于：包括采集半导体芯片的红外图像，获得红外图像数据集；对所述红外图像进行图像增强，获得增强红外图像数据集；基于神经网络模型学习所述增强红外图像数据集，获得所述半导体芯片的表面缺陷检测结果。本发明所述的半导体芯片表面缺陷检测方法及系统，显著提高半导体芯片表面缺陷检测的准确性、准确率和可靠性。

公开(公告)号：CN119027425B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411516738.3

申请日：2024-10-29

Applicant: 江南大学

Inventor： 陈忆雯 ,  魏宁 ,  武文琦 ,  姜阳

IPC: G06T7/00 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08 ,  G06T5/60 ,  G06V10/764 ,  G06V10/774 ,  G06V10/82 ,  G01N25/72

Abstract: 本发明涉及一种半导体芯片缺陷检测技术领域，提供一种半导体芯片表面缺陷检测方法及系统，其特征在于：包括采集半导体芯片的红外图像，获得红外图像数据集；对所述红外图像进行图像增强，获得增强红外图像数据集；基于神经网络模型学习所述增强红外图像数据集，获得所述半导体芯片的表面缺陷检测结果。本发明所述的半导体芯片表面缺陷检测方法及系统，显著提高半导体芯片表面缺陷检测的准确性、准确率和可靠性。

公开(公告)号：CN118099202A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410168672.7

申请日：2024-02-06

Applicant: 江南大学

Inventor： 王霄 ,  张冲 ,  陈忆雯 ,  敖金平 ,  李杨 ,  陈治伟 ,  白利华 ,  赵森 ,  王文倩

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/47 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明公开了涉及一种氮化镓晶体管器件及制备方法，属于半导体领域。本发明的氮化镓HEMT器件包括由下而上依次设置衬底1、缓冲层2、GaN层3、AlGaN层4、原位ScN钝化保护层5，源极8和漏极6分别穿过所述原位ScN钝化保护层5与所述AlGaN层4形成欧姆接触，栅极7穿过所述原位ScN钝化保护层5与所述AlGaN层4形成肖特基接触，本发明利用ScN材料形成钝化层，一方面，ScN与AlGaN晶格常数更为匹配从而减少器件表面的缺陷，另一方面实验结果证明，本发明可以有效地缓解二维电子气的降低，改善了电流崩塌效应与动态电阻上升的问题。