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公开(公告)号:CN118017823A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202410214173.7
申请日:2024-02-27
Applicant: 武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶集团有限公司第七一二研究所) , 清华大学
IPC: H02M1/34 , H02M1/00 , H02M7/483 , H02M7/5387 , H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种基于多电平H桥电路的缓冲吸收电路,高频单元有两个飞跨电容多电平电路,高压单元包括H桥电路,输入侧安装双极式RCD缓冲吸收电路和RC缓冲吸收电路,双极式RCD缓冲吸收电路中Ds1的阴极连接Cs1的正极,Ds2的阳极连接Cs1的负极,Ds1的阳极与Ds2的阴极分别连接高压单元的正极Xp和负极Xn,Ds1的阴极与Rs1串联后连接到高频单元的正母线P,Ds2的阳极与Rs2串联后连接到负母线N,RC缓冲吸收电路中电阻Rs3与电容Cs2串联后并联在H桥电路输入端;还公开了零电压开关实现方法;本发明可抑制多电平H桥电路中高压单元器件的电压尖峰,同时实现高压单元器件的零电压开关,降低开关损耗。
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公开(公告)号:CN117674623A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202311573966.X
申请日:2023-11-23
Applicant: 武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶集团有限公司第七一二研究所)
IPC: H02M7/483 , H02M7/5387 , H02M3/158
Abstract: 本发明公开了一种SiC/Si混合型对称五电平逆变器,该逆变器每相拓扑由三电平DC/DC变换器及个H桥逆变电路组成,高频模块为三电平DC/DC电路结构,由低耐压等级的高频器件SiC功率管S1~S4组成,高压模块为一个H桥逆变电路,由高耐压等级的低频器件Si功率管S5~S8组成;还公开了其控制方法,以及逆变设备;由此解决了器件耐压和开关频率难以同时满足的矛盾,同时可极大程度控制成本降低了五电平电路的成本。
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