MEMS传感器及自校准方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119334533A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202411350159.6

    申请日:2024-09-26

    Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器及自校准方法,其中的MEMS传感器包括基座以及设置在所述基座上的敏感膜;在所述敏感膜上设置有调节层;其中,所述调节层用于在外部激励电压的作用下产生形变;通过所述调节层的形变对所述敏感膜的形状进行调节,以使所述敏感膜的零点位置与预设参考点之间的差值在预设范围内。利用上述发明能够实现MEMS传感器的自校准,保证MEMS传感器在长期使用过程中的准确度。

    振动传感器、振动传感器的灵敏度校准方法及电子设备

    公开(公告)号:CN118896682A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202310494684.4

    申请日:2023-05-04

    Abstract: 本申请公开了一种振动传感器、振动传感器的灵敏度校准方法及电子设备。该振动传感器具有第一腔室和第二腔室;振动传感器包括拾振单元及传感器单元,传感器单元包括第一气压感应件及第二气压感应件;第一气压感应件的一侧与第一腔室连通、另一侧与第二腔室连通;第二气压感应件的一侧暴露于真空环境、另一侧与第一腔室或者第二腔室连通;拾振单元响应于外部振动产生位移,第一腔室响应于位移产生气压差,第一气压感应件响应于气压差产生气压差信号,第二气压感应件被配置为对气压差信号进行校准。

    串扰屏蔽装置、串扰屏蔽设备以及智能终端设备

    公开(公告)号:CN118471955A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410590280.X

    申请日:2024-05-13

    Inventor: 孙延娥 闫文明

    Abstract: 本申请公开了一种串扰屏蔽装置、串扰屏蔽设备以及智能终端设备,涉及半导体封装技术领域,该串扰屏蔽装置包括基板、封装腔体、低热导层、高热导层以及集成有语音模块和传感器模块的芯片组件;芯片组件以芯片组件的焊盘面朝向基板的方向埋入至基板中,形成芯片层,芯片层为芯片组件埋于基板的面板区域;封装腔体包覆于芯片层上,并与芯片层粘连固定连接;芯片层靠近封装腔体的一侧设置有低热导层,芯片层远离封装腔体的一侧设置有高热导层。本申请旨在消除语音模块与传感器模块集成器件间的串扰现象以提升智能终端设备的工作性能。

    MEMS差压传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN113432778B

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202110572090.1

    申请日:2021-05-25

    Abstract: 本发明提供一种MEMS差压传感器及其制造方法,其中MEMS差压传感器包括具有腔体的基底层、架设在基底层的腔体之上的压力敏感膜,以及设置在压力敏感膜远离基底层一侧的保护壳;其中,在静止状态下,压力敏感膜与腔体的底部之间以及与保护壳之间的垂直距离均小于压力敏感膜的最小过载形变量;腔体的底部和保护壳分别形成对压力敏感膜的两侧进行限位的限位结构。利用上述发明能够实现MEMS差压传感器的双向抗高过载,且性能稳定、尺寸小。

    一种组合传感器和电子设备
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116573606A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310630491.7

    申请日:2023-05-30

    Abstract: 本发明涉及一种组合传感器和电子设备。所述组合传感器,包括:PCB、外壳、第一ASIC芯片、第一MEMS芯片、第二ASIC芯片和第二MEMS芯片,所述外壳固定在所述PCB的一侧,并与所述PCB形成第一腔室;所述第一ASIC芯片埋设于所述PCB内层,所述第一MEMS芯片设置于所述PCB上,并位于所述第一腔室内,所述第一ASIC芯片和所述第一MEMS芯片连接;所述第二ASIC埋设于所述PCB内层,所述第二MEMS芯片设置于所述PCB上,并位于所述第一腔室内,所述第二ASIC芯片和所述第二MEMS芯片连接。本发明提供的组合传感器具有多种感测功能,且装配难度低,尺寸小,适用于具有小型化需求的电子设备。

    防水膜结构及防水膜结构的制备方法

    公开(公告)号:CN115720422A

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202211460451.4

    申请日:2022-11-17

    Abstract: 本发明公开了一种防水膜结构及防水膜结构的制备方法。所述防水膜结构包括基底层和导电加强层。所述导电加强层呈平铺的网状,所述导电加强层嵌设于所述基底层中,使得所述防水膜结构的网孔面积范围为10000平方微米至80000平方微米,所述防水膜结构的厚度范围为20微米至200微米。本发明的一个技术效果在于,通过将导电加强层嵌设于基底层中,能够在利用导电加强层支撑基底层以提高防水膜结构的总体强度,从而便于防水膜结构的贴设的同时,也能够利用导电加强层中的导电材料保证防水膜结构的导电性能。

    组合传感器和电子设备
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113551707A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110821897.4

    申请日:2021-07-19

    Inventor: 闫文明 方华斌

    Abstract: 本发明公开一种组合传感器和电子设备。其中,组合传感器包括封装壳体、气压传感器、声学传感器以及防护板组件和防水透气膜。所述封装壳体形成有容纳腔,所述封装壳体设有连通所述容纳腔与外界环境的开口;所述气压传感器和所述声学传感器安装于所述容纳腔内;所述防水透气膜贴设于所述防护板组件,并与所述防护板组件封盖在所述开口处,所述防护板组件开设有过孔,所述过孔被配置为允许外界环境的声音和气流进入所述容纳腔内。本发明技术方案的组合传感器可以提高整体的防水设计的可靠性。

    传感器、电子产品及制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119880010A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411931032.3

    申请日:2024-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种传感器、电子产品及制备方法,传感器包括:基板;壳体,所述壳体包括遮挡区域和非遮挡区域;绝缘层,所述绝缘层设在所述壳体的所述非遮挡区域上,所述壳体去除所述遮挡区域的遮挡件后设在所述基板上,以使所述基板与所述壳体电连接,所述壳体与所述基板配合限定出容纳腔,所述壳体能够通过所述绝缘层与电子产品的外壳连接。本发明的传感器,在传感器的壳体上的遮挡区域进行遮挡,然后,在壳体的非遮挡区域上设置绝缘层,有效隔绝传感器和电子产品的外壳,防止传感器的壳体与电子产品的外壳直接接触,避免电偶腐蚀的发生,防止电子产品损伤或失效。

    传感器、电子产品及制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119737988A

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN202411933043.5

    申请日:2024-12-25

    Abstract: 本发明公开了一种传感器、电子产品及制备方法,传感器包括:基板;壳体,所述壳体设在所述基板上,所述基板与所述壳体电连接,所述壳体与所述基板配合限定出容纳腔;防护层,所述防护层设在所述壳体上,所述防护层为光敏树脂与导电介质的混合材料,所述壳体能够通过所述防护层与电子产品的外壳连接。本发明的传感器,通过在传感器的壳体上设置一层由光敏树脂和导电介质组成的防护层,防护层在紫外光照射下,能够形成交联固化的低聚物,使防护层绝缘,并牢牢贴合在壳体的表面,有效隔绝传感器和电子产品的外壳,防止传感器的壳体与电子产品的外壳直接接触,避免电偶腐蚀的发生,防止电子产品损伤或失效。

    组合传感器及智能可穿戴设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118574067A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410618260.9

    申请日:2024-05-17

    Abstract: 本发明提供一种组合传感器及智能可穿戴设备,属于组合传感器技术领域,组合传感器包括载板和分别安装于载板两侧的外壳和基板,载板与外壳配合形成有容纳腔,容纳腔内设置有MEMS芯片,组合传感器还包括与MEMS芯片信号连接的ASIC芯片,载板与基板配合形成有声腔,声腔内还设置有防水膜,防水膜将声腔分隔为第一腔和第二腔,载板上设置有连通容纳腔和第一腔的声孔,基板上形成有连通第二腔和外界的进气孔。本发明设计出的防水膜的有效面积是可以远远大于直接贴附在声孔的防水膜的有效面积的,而防水膜的有效面积越大,振动传声的效果越好,有利于降低声损,提高产品性能。

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