公开(公告)号：CN104979279B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201510162184.6

申请日：2015-04-07

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： A·C-H·魏 ,  G·布赫 ,  M·A·扎勒斯基 ,  T·G·尼奥吉 ,  J·E·史蒂芬斯 ,  桂宗郁 ,  J·曾

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及二维自对准的晶体管接触，其中，本发明的具体实施例提供改良型半导体结构及制造方法，其提供二维自对准的晶体管接触。使用的是两个各由不同材料构成的不同覆盖层。这两个覆盖层互为可选择性蚀刻。一覆盖层用于栅极覆盖，而另一覆盖层用于源极/漏极覆盖。选择性蚀刻程序使所需的栅极和源极/漏极敞开，而阻隔掩模则用于覆盖并非连接架构任何部分的元件。金属化线件(层件)经沉积而与敞开的元件接触，以在两者之间提供电连接性。

公开(公告)号：CN104979279A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510162184.6

申请日：2015-04-07

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： A·C-H·魏 ,  G·布赫 ,  M·A·扎勒斯基 ,  T·G·尼奥吉 ,  J·E·史蒂芬斯 ,  桂宗郁 ,  J·曾

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及二维自对准的晶体管接触，其中，本发明的具体实施例提供改良型半导体结构及制造方法，其提供二维自对准的晶体管接触。使用的是两个各由不同材料构成的不同覆盖层。这两个覆盖层互为可选择性蚀刻。一覆盖层用于栅极覆盖，而另一覆盖层用于源极/漏极覆盖。选择性蚀刻程序使所需的栅极和源极/漏极敞开，而阻隔掩模则用于覆盖并非连接架构任何部分的元件。金属化线件(层件)经沉积而与敞开的元件接触，以在两者之间提供电连接性。