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公开(公告)号:CN110880454B
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN201910767047.3
申请日:2019-08-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L29/78 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚烯烃系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上;一体化工序,对该聚烯烃系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化;分割工序,使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置,沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,对该聚烯烃系片赋予超声波,将器件芯片上推而拾取该器件芯片。
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公开(公告)号:CN111293081B
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN201911180494.5
申请日:2019-11-27
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚酯系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上;一体化工序,对该聚酯系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化;分割工序,沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束,形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,对该聚酯系片进行加热,并将器件芯片顶起,从该聚酯系片拾取该器件芯片。
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公开(公告)号:CN116330072A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202211631685.0
申请日:2022-12-19
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor: 松泽稔
Abstract: 本发明提供治具、安装方法和拆卸方法,缓和对安装座的冲击。在加工装置中将加工工具安装于安装座时利用治具,加工装置具有:卡盘工作台,其具有对被加工物进行保持的保持面;主轴,其配置于比保持面靠上方的位置,在前端部固定有安装座;台座部,其配置于卡盘工作台的周围,治具具有:第1支承部,其能够支承加工工具;第2支承部,其位于比第1支承部靠下方的位置,被台座部支承;主体部,其配置于第1、第2支承部之间,主体部具有:气囊部,其通过气体的注入而膨胀,通过气体的排出而收缩;注入口,其向气囊部注入气体;排出口,其从气囊部排出气体,在利用第1支承部支承加工工具的状态下使气囊部膨胀而按照接近安装座的方式使加工工具移动。
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公开(公告)号:CN116276399A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202211639308.1
申请日:2022-12-19
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供磨削装置、非暂时性的记录介质以及磨削装置的控制方法,能够防止操作者忘记执行自磨。磨削装置包含:控制单元,其具有处理装置和存储装置,按照存储于存储装置的程序对卡盘工作台、磨削单元以及移动机构进行控制;以及输入装置,其向控制单元输入指令,程序使控制单元执行如下的步骤:在从输入装置向控制单元输入了停止磨削装置的运转的指令之后,使磨削装置的运转停止;以及在从输入装置向控制单元输入了停止磨削装置的运转的指令之后且在使磨削装置的运转停止的步骤结束之前,通过磨削磨轮对保持面进行磨削。
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公开(公告)号:CN111916395A
公开(公告)日:2020-11-10
申请号:CN202010337607.4
申请日:2020-04-26
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚酯系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上;一体化工序,对该聚酯系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化;分割工序,沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束,在该晶片中形成改质层,将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,对该聚酯系片进行加热,将器件芯片顶起,拾取该器件芯片。
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公开(公告)号:CN111668160A
公开(公告)日:2020-09-15
申请号:CN202010138245.6
申请日:2020-03-03
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚酯系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上;一体化工序,对该聚酯系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化;分割工序,沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束,在该晶片中形成改质层,将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。
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公开(公告)号:CN111668147A
公开(公告)日:2020-09-15
申请号:CN202010138158.0
申请日:2020-03-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚烯烃系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上;一体化工序,对该聚烯烃系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化;分割工序,沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束,在该晶片中形成改质层,将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。
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公开(公告)号:CN111446208A
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN202010004224.5
申请日:2020-01-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚烯烃系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上;一体化工序,对该聚烯烃系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化;分割工序,沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束,形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,对该聚烯烃系片进行冷却,将器件芯片顶起,拾取该器件芯片。
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公开(公告)号:CN111146115A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201911064932.1
申请日:2019-11-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚烯烃系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上;一体化工序,对该聚烯烃系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化;分割工序,沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束,形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,吹送空气而将器件芯片顶起,从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。
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公开(公告)号:CN111063607A
公开(公告)日:2020-04-24
申请号:CN201910966765.3
申请日:2019-10-12
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚烯烃系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上;一体化工序,对该聚烯烃系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化;分割工序,沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束,形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。
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