公开(公告)号：CN110880454B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910767047.3

申请日：2019-08-20

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/304 ,  H01L29/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片赋予超声波，将器件芯片上推而拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN111293081B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201911180494.5

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，并将器件芯片顶起，从该聚酯系片拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN111916395A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010337607.4

申请日：2020-04-26

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN111668160A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010138245.6

申请日：2020-03-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。

公开(公告)号：CN111668147A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010138158.0

申请日：2020-03-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。

公开(公告)号：CN111446208A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010004224.5

申请日：2020-01-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN111146115A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911064932.1

申请日：2019-11-04

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片顶起，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。

公开(公告)号：CN111063607A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910966765.3

申请日：2019-10-12

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。

公开(公告)号：CN110880454A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910767047.3

申请日：2019-08-20

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/304 ,  H01L29/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片赋予超声波，将器件芯片上推而拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN110808226B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910650037.1

申请日：2019-07-18

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行冷却，将器件芯片上推而拾取该器件芯片。