公开(公告)号：CN111063631B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN201910972930.6

申请日：2019-10-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 木内逸人

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，即使通过衬底对晶片进行支承而对晶片的背面进行加工，也不会使器件的品质降低。根据本发明，提供晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：晶片配设工序，在直径为晶片(10)的直径以上的衬底(18)的上表面上配设直径小于晶片的剥离层(16)，并且将直径为晶片的直径以上的聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片材(14)隔着剥离层(16)而铺设在衬底(18)的上表面上，将晶片的正面(10a)定位于片材(14)的上表面而进行配设；片材热压接工序，在密闭环境内对隔着片材而配设于衬底的晶片进行减压并对片材进行加热，并且对晶片进行按压而隔着片材(14)将晶片热压接在衬底上；加工工序，对晶片的背面(10b)实施加工；以及剥离工序，将晶片从片材(14)剥离。

公开(公告)号：CN110880454B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910767047.3

申请日：2019-08-20

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/304 ,  H01L29/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片赋予超声波，将器件芯片上推而拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN111293081B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201911180494.5

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，并将器件芯片顶起，从该聚酯系片拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN113964074A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110812287.8

申请日：2021-07-19

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 木内逸人 ,  大室喜洋 ,  樱井孝寿 ,  堀真一郎

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供载体板的去除方法，能够容易地将载体板从工件去除。载体板的去除方法从借助临时粘接层而设置在载体板的正面上的工件将载体板去除，该方法包含如下的工序：阶梯差部形成工序，从设置有工件的正面侧沿着载体板的外周缘对载体板的外周部进行加工，形成载体板的背面侧比载体板的正面侧向侧方突出的阶梯差部；粘贴工序，在工件的在与载体板相反的一侧露出的正面上粘贴粘接带，并且将粘接带的外周部粘贴在环状的框架上；保持工序，在将工件定位于载体板的上方的状态下利用保持单元隔着粘接带对工件从上方进行保持；和载体板去除工序，利用推压部件对阶梯差部施加朝下的力而使载体板向远离工件的方向移动，将载体板从工件去除。

公开(公告)号：CN111916395A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010337607.4

申请日：2020-04-26

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN111668160A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010138245.6

申请日：2020-03-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。

公开(公告)号：CN111668147A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010138158.0

申请日：2020-03-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。

公开(公告)号：CN111446208A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010004224.5

申请日：2020-01-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN111180390A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911068976.1

申请日：2019-11-05

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 淀良彰 ,  木内逸人

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供板状物加工方法，即使在一边对晶片或CSP基板等板状物的正面进行保护一边进行分割的情况下，也不会使生产效率劣化。该板状物加工方法至少包含如下的工序：支承部件配设工序，在被加工物(10)的背面(10b)上配设支承部件；片配设工序，在该支承部件配设工序之前或之后，在被加工物的正面(10a)上敷设热压接片(20)并进行加热而进行热压接；分割工序，将分割单元定位于要分割的区域而将被加工物与热压接片一起分割成各个芯片；一体化工序，对与各个芯片对应地被分割的热压接片(20)进行加热，使该热压接片熔融，将在分割工序中被分割的热压接片(20)连结而进行一体化；以及剥离工序，将一体化的热压接片(20)从被加工物(10)剥离。

公开(公告)号：CN111146115A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911064932.1

申请日：2019-11-04

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片顶起，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。