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公开(公告)号：CN110690172B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910513486.1
申请日：2019-06-14
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤：第1激光加工步骤，沿着分割预定线仅对芯片区域照射具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束，形成沿着芯片区域的分割预定线的第1改质层；第2激光加工步骤，沿着芯片区域与外周剩余区域的边界照射具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束，形成沿着该边界的第2改质层；以及分割步骤，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片，在分割步骤中，赋予超声波振动而将被加工物分割成各个芯片。
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公开(公告)号：CN110808226B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910650037.1
申请日：2019-07-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行冷却，将器件芯片上推而拾取该器件芯片。
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公开(公告)号：CN109300827B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201810795006.0
申请日：2018-07-19
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种芯片的制造方法，其能够在不使用扩展片的情况下对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。本发明的芯片的制造方法包括：激光加工步骤，沿着分割预定线仅对芯片区域照射具有对于被加工物来说为透过性的波长的激光束，沿着芯片区域的分割预定线形成改质层，并且将外周剩余区域作为未形成改质层的增强部；以及分割步骤，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片，在分割步骤中，赋予超声波振动而将被加工物分割成各个芯片。
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公开(公告)号：CN110571133B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201910479952.9
申请日：2019-06-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片上推，从该聚酯系片拾取该器件芯片。
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公开(公告)号：CN110491783B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910375340.5
申请日：2019-05-07
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/301
Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110880479B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201910766972.4
申请日：2019-08-20
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片赋予超声波，将器件芯片上推而拾取该器件芯片。
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公开(公告)号：CN108987270B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201810547869.6
申请日：2018-05-31
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供扩展方法和扩展装置，能够可靠地维持芯片间隔。该扩展方法具有如下步骤：环状框架保持步骤，利用保持构件对环状框架进行保持；扩展步骤，在保持环状框架的状态下对扩展片进行扩展；吸引保持步骤，在对扩展片进行了扩展的状态下，利用保持工作台隔着扩展片对晶片进行吸引保持；以及按压解除步骤，在实施了吸引保持步骤之后，解除顶起部的按压，由于在保持工作台的外周侧形成有防止扩展片收缩的微小突起部，因此在实施按压解除步骤时，不必担心扩展片收缩而导致从吸引保持面泄漏吸引力，从而能够可靠地维持相邻的芯片的间隔。
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公开(公告)号：CN108987339B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201810527430.7
申请日：2018-05-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
Abstract: 提供芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤：激光加工步骤，沿着分割预定线仅对芯片区域照射对于硅晶片具有透过性的波长的激光束，沿着芯片区域的分割预定线形成改质层，并且将外周剩余区域作为未形成改质层的加强部；以及分割步骤，对硅晶片赋予力而将硅晶片分割成各个芯片，在分割步骤中，通过一次的冷却或加热来赋予力而将硅晶片分割成各个芯片。
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公开(公告)号：CN111446208B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202010004224.5
申请日：2020-01-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
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公开(公告)号：CN111180390B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201911068976.1
申请日：2019-11-05
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供板状物加工方法，即使在一边对晶片或CSP基板等板状物的正面进行保护一边进行分割的情况下，也不会使生产效率劣化。该板状物加工方法至少包含如下的工序：支承部件配设工序，在被加工物(10)的背面(10b)上配设支承部件；片配设工序，在该支承部件配设工序之前或之后，在被加工物的正面(10a)上敷设热压接片(20)并进行加热而进行热压接；分割工序，将分割单元定位于要分割的区域而将被加工物与热压接片一起分割成各个芯片；一体化工序，对与各个芯片对应地被分割的热压接片(20)进行加热，使该热压接片熔融，将在分割工序中被分割的热压接片(20)连结而进行一体化；以及剥离工序，将一体化的热压接片(20)从被加工物(10)剥离。
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