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公开(公告)号：CN110808226B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910650037.1
申请日：2019-07-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行冷却，将器件芯片上推而拾取该器件芯片。
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公开(公告)号：CN110571133B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201910479952.9
申请日：2019-06-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片上推，从该聚酯系片拾取该器件芯片。
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公开(公告)号：CN110491783B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910375340.5
申请日：2019-05-07
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/301
Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。
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公开(公告)号：CN110880479B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201910766972.4
申请日：2019-08-20
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片赋予超声波，将器件芯片上推而拾取该器件芯片。
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公开(公告)号：CN111446208B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202010004224.5
申请日：2020-01-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115990952A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211251474.4
申请日：2022-10-13
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供基准标记形成方法，能够不使用光致抗蚀剂和掩模而在晶片上容易地形成基准标记。基准标记形成方法包含如下的工序：加工装置准备工序；保持工序，利用卡盘工作台对晶片(38)进行保持；中心坐标计算工序，利用拍摄单元拍摄晶片(38)的外周的至少三处而求出晶片(38)的中心坐标；晶片坐标轴设定工序，将连结中心坐标与方位标记(40)的轴设为晶片(38)的y坐标轴，将通过中心坐标且与y坐标轴垂直的轴设为晶片(38)的x坐标轴；基准标记坐标设定工序，设定形成基准标记(46)的位置的坐标；以及基准标记形成工序，将加工单元(6)定位于在基准标记坐标设定工序中设定的坐标处而形成基准标记(46)。
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公开(公告)号：CN114446875A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111233177.2
申请日：2021-10-22
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 大前卷子
IPC: H01L21/78 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供标准晶片对应托盘的制造方法，能够适当处理比处理装置所对应的标准晶片小的晶片。该方法包含：准备工序，准备形状与标准晶片相同的板状物；保持工序，将板状物保持于能够旋转且能够直线移动的卡盘工作台上；环状凹部加工工序，将旋转的切削刀具定位于板状物的上表面并切入规定深度，使卡盘工作台旋转而形成环状槽，将切削刀具在卡盘工作台的径向上进行分度进给，形成具有与要收纳的晶片(4)的直径对应的直径的环状凹部；和直线槽加工工序，将切削刀具定位于板状物的未加工区域并按照与环状凹部相同的深度切入，使卡盘工作台直线移动而形成直线槽，将切削刀具进行分度进给而形成直线槽，将未加工区域形成为与环状凹部相同的深度。
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公开(公告)号：CN113380612A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110249737.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 大前卷子
IPC: H01L21/304 , H01L23/544 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供标记方法，不产生由隆起或碎屑等引起的污染。对晶片进行的标记方法包含如下工序：切削装置准备工序，准备切削装置(1)；标识信息登记工序，将应标记的标识的信息登记在该控制单元中；位置确定工序，将晶片(10)保持在卡盘工作台(38)上，利用拍摄单元(28)对晶片进行拍摄并显示在显示单元(2)上，通过X坐标、Y坐标来确定晶片的应标记的期望位置；和标记工序，根据在该位置确定工序中确定的期望位置的X坐标、Y坐标，控制单元(100)使X轴进给单元(40)和Y轴进给单元(50)进行动作而将切削刀具(21)定位于该期望位置，并且使Z轴进给单元(60)进行动作而利用切削刀具进行标记。
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公开(公告)号：CN112687532A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011013365.X
申请日：2020-09-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/683 , B23K26/362
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
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公开(公告)号：CN112652525A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010994199.X
申请日：2020-09-21
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/683 , B23K26/362
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行加热，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。
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