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公开(公告)号：CN100346008C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN02827689.2
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , B23H3/10 , H01L21/3063 , B01J49/00
Abstract: 一种用于再生离子交换剂的方法与设备，该方法与设备能够方便、快速地再生一种离子交换剂，并能够使清洗该已再生的离子交换剂以及处理废液时的负荷最小。一种用于再生被污染的离子交换剂的方法包括：提供由一个再生电极与一个反电极构成的一对电极、放置在这些电极之间的一个隔板以及放置在该反电极与该隔板之间的一个要被再生的电极；以及将电压加到该再生电极与该反电极之间，与此同时，将液体供应到该隔板与该再生电极之间，而且也将液体供应到该隔板与该反电极之间。
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公开(公告)号：CN100449705C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN02802116.9
申请日：2002-02-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6723 , B23H5/08 , C25F7/00 , H01L21/6708 , H01L21/67173
Abstract: 提供一种电解处理装置，包括：与工件接触或靠近的处理电极；用于向工件供电的馈送电极；离子交换器，设置在工件和处理电极之间以及工件和馈送电极之间的空间的至少之一中；用于在处理电极和馈送电极之间施加电压的电源；和液体输送部件，用于向工件与处理电极和馈送电极中的至少一个之间的空间输送液体，所述离子交换器存在于其中。还提供一种具有该电解处理装置的衬底处理设备。
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公开(公告)号：CN100419968C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200380110641.2
申请日：2003-10-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02087 , B08B3/02 , H01L21/02068 , H01L21/32134 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/67075 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，适合应用于对形成在基板的边缘部的薄膜进行腐蚀的腐蚀装置等，还适合应用于在腐蚀处理后对基板进行清洗处理的清洗装置等。用于进行腐蚀的基板处理装置，具有：基板保持部(11)，使基板(W)保持大致水平并旋转；以及处理液供给部(15)，在旋转的基板(W)的边缘部以处理液相对于基板(W)静止的方式供给该处理液。此外，对基板进行清洗的基板处理装置，具有：基板保持部(54)，使基板W保持大致水平并旋转；以及清洗液供给部(53)，从基板(W)中心朝向边缘部、且与基板(W)的表面成45。以下的仰角开口设置清洗液喷出(53a)，以0.1m/s以上的流速向基板(W)的表面供给清洗液(L)。
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公开(公告)号：CN1617955A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02827689.2
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , B23H3/10 , H01L21/3063 , B01J49/00
Abstract: 一种用于再生离子交换剂的方法与设备，该方法与设备能够方便、快速地再生一种离子交换剂，并能够使清洗该已再生的离子交换剂以及处理废液时的负荷最小。一种用于再生被污染的离子交换剂的方法包括：提供由一个再生电极与一个反电极构成的一对电极、放置在这些电极之间的一个隔板以及放置在该反电极与该隔板之间的一个要被再生的电极；以及将电压加到该再生电极与该反电极之间，与此同时，将液体供应到该隔板与该再生电极之间，而且也将液体供应到该隔板与该反电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1879199A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200380110641.2
申请日：2003-10-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02087 , B08B3/02 , H01L21/02068 , H01L21/32134 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/67075 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，适合应用于对形成在基板的边缘部的薄膜进行腐蚀的腐蚀装置等，还适合应用于在腐蚀处理后对基板进行清洗处理的清洗装置等。用于进行腐蚀的基板处理装置，具有：基板保持部(11)，使基板(W)保持大致水平并旋转；以及处理液供给部(15)，在旋转的基板(W)的边缘部以处理液相对于基板(W)静止的方式供给该处理液。此外，对基板进行清洗的基板处理装置，具有：基板保持部(54)，使基板W保持大致水平并旋转；以及清洗液供给部(53)，从基板(W)中心朝向边缘部、且与基板(W)的表面成45°以下的仰角开口设置清洗液喷出口(53a)，以0.1m/s以上的流速向基板(W)的表面供给清洗液(L)。
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公开(公告)号：CN1547759A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02816766.X
申请日：2002-09-03
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67051
Abstract: 本发明涉及一种基片处理装置，包括一个用于支撑基片并使之转动的卡盘组件，一个其中放置有卡盘组件的可关闭的腔体，以及一个向腔体引入一种气体的气体引入装置。该基片处理装置还包括一个蚀刻部件，该蚀刻部件在卡盘组件使基片转动的同时蚀刻并清洁基片的周边部分，以及一个向蚀刻部件提供第一种液体的第一供给管道。
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公开(公告)号：CN101168847A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710148276.4
申请日：2007-09-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/16 , H01L21/3063 , H01L21/465
Abstract: 一种用于电解抛光的电解液，在施加低电压时其可以提供具有高平整特性的加工表面，同时保证对导电材料的较高的加工速率，并且可以去除不必要的导电材料并暴露阻挡膜，而不导致碟陷、过蚀或阻挡膜和金属(导电材料)之间的界面处的蚀刻。用于工件的表面导电材料的电解抛光的电解液由水溶液构成，其包括至少一种有机酸或其盐、至少一种具有磺酸基的强酸、缓蚀剂和水溶性聚合物化合物。
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公开(公告)号：CN100343946C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN02816766.X
申请日：2002-09-03
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67051
Abstract: 本发明涉及一种基片处理装置，包括一个用于支撑基片并使之转动的卡盘组件，一个其中放置有卡盘组件的可关闭的腔体，以及一个向腔体引入一种气体的气体引入装置。该基片处理装置还包括一个蚀刻部件，该蚀刻部件在卡盘组件使基片转动的同时蚀刻并清洁基片的周边部分，以及一个向蚀刻部件提供第一种液体的第一供给管道。
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公开(公告)号：CN1463467A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02802116.9
申请日：2002-02-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6723 , B23H5/08 , C25F7/00 , H01L21/6708 , H01L21/67173
Abstract: 提供一种电解处理装置，包括：与工件接触或靠近的处理电极；用于向工件供电的馈送电极；离子交换器，设置在工件和处理电极之间以及工件和馈送电极之间的空间的至少之一中；用于在处理电极和馈送电极之间施加电压的电源；和液体输送部件，用于向工件与处理电极和馈送电极中的至少一个之间的空间输送液体，所述离子交换器存在于其中。还提供一种具有该电解处理装置的衬底处理设备。
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