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公开(公告)号：CN100346008C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN02827689.2
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , B23H3/10 , H01L21/3063 , B01J49/00
Abstract: 一种用于再生离子交换剂的方法与设备，该方法与设备能够方便、快速地再生一种离子交换剂，并能够使清洗该已再生的离子交换剂以及处理废液时的负荷最小。一种用于再生被污染的离子交换剂的方法包括：提供由一个再生电极与一个反电极构成的一对电极、放置在这些电极之间的一个隔板以及放置在该反电极与该隔板之间的一个要被再生的电极；以及将电压加到该再生电极与该反电极之间，与此同时，将液体供应到该隔板与该再生电极之间，而且也将液体供应到该隔板与该反电极之间。
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公开(公告)号：CN1833314A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022684.X
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法，用于执行化学液体处理、清洗处理、干燥处理或类似处理，同时旋转基片，例如半导体晶片或液晶基片。本发明还涉及用于固定和旋转基片的基片固定装置。该基片处理装置(1)用于处理基片(W)并同时向基片(W)提供流体，包括：基片固定器(11)，用于固定和旋转基片(W)；和固定器抽吸单元(24)，用于从基片固定器(11)抽吸流体。该基片固定装置包括：多个压辊(20)，与基片(W)的边缘部分接触，从而固定和旋转基片(W)；和至少一个移动机构(303a)，用于移动压辊(20)。
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公开(公告)号：CN100449705C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN02802116.9
申请日：2002-02-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6723 , B23H5/08 , C25F7/00 , H01L21/6708 , H01L21/67173
Abstract: 提供一种电解处理装置，包括：与工件接触或靠近的处理电极；用于向工件供电的馈送电极；离子交换器，设置在工件和处理电极之间以及工件和馈送电极之间的空间的至少之一中；用于在处理电极和馈送电极之间施加电压的电源；和液体输送部件，用于向工件与处理电极和馈送电极中的至少一个之间的空间输送液体，所述离子交换器存在于其中。还提供一种具有该电解处理装置的衬底处理设备。
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公开(公告)号：CN1136155C
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN99804317.6
申请日：1999-03-19
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C02F1/4695 , B01D61/48 , B01J47/08 , C02F2201/46115 , C02F2201/46185 , Y02A20/134
Abstract: 本发明的目的是提供一种可用其很高效地稳定将其类型包括从高离子浓度水到低离子浓度水的各种给水进行去离子处理的去离子电气装置。至少一部分的阳离子交换膜和阴离子交换膜交替地布置在电极之间并从而形成了交替排列的去离子室和浓缩室，在所述去离子室中装有由阳离子交换纤维构成的且放置在阳离子交换膜侧的纺布或无纺布，所述纺布或无纺布与放置在阴离子交换膜侧的且由阴离子交换纤维构成的纺布或无纺布是面对面放置的，而在位于两种纺布或无纺布之间的给水通道中装了一种具有离子交换能力的导离子间隔材料。
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公开(公告)号：CN100442448C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200480022684.X
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法，用于执行化学液体处理、清洗处理、干燥处理或类似处理，同时旋转基片，例如半导体晶片或液晶基片。本发明还涉及用于固定和旋转基片的基片固定装置。该基片处理装置(1)用于处理基片(W)并同时向基片(W)提供流体，包括：基片固定器(11)，用于固定和旋转基片(W)；和固定器抽吸单元(24)，用于从基片固定器(11)抽吸流体。该基片固定装置包括：多个压辊(20)，与基片(W)的边缘部分接触，从而固定和旋转基片(W)；和至少一个移动机构(303a)，用于移动压辊(20)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1617955A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02827689.2
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , B23H3/10 , H01L21/3063 , B01J49/00
Abstract: 一种用于再生离子交换剂的方法与设备，该方法与设备能够方便、快速地再生一种离子交换剂，并能够使清洗该已再生的离子交换剂以及处理废液时的负荷最小。一种用于再生被污染的离子交换剂的方法包括：提供由一个再生电极与一个反电极构成的一对电极、放置在这些电极之间的一个隔板以及放置在该反电极与该隔板之间的一个要被再生的电极；以及将电压加到该再生电极与该反电极之间，与此同时，将液体供应到该隔板与该再生电极之间，而且也将液体供应到该隔板与该反电极之间。
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公开(公告)号：CN1380447A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02102704.8
申请日：2002-01-23
IPC: C25F1/02
Abstract: 一种电化学加工设备,包括:一个加工室,用来容纳超纯净水;一个阴极/阳极,浸在加工室内的超纯净水中;以及一个工件保持器,用来将工件保持在距离阴极/阳极的一个预定距离上,使工件的加工表面与超纯净水相接触。这种电化学加工设备还包括:一个阳极/阴极接触面,与被工件保持器所保持的工件相接触,从而,工件起阳极/阴极的作用;一种催化剂,具有强碱性阴离子交换功能或强酸性阳离子交换功能;一个电源,用来在阴极/阳极与工件之间施加一个电压;以及一个运动机构,用来使工件和催化剂实现相对运动。催化剂是设置在阴极/阳极与被工件保持器所保持的工件之间。
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公开(公告)号：CN101383271A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810166711.0
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法，用于执行化学液体处理、清洗处理、干燥处理或类似处理，同时旋转基片，例如半导体晶片或液晶基片。本发明还涉及用于固定和旋转基片的基片固定装置。该基片处理装置(1)用于处理基片(W)并同时向基片(W)提供流体，包括：基片固定器(11)，用于固定和旋转基片(W)；和固定器抽吸单元(24)，用于从基片固定器(11)抽吸流体。该基片固定装置包括：多个压辊(20)，与基片(W)的边缘部分接触，从而固定和旋转基片(W)；和至少一个移动机构(303a)，用于移动压辊(20)。
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公开(公告)号：CN1313648C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN02102704.8
申请日：2002-01-23
Abstract: 一种电化学加工设备，包括：一个加工室，用来容纳超纯净水；一个阴极/阳极，浸在加工室内的超纯净水中；以及一个工件保持器，用来将工件保持在距离阴极/阳极的一个预定距离上，使工件的加工表面与超纯净水相接触。这种电化学加工设备还包括：一个阳极/阴极接触面，与被工件保持器所保持的工件相接触，从而，工件起阳极/阴极的作用；一种催化剂，具有强碱性阴离子交换功能或强酸性阳离子交换功能；一个电源，用来在阴极/阳极与工件之间施加一个电压；以及一个运动机构，用来使工件和催化剂实现相对运动。催化剂是设置在阴极/阳极与被工件保持器所保持的工件之间。
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公开(公告)号：CN1463467A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02802116.9
申请日：2002-02-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6723 , B23H5/08 , C25F7/00 , H01L21/6708 , H01L21/67173
Abstract: 提供一种电解处理装置，包括：与工件接触或靠近的处理电极；用于向工件供电的馈送电极；离子交换器，设置在工件和处理电极之间以及工件和馈送电极之间的空间的至少之一中；用于在处理电极和馈送电极之间施加电压的电源；和液体输送部件，用于向工件与处理电极和馈送电极中的至少一个之间的空间输送液体，所述离子交换器存在于其中。还提供一种具有该电解处理装置的衬底处理设备。
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