半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109690765B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN201780055573.6

    申请日:2017-09-07

    Abstract: 半导体装置(1)具备:半导体元件(2);支承体(3),是在最表面(35)具有金属化层(34)的金属部件,且配置为所述最表面与所述半导体元件相对置,所述金属化层(34)含有铁族元素即第一成分和铬以外的周期表第5族或第6族过渡金属元素即第二成分;接合件(4),配置在所述支承体的所述最表面与所述半导体元件之间,并设置为通过与所述最表面接合而将所述半导体元件固定于所述支承体;模塑树脂(6),设置为将所述支承体和所述接合件和所述半导体元件的接合体(S)覆盖。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109690765A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201780055573.6

    申请日:2017-09-07

    Abstract: 半导体装置(1)具备:半导体元件(2);支承体(3),是在最表面(35)具有金属化层(34)的金属部件,且配置为所述最表面与所述半导体元件相对置,所述金属化层(34)含有铁族元素即第一成分和铬以外的周期表第5族或第6族过渡金属元素即第二成分;接合件(4),配置在所述支承体的所述最表面与所述半导体元件之间,并设置为通过与所述最表面接合而将所述半导体元件固定于所述支承体;模塑树脂(6),设置为将所述支承体和所述接合件和所述半导体元件的接合体(S)覆盖。

    无电镀钯浴和无电镀钯方法

    公开(公告)号:CN101356299A

    公开(公告)日:2009-01-28

    申请号:CN200680035637.8

    申请日:2006-09-22

    Abstract: 本发明公开了包含钯化合物、至少一种选自氨和胺化合物的络合剂、至少一种选自次膦酸和亚膦酸盐的还原剂、和至少一种选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐和不饱和羧酸衍生物的不饱和羧酸化合物的无电镀钯浴。这种无电镀钯浴具有高的浴稳定性,并且几乎不会发生浴分解。因此,本发明的无电镀钯浴比传统的无电镀钯浴具有较长的浴寿命。此外,这种无电镀钯浴能够获得优异焊接结合性能和引线接合性能,因为即使当它使用了很长时间,它也不影响镀层的性能。

    无电镀金浴、无电镀金方法及电子部件

    公开(公告)号:CN101319319A

    公开(公告)日:2008-12-10

    申请号:CN200710307630.3

    申请日:2007-12-06

    CPC classification number: C23C18/44 C23C18/54

    Abstract: 一种含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛焦亚硫酸盐加合物、和一种由R1-NH-C2H4-NH-R2或R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4所表征的胺类化合物的无电镀金浴(其中R1至R4代表-OH、-CH3、-CH2OH、-C2H4OH、-CH2N(CH3)2、-CH2NH(CH2OH)、-CH2NH(C2H4OH)、-C2H4NH(CH2OH)、-C2H4NH(C2H4OH)、-CH2N(CH2OH)2、-CH2N(C2H4OH)2、-C2H4N(CH2OH)2或者-C2H4N(C2H4OH)2,且n是一个1到4的整数)。可形成外观良好的金镀层,而不会由于镍表面晶间腐蚀的进行而导致外观不良。

    无电解镀金浴的镀敷能力维持控制方法

    公开(公告)号:CN101275224A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200710305957.7

    申请日:2007-12-28

    Abstract: 是在将含有氰化金盐、络合剂、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物的无电解镀金浴保持在70-90℃的状态下稳定地维持控制上述无电解镀金浴的镀敷能力的方法,是将碱性氰化物、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第1补充成分定期地补充,还对由于镀敷处理消耗了金的镀浴,只补充氰化金盐、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第2补充成分的无电解镀金浴的镀敷能力维持控制方法。采用本发明的方法,不引起由于镍表面进行晶界侵蚀导致的外观不良,可长期、稳定地维持控制形成良好的被膜外观的镀金被膜的无电解镀金浴的镀敷能力,还可长期、稳定地维持控制由于镀敷处理消耗氰化金盐的无电解镀金浴。

    无电镀钯浴和无电镀钯方法

    公开(公告)号:CN103774127A

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201410049533.9

    申请日:2006-09-22

    Abstract: 本发明公开了包含钯化合物、至少一种选自氨和胺化合物的络合剂、至少一种选自次膦酸和亚膦酸盐的还原剂、和至少一种选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐和不饱和羧酸衍生物的不饱和羧酸化合物的无电镀钯浴。这种无电镀钯浴具有高的浴稳定性,并且几乎不会发生浴分解。因此,本发明的无电镀钯浴比传统的无电镀钯浴具有较长的浴寿命。此外,这种无电镀钯浴能够获得优异焊接结合性能和引线接合性能,因为即使当它使用了很长时间,它也不影响镀层的性能。

    无电镀钯浴和无电镀钯方法

    公开(公告)号:CN103774127B

    公开(公告)日:2016-02-24

    申请号:CN201410049533.9

    申请日:2006-09-22

    Abstract: 本发明公开了包含钯化合物、至少一种选自氨和胺化合物的络合剂、至少一种选自次膦酸和亚膦酸盐的还原剂、和至少一种选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐和不饱和羧酸衍生物的不饱和羧酸化合物的无电镀钯浴。这种无电镀钯浴具有高的浴稳定性,并且几乎不会发生浴分解。因此,本发明的无电镀钯浴比传统的无电镀钯浴具有较长的浴寿命。此外,这种无电镀钯浴能够获得优异焊接结合性能和引线接合性能,因为即使当它使用了很长时间,它也不影响镀层的性能。

    无电解镀金浴的镀敷能力维持控制方法

    公开(公告)号:CN101275224B

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN200710305957.7

    申请日:2007-12-28

    Abstract: 是在将含有氰化金盐、络合剂、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物的无电解镀金浴保持在70-90℃的状态下稳定地维持控制上述无电解镀金浴的镀敷能力的方法,是将碱性氰化物、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第1补充成分定期地补充,还对由于镀敷处理消耗了金的镀浴,只补充氰化金盐、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第2补充成分的无电解镀金浴的镀敷能力维持控制方法。采用本发明的方法,不引起由于镍表面进行晶界侵蚀导致的外观不良,可长期、稳定地维持控制形成良好的被膜外观的镀金被膜的无电解镀金浴的镀敷能力,还可长期、稳定地维持控制由于镀敷处理消耗氰化金盐的无电解镀金浴。

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