公开(公告)号：CN1574333A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410003884.2

申请日：2004-02-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 浅井孝祐 ,  飞松博 ,  川田宏幸 ,  泽田真人

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一个布线设置了一个与布线本体相连的替代布线，而该替代布线设有一个应力集中部，其中产生的张应力高于布线本体的张应力。在邻近应力集中部通过高密度等离子体CVD形成一个绝缘膜，后者在应力集中部产生张应力。采用这种结构，可以避免在布线本体内任何位置出现空洞。

公开(公告)号：CN1921084A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610121648.X

申请日：2006-08-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 泽田直人 ,  浅井孝祐 ,  宫河义弘 ,  村田龙纪

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明的目的在于提供氧化物薄膜的填充结构等，所述氧化物薄膜的填充结构可以利用经济和切实可行的方法，在无需增加RF偏置的情况下，在预定的凹陷部分中没有空隙的形成绝缘薄膜(氧化物薄膜)。根据第一发明，氧化物薄膜填充结构配置有具有凹陷部分(沟槽)的基底(硅衬底)和形成在所讨论凹陷部分中的氧化物薄膜(氧化硅薄膜)。此处，所讨论的氧化物薄膜至少部分包括富硅的氧化硅薄膜区域。