公开(公告)号：CN1510734A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310123140.X

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 宫河义弘

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76837

Abstract: 通过使在栅极电极彼此间形成的绝缘膜的状态处于良好，来得到可靠性高的半导体装置。首先，分别沿着多个栅极电极(30)和栅极绝缘膜(20)以及半导体基板(10)的表面形成绝缘膜(1)。接着，在绝缘膜(1)上形成与绝缘膜(1)不同的绝缘膜(2)。反复交替地进行形成前述绝缘膜(1)的工序和形成绝缘膜(2)的工序，直到由在绝缘膜(1)和绝缘膜(2)中最后形成的绝缘膜(N)的表面构成的凹部位于栅极电极(30)的上表面位置的上侧为止。最后，在绝缘膜(N)上形成绝缘膜(N+1)。

公开(公告)号：CN1921084A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610121648.X

申请日：2006-08-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 泽田直人 ,  浅井孝祐 ,  宫河义弘 ,  村田龙纪

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 本发明的目的在于提供氧化物薄膜的填充结构等，所述氧化物薄膜的填充结构可以利用经济和切实可行的方法，在无需增加RF偏置的情况下，在预定的凹陷部分中没有空隙的形成绝缘薄膜(氧化物薄膜)。根据第一发明，氧化物薄膜填充结构配置有具有凹陷部分(沟槽)的基底(硅衬底)和形成在所讨论凹陷部分中的氧化物薄膜(氧化硅薄膜)。此处，所讨论的氧化物薄膜至少部分包括富硅的氧化硅薄膜区域。