公开(公告)号：CN1574333A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410003884.2

申请日：2004-02-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 浅井孝祐 ,  飞松博 ,  川田宏幸 ,  泽田真人

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一个布线设置了一个与布线本体相连的替代布线，而该替代布线设有一个应力集中部，其中产生的张应力高于布线本体的张应力。在邻近应力集中部通过高密度等离子体CVD形成一个绝缘膜，后者在应力集中部产生张应力。采用这种结构，可以避免在布线本体内任何位置出现空洞。