公开(公告)号：CN101075577A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710101799.3

申请日：2007-05-15

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 二瀬卓也 ,  飞松博

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846

Abstract: 本发明提供如下的技术，此技术通过减小连接孔部分的电气特性的不均，可以提高半导体装置的可靠性以及制造良品率。将半导体晶圆SW放置在成膜装置的干洗处理用的腔室57所具有的晶圆载物台57a上后，供给还原气体，对半导体晶圆SW的主面进行干洗处理，接着，利用温度维持在180℃的喷头57c，在100至150℃的第1温度下，对半导体晶圆SW进行热处理。其次，将半导体晶圆SW从腔室57真空搬运到热处理用的腔室中后，在此热处理用的腔室中，以150至400℃的第2温度对半导体晶圆SW进行热处理，由此去除残留在半导体晶圆SW的主面上的生成物。

公开(公告)号：CN1574333A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410003884.2

申请日：2004-02-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 浅井孝祐 ,  飞松博 ,  川田宏幸 ,  泽田真人

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一个布线设置了一个与布线本体相连的替代布线，而该替代布线设有一个应力集中部，其中产生的张应力高于布线本体的张应力。在邻近应力集中部通过高密度等离子体CVD形成一个绝缘膜，后者在应力集中部产生张应力。采用这种结构，可以避免在布线本体内任何位置出现空洞。