公开(公告)号：CN101185162A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200580049934.3

申请日：2005-04-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐佐木敏夫 ,  安义彦 ,  森凉 ,  石桥孝一郎 ,  菅野雄介

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H03K19/00 ,  H03K19/003

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L27/11803

Abstract: 其目的在于谋求电源切断区的合理化。设置排列多个核心单元而构成的单元区域和与各上述单元区域相对应而配置的电源开关，分别以上述核心单元为单位形成多个电源切断区，在各上述电源切断区可通过与其对应的上述电源开关来切断电源。据此，能以上述核心单元为单位详细设定电源切断区，从而实现电源切断区的合理化。通过电源切断区的合理化来降低待机时的消耗电流。

公开(公告)号：CN101739117A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910222437.9

申请日：2009-11-13

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐佐木敏夫 ,  福冈一树 ,  森凉 ,  安义彦

IPC: G06F1/32

CPC classification number: H03K19/0016 ,  G06F1/3203 ,  G06F1/3287 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  Y02D10/171 ,  Y02D50/20 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件。本发明涉及在无需大大增加低功率消耗结构中的电路布局面积的情况下执行精细低电压控制。在将一区域转变到低速模式的情况中，系统控制器分别将请求信号和使能信号输出到功率开关控制器和低功率驱动电路，以关断功率开关并且执行控制使得虚拟参考电势的电压电平变成约0.2V至约0.3V。该区域在电源电压与虚拟参考电势之间的电压下操作，从而将它控制在低速模式中。

公开(公告)号：CN101276811A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810009410.7

申请日：2008-02-01

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐佐木敏夫 ,  安义彦 ,  仓石孝 ,  森凉

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L23/485

CPC classification number: G11C5/145 ,  G11C5/025 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件，使得有可能减小在半导体器件的芯区域中形成的电路进行操作的操作电压波动。这个半导体器件这样安排，以便将芯区域分成多个功能块，并且能针对各划分功能块供给电源，而且能中断这个电源。将在半导体芯片中形成的芯区域分成多个功能块。在划分功能块之间的边界中安排电源开关行，在该电源开关行中安排有多个电源开关。这些电源开关具有控制对各功能块供给参考电位和中断这个供给的功能。本发明的特征在于直接在电源开关行之上安排参考垫。这样使参考垫和电源开关耦合在一起的线缩短。

公开(公告)号：CN1741190A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510087600.7

申请日：2005-07-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 森凉 ,  山田利夫 ,  村谷哲也

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/418 ,  H01L27/11

CPC classification number: G11C11/412

Abstract: 本发明提供一种减小了漏电流的具有SRAM的半导体集成电路器件。在包括多个存储单元的SRAM中，提供衬底偏置切换电路，其中每个存储单元由存储器和选择MOSFET构成，在所述存储器中，两个反相器电路的输入端和输出端交叉连接，所述选择MOSFET设置在存储器和互补位线之间，并且其栅极连接到字线。在正常操作中，衬底偏置切换电路将电源电压提供给其中形成存储单元的P沟道MOSFET的N型阱，并将电路的地电位提供给其中形成N沟道MOSFET的P型阱。在备用状态下，衬底偏置切换电路将比电源电压低并且通过它使N型阱和P沟道MOSFET的源极之间的PN结不被正向偏置的预定电压提供给N型阱，并且将比地电位高并通过其使P型阱和N沟道MOSFET的源极之间的PN结不被正向偏置的预定电压提供给P型阱。