公开(公告)号：CN101739117A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910222437.9

申请日：2009-11-13

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 佐佐木敏夫 ,  福冈一树 ,  森凉 ,  安义彦

IPC: G06F1/32

CPC classification number: H03K19/0016 ,  G06F1/3203 ,  G06F1/3287 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/13091 ,  Y02D10/171 ,  Y02D50/20 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件。本发明涉及在无需大大增加低功率消耗结构中的电路布局面积的情况下执行精细低电压控制。在将一区域转变到低速模式的情况中，系统控制器分别将请求信号和使能信号输出到功率开关控制器和低功率驱动电路，以关断功率开关并且执行控制使得虚拟参考电势的电压电平变成约0.2V至约0.3V。该区域在电源电压与虚拟参考电势之间的电压下操作，从而将它控制在低速模式中。