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公开(公告)号：CN111601910B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201980006855.6
申请日：2019-06-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 本发明的真空处理装置进行等离子体处理，具有：电极凸缘，在腔室内与高频电源连接；簇射极板，具有与所述电极凸缘相对的第一面和与所述第一面相反侧的第二面，所述簇射极板与所述电极凸缘分离相对并与所述电极凸缘一同作为阴极；处理室，面向所述簇射极板的所述第二面，并且供被处理基板配置；和支撑轴，与所述簇射极板的所述第一面连接并支撑所述簇射极板。在所述簇射极板上形成有多个气体流路，该多个气体流路从所述电极凸缘与所述第一面之间的空间连通到所述处理室，并且具有规定的电导率，在所述支撑轴与所述簇射极板连接的部分，以所述电导率在所述簇射极板的面内方向上不发生变化的方式设置有沿所述支撑轴的轴向延伸的轴气体流路。
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公开(公告)号：CN113261078B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980087734.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明的真空处理装置是用于进行等离子体处理的真空处理装置。真空处理装置包括：连接到高频电源的电极凸缘；簇射极板，与所述电极凸缘隔开对置并与所述电极凸缘一起构成阴极；设置在所述簇射极板的周围的绝缘屏蔽；处理室，在所述簇射极板的与所述电极凸缘相反的一侧配置被处理基板；电极框，安装在所述电极凸缘的所述簇射极板侧；以及滑动板，安装在所述簇射极板的作为所述电极框侧的周缘部。所述电极框与所述滑动板对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够滑动，而且由所述簇射极板、所述电极凸缘和所述电极框包围的空间能够密封。所述簇射极板通过贯穿设置在所述簇射极板的周缘部的长孔的支撑部件而被支撑到所述电极框。所述长孔被形成为所述支撑部件对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够在所述长孔内相对移动。在所述长孔中设置有与所述长孔连通并供给吹扫气体的气孔。所述气孔与由所述簇射极板、所述电极凸缘、所述电极框和所述滑动板包围的空间连通。
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公开(公告)号：CN110073484B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201880004839.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明的升降销为与具有处理面及非处理面的基板接触的升降销，具备：中央部件，具备具有第一表面粗糙度及电绝缘部的第一面和作为导电性部件的主体，所述中央部件与所述基板的所述非处理面相对；和周围部件，具备具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度及电绝缘部的第二面，所述周围部件包围所述中央部件的周围且与所述基板的所述非处理面相对。
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公开(公告)号：CN112210765B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202010406402.7
申请日：2020-05-14
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明公开真空室及基板处理装置。真空室由多个块体沿基板的运送方向配置而构造，其中块体在从运送方向观察时具有环状的开口空间，真空室能够将通过连通多个块体的开口空间而形成的内部空间的气氛切换为大气压气氛和真空气氛，该真空室包括：作为多个块体之一的第一块体；作为多个块体之一的第二块体，具有沿与运送方向交叉的方向延伸且在开口空间的内侧下表面上形成的槽，第二块体通过密封部件连接固定到第一块体；基底部件，沿着槽的延伸方向延伸且嵌合到槽中；和多个基板支撑销，具有支撑端和固定端，支撑端与基板接触，固定端位于支撑端的相反侧且固定到基底部件，多个基板支撑销在真空室的内部支撑基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112563158A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010933390.3
申请日：2020-09-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , H01J37/32
Abstract: 本发明的真空处理装置具备电极框。电极框具有上板部、下板部和纵板部。上板部被安装在电极法兰上，在俯视中形成为框形状且具有上外侧区域。下板部具有与滑动板的一部分接触的接触面且与上板部平行延伸，在俯视中形成为框形状且具有下外侧区域。纵板部具有固定在上板部的上外侧区域的上固定端和固定在下板部的下外侧区域的下固定端，纵板部从下板部向上板部竖立设置，被固定在上板部与下板部之间，且厚度小于上板部和下板部的厚度。
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公开(公告)号：CN111834252A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010284602.X
申请日：2020-04-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明的基板处理装置，具备：多段收纳多张基板的卡匣；能够密闭地收纳所述卡匣的腔室；使所述卡匣在所述腔室内升降的升降机构；将所述基板相对于所述卡匣搬出搬入的搬运机器人；以及控制所述升降机构及所述搬运机器人的动作的控制部，在所述腔室的侧面部设置有在将所述基板搬入所述卡匣和从该卡匣搬出时开口的搬出搬入口，所述搬运机器人具备载置所述基板的机械臂，所述机械臂能够在水平方向上移动并从所述搬出搬入口插入所述卡匣内，且能够在所述卡匣内上升或下降，所述控制部在所述卡匣内使所述机械臂下降的情况下，通过所述升降机构使所述卡匣上升，在所述卡匣内使所述机械臂上升的情况下，通过所述升降机构使所述卡匣下降。
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公开(公告)号：CN109072423A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025519.7
申请日：2017-04-24
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的一个方式涉及的成膜用掩模具有一对第一板部和一对第二板部。上述一对第一板部具有一对第一内周缘部和一对第一外周缘部。上述一对第一内周缘部分别具有在第一轴向上相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第一弯曲部。上述一对第一外周缘部分别与上述一对第一内周缘部在上述第一轴向上相向。上述一对第二板部具有一对第二内周缘部和一对第二外周缘部。上述一对第二内周缘部分别具有在上述第二轴向上相向且朝向相互分离的方向呈凸形状的第二弯曲部。上述一对第二外周缘部分别与上述一对第二内周缘部在上述第二轴向上相向。
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公开(公告)号：CN113261390B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201980087725.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明的真空处理装置是用于进行等离子体处理的真空处理装置。真空处理装置包括：连接到高频电源的电极凸缘；簇射极板，与所述电极凸缘隔开对置并与所述电极凸缘一起构成阴极；设置在所述簇射极板的周围的绝缘屏蔽；处理室，在所述簇射极板的与所述电极凸缘相反的一侧配置被处理基板；电极框，安装在所述电极凸缘的所述簇射极板侧；以及滑动板，安装在所述簇射极板的作为所述电极框侧的周缘部。所述簇射极板被形成为具有大致矩形轮廓。所述电极框与所述滑动板对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够滑动，而且由所述簇射极板、所述电极凸缘和所述电极框包围的空间能够密封。所述电极框具有：安装于所述电极凸缘的框状的上板面部；纵板面部，从所述上板面部的轮廓外侧整周朝向所述簇射极板竖立设置；以及下板面部，从所述纵板面部的下端以与所述上板面部大致平行的方式朝向所述上板面部的轮廓内侧端延伸。
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公开(公告)号：CN112563158B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010933390.3
申请日：2020-09-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , H01J37/32
Abstract: 本发明的真空处理装置具备电极框。电极框具有上板部、下板部和纵板部。上板部被安装在电极法兰上，在俯视中形成为框形状且具有上外侧区域。下板部具有与滑动板的一部分接触的接触面且与上板部平行延伸，在俯视中形成为框形状且具有下外侧区域。纵板部具有固定在上板部的上外侧区域的上固定端和固定在下板部的下外侧区域的下固定端，纵板部从下板部向上板部竖立设置，被固定在上板部与下板部之间，且厚度小于上板部和下板部的厚度。
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