簇射板及等离子体处理装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116892017A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310357382.2

    申请日:2023-04-06

    Abstract: 本发明公开一种簇射板及等离子体处理装置。本发明的簇射板包括:等离子体形成表面、气体供给表面、多个气体流路、形成在所述等离子体形成表面上的多个空心阴极狭缝、以及配置在所述多个空心阴极狭缝各自的内部的多个气体喷出口。所述多个空心阴极狭缝以彼此不交叉的方式配置。在所述多个空心阴极狭缝各自的内部开口有所述多个气体流路。所述等离子体形成表面具有多个深度设定区域。在所述多个深度设定区域各自中被设定为在所述厚度方向上的所述多个空心阴极狭缝各自的深度变大。所述多个深度设定区域之中彼此邻接的两个深度设定区域之间的边界和所述多个空心阴极狭缝各自彼此不交叉。

    等离子体处理方法及等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN110832624B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN201880044714.9

    申请日:2018-06-21

    Abstract: 本发明提高生产率。等离子体处理包含将配置在真空容器内的基板支承台加热至第一温度。在所述基板支承台和与所述基板支承台对置的喷淋板之间使基于第一放电条件的第一等离子体产生,通过所述基板支承台具有的热以及所述第一等离子体加热所述喷淋板。以非接触的方式对所述喷淋板的温度进行监控。在所述喷淋板的温度达到比通过所述基板支承台的热加热的温度高的第二温度之后,从所述喷淋板向所述基板支承台喷射处理气体,在所述基板支承台与所述喷淋板之间使基于第二放电条件的第二等离子体产生,通过所述第二等离子体处理被所述基板支承台支承的基板。

    等离子体处理方法及等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN110832624A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201880044714.9

    申请日:2018-06-21

    Abstract: 本发明提高生产率。等离子体处理包含将配置在真空容器内的基板支承台加热至第一温度。在所述基板支承台和与所述基板支承台对置的喷淋板之间使基于第一放电条件的第一等离子体产生,通过所述基板支承台具有的热以及所述第一等离子体加热所述喷淋板。以非接触的方式对所述喷淋板的温度进行监控。在所述喷淋板的温度达到比通过所述基板支承台的热加热的温度高的第二温度之后,从所述喷淋板向所述基板支承台喷射处理气体,在所述基板支承台与所述喷淋板之间使基于第二放电条件的第二等离子体产生,通过所述第二等离子体处理被所述基板支承台支承的基板。

Patent Agency Ranking