公开(公告)号：CN111601910B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201980006855.6

申请日：2019-06-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山本良明 ,  神保洋介 ,  宮谷武尚 ,  江藤谦次 ,  阿部洋一

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的真空处理装置进行等离子体处理，具有：电极凸缘，在腔室内与高频电源连接；簇射极板，具有与所述电极凸缘相对的第一面和与所述第一面相反侧的第二面，所述簇射极板与所述电极凸缘分离相对并与所述电极凸缘一同作为阴极；处理室，面向所述簇射极板的所述第二面，并且供被处理基板配置；和支撑轴，与所述簇射极板的所述第一面连接并支撑所述簇射极板。在所述簇射极板上形成有多个气体流路，该多个气体流路从所述电极凸缘与所述第一面之间的空间连通到所述处理室，并且具有规定的电导率，在所述支撑轴与所述簇射极板连接的部分，以所述电导率在所述簇射极板的面内方向上不发生变化的方式设置有沿所述支撑轴的轴向延伸的轴气体流路。

公开(公告)号：CN111601910A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201980006855.6

申请日：2019-06-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山本良明 ,  神保洋介 ,  宮谷武尚 ,  江藤谦次 ,  阿部洋一

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的真空处理装置进行等离子体处理，具有：电极凸缘，在腔室内与高频电源连接；簇射极板，具有与所述电极凸缘相对的第一面和与所述第一面相反侧的第二面，所述簇射极板与所述电极凸缘分离相对并与所述电极凸缘一同作为阴极；处理室，面向所述簇射极板的所述第二面，并且供被处理基板配置；和支撑轴，与所述簇射极板的所述第一面连接并支撑所述簇射极板。在所述簇射极板上形成有多个气体流路，该多个气体流路从所述电极凸缘与所述第一面之间的空间连通到所述处理室，并且具有规定的电导率，在所述支撑轴与所述簇射极板连接的部分，以所述电导率在所述簇射极板的面内方向上不发生变化的方式设置有沿所述支撑轴的轴向延伸的轴气体流路。

公开(公告)号：CN110073484B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201880004839.9

申请日：2018-08-06

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山本良明 ,  神保洋介 ,  宮谷武尚 ,  江藤谦次 ,  阿部洋一

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明的升降销为与具有处理面及非处理面的基板接触的升降销，具备：中央部件，具备具有第一表面粗糙度及电绝缘部的第一面和作为导电性部件的主体，所述中央部件与所述基板的所述非处理面相对；和周围部件，具备具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度及电绝缘部的第二面，所述周围部件包围所述中央部件的周围且与所述基板的所述非处理面相对。

公开(公告)号：CN110073484A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201880004839.9

申请日：2018-08-06

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山本良明 ,  神保洋介 ,  宮谷武尚 ,  江藤谦次 ,  阿部洋一

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明的升降销为与具有处理面及非处理面的基板接触的升降销，具备：中央部件，具备具有第一表面粗糙度及电绝缘部的第一面和作为导电性部件的主体，所述中央部件与所述基板的所述非处理面相对；和周围部件，具备具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度及电绝缘部的第二面，所述周围部件包围所述中央部件的周围且与所述基板的所述非处理面相对。