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公开(公告)号:CN107925395B
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN201680051018.1
申请日:2016-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 在谐振子中,通过减少锚定损耗而提高Q值。谐振子具备:压电振动部、设置于压电振动部的周围的至少局部的保持部、位于压电振动部与保持部之间的第一节点生成部、连接第一节点生成部与压电振动部的和第一节点生成部对置的区域的第一连接臂、以及连接第一节点生成部与保持部的和第一节点生成部对置的区域的第一保持臂,第一节点生成部相对于沿着第一连接臂连接第一节点生成部与压电振动部的第一方向以及与第一方向正交的第二方向、且通过第一节点生成部的中心的两条线的每一个呈大致对称的形状。
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公开(公告)号:CN109155615A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201780028887.7
申请日:2017-03-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 抑制谐振子上的绝缘体层或者绝缘体层上的导电层带电的电荷给谐振频率带来的影响。具备:第一电极以及第二电极;压电膜,被设置在第一电极与第二电极之间,并具有与第一电极对置的上表面,当电压施加于第一电极和第二电极之间时以规定的振动模式振动;保护膜,由绝缘体构成,并隔着第一电极与压电膜的上表面对置地设置;以及导电膜,由导电体构成,并隔着保护膜与压电膜的上述上表面对置地设置,导电膜与第一电极以及第二电极中的任意一方电连接。
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公开(公告)号:CN109075767A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201780026986.1
申请日:2017-01-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 西村俊雄
Abstract: 在谐振子中,能够降低2次以上的TCF。具备振动部、设置为包围振动部的至少一部分的保持部、以及连接振动部和保持部的保持臂,上述振动部具有硅基板、形成为具有与硅基板的表面对置的面的一个以上的电极、以及形成在硅基板和电极之间,根据对电极施加的电压,在沿着硅基板的表面的平面内轮廓振动的压电体,振动部包含至少一个大致矩形形状的振动区域,该振动区域具有与压电体的轮廓振动的节平行的长边、以及与压电体的轮廓振动的节正交并且相当于轮廓振动的半波长的短边,在设硅基板的与表面正交的方向的厚度(T)、振动区域的短边的宽度(W)、硅基板的电阻率(y)时,(T)、(W)、(y)设定在如下的范围:W/T≥4,并且,y=-0.85×(1/T)+0.57±0.05。
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公开(公告)号:CN105210295B
公开(公告)日:2017-10-03
申请号:CN201480026898.8
申请日:2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21 , H01L41/0478
Abstract: 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上,在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3~5),音叉臂(3~5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12),在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造,在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时,厚度比T2/(T1+T2)成为(‑0.0002x2‑0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。
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公开(公告)号:CN105556840A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201480051082.0
申请日:2014-09-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/171 , H03H3/0072 , H03H3/02 , H03H9/02448 , H03H9/2484 , H03H9/2489 , H03H2003/027 , H03H2009/02503 , H03H2009/02511 , H03H2009/241
Abstract: 本发明提供振动装置及其制造方法,能够抑制由于温度变化而产生的共振频率的偏差。振动装置(1)具备:支承部(2);与上述支承部(2)连接,且具有作为简并半导体的n型Si层(11)的振动臂(3a、3b、3c);以及被设置为使上述振动臂(3a、3b、3c)激振的电极(16、17),以与上述n型Si层(11)的下表面接触的方式设置含有杂质的硅氧化膜(12、13)。
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公开(公告)号:CN105210295A
公开(公告)日:2015-12-30
申请号:CN201480026898.8
申请日:2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21 , H01L41/0478
Abstract: 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上,在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3~5),音叉臂(3~5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12),在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造,在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时,厚度比T2/(T1+T2)成为(-0.0002x2-0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。
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公开(公告)号:CN102668147A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201080053282.1
申请日:2010-11-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/083 , H01L41/187 , H02N2/00
CPC classification number: H01L41/083 , G02B7/06 , G02B7/08 , H02N2/002 , H02N2/025
Abstract: 本发明公开一种小型的机电转换元件以及具备该机电转换元件的执行机构。机电转换元件(20)具备伸缩构件(22)和驱动构件(23)。伸缩构件(22)通过施加电压而伸缩。伸缩构件(22)具有与伸缩方向平行的侧面。驱动构件(23)设置在伸缩构件(22)的侧面。驱动构件(23)伴随伸缩构件(22)的伸缩而位移。
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公开(公告)号:CN100553001C
公开(公告)日:2009-10-21
申请号:CN200680001285.4
申请日:2006-10-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 西村俊雄
IPC: H01L41/083 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/083 , H01L41/0533
Abstract: 提供一种不仅能防止内部电极间的电荷迁移而且在重复施加温度变化时也难以产生极化度减小造成的劣化的、使用叠层型压电体的压电元件。其中,压电元件(1)在以压电层为中介叠积连接第1电位的第1内部电极(3b、3d)和连接与第1电位不同的第2电位的第2内部电极(3a、3c、3e)的叠层型压电体(2)的第1、第2侧面(2c、2d),分别形成第1、第2外部电极(4、5),并设置散布状含有导电粒子以不仅能防止相邻内部电极间的电荷迁移而且还抑制热电效应引起的极化度减小的防迁移用外装材料(6、7),使其覆盖第3、第4侧面(2e、2f)。
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公开(公告)号:CN1461105A
公开(公告)日:2003-12-10
申请号:CN03136896.4
申请日:2003-05-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/54
CPC classification number: H03H9/581 , H03H9/1014 , H03H9/178 , H03H9/562
Abstract: 本发明披露了一种低价制造的、提供了宽的带宽、并且导致大的衰减的纵向耦合多模压电体波滤波装置。滤波装置包括安装在外壳基片上的第一和第二压电体波滤波器。用适当的方式布置第一和第二压电体波滤波器,从而使第一和第二压电体波滤波器的接地电极彼此之间比第一和第二压电体波滤波器的输入电极彼此之间以及第一和第二压电体波滤波器的输出电极彼此之间更为靠近。当把输入信号施加到输入电极和接地电极之间时,根据压电纵向效应,激励并耦合不同次的谐波。在输出电极与接地电极之间提供一个滤波输出。
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公开(公告)号:CN1121724C
公开(公告)日:2003-09-17
申请号:CN98120759.6
申请日:1998-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/083 , H03H9/205 , H03H9/46
CPC classification number: H03H9/1014 , H03H9/178 , H03H9/605
Abstract: 一种以纵向振动模式振动的压电谐振器包括设置在基件的侧面上,以便覆盖第一组内部电极露出的部分的至少一部分的第一绝缘薄膜;和设置在基件的侧面上,以便覆盖第二组内部电极露出的部分的至少一部分的第二绝缘薄膜。第一薄膜外部电极在第一绝缘薄膜上沿基件的纵向连续地延伸;第二薄膜外部电极在第二绝缘薄膜上沿基件的纵向连续地延伸。第一导电树脂薄膜和第二导电树脂薄膜分别设置在第一薄膜外部电极和第二薄膜外部电极上,从而即使薄膜外部电极断裂或损坏,压电谐振器仍然可以工作。
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