压电谐振器的制造方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1163980C

    公开(公告)日:2004-08-25

    申请号:CN98120894.0

    申请日:1998-09-29

    CPC classification number: H03H3/02 Y10T29/42

    Abstract: 本发明涉及一种谐振元件的制造方法,包括以下步骤:制备层叠体;在形成有绝缘薄膜的大致整个表面上形成外部电极;在形成所述外部电极的表面上形成多个凹槽,并平行于所述凹槽地切割层叠体;其中所述第一列中第一组所述开口设置在每一个所述内部电极的交替的暴露部分,而相邻于所述第一列的所述第二列的第二组剩余开口设置在所述内部电极的每一个剩余交替的暴露部分本方法可以高成品率制造谐振元件。

    压电谐振器的制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1224248A

    公开(公告)日:1999-07-28

    申请号:CN98120894.0

    申请日:1998-09-29

    CPC classification number: H03H3/02 Y10T29/42

    Abstract: 本发明涉及一种谐振元件的制造方法,包括以下步骤:制备层叠体;在形成有绝缘薄膜的大致整个表面上形成外部电极;在形成所述外部电极的表面上形成多个凹槽,并平行于所述凹槽地切割层叠体;其中所述第一列中第一组所述开口设置在每一个所述内部电极的交替的暴露部分,而相邻于所述第一列的所述第二列的第二组剩余开口设置在所述内部电极的每一个剩余交替的暴露部分。本方法可以高成品率制造谐振元件。

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