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公开(公告)号：CN118901115A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380026370.X
申请日：2023-03-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 电子部件(1)具备：密封体(10)，包含具有在厚度方向上相对的第一主面(11a)以及第二主面(11b)和将第一主面(11a)以及第二主面(11b)连接的侧面(11c)的第一板(11)、与第一板(11)分离地配置为在厚度方向上与第一板(11)的第一主面(11a)对置的盖部(12)、以及与第一板(11)以及盖部(12)一起气密地密封内部空间的密封金属层(13)；功能部(20)，在密封体(10)的内部空间设置为与第一板(11)分离，并在一对电极被施加电位；填充树脂部(30)，填充在密封体(10)与功能部(20)之间；以及通孔导体(40)，设置于在厚度方向上贯通第一板(11)的第一贯通孔(51)的内部、和在厚度方向上贯通填充树脂部(30)并与第一贯通孔(51)连通的第二贯通孔(52)的内部，并与功能部(20)的一对电极电连接。盖部(12)在与同一膜厚的填充树脂部(30)进行比较时水蒸气透过度在十分之一以下，或者，盖部(12)由玻璃或者金属构成。第一板(11)为玻璃板。密封金属层(13)设置为与第一板(11)直接连接。
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公开(公告)号：CN110945643B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201880048977.7
申请日：2018-07-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/00 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L27/04
Abstract: 电容器(100)具备：基体材料(110)，具有相互对置的第一主面(110A)和第二主面(110B)，并在第一主面(110A)侧形成有沟槽部(111)；介电膜(130)，在基体材料(110的第一主面(110A)侧设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域；导电体膜(140)，具有第一导电体层(141)和第二导电体层(142)，其中，上述第一导电体层(141)设置于包含沟槽部(111)的内侧的区域且是介电膜电体层(141)上；以及应力缓和部(160)，与第一导电体层(141)的端部的至少一部分接触来设置，在基体材料(110)的第一主面(110A)中的沟槽部(111)的外侧，应力缓和部(160)的厚度(T6)比导电体膜(140)的厚度(T4)小。(130)上，上述第二导电体层(142)设置在第一导
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公开(公告)号：CN111263978B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880069469.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)以及第二主面(110B)；第一电极(131)，设置在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第一电阻控制层((140)，设置在第一电极(131)之上；布线部(150)，设置在第一电阻控制层(140)之上；以及第二电极(132)，设置在半导体基板(110)的第二主面(110B)侧。第一电阻控制层(140)具备：将第一电极(131)与布线部(150)电连接的第一区域(141)；与第一区域(141)并排且电阻率比第一区域(141)高的第二区域(142)。
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公开(公告)号：CN111989850B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201980026023.0
申请日：2019-04-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H02M1/34
Abstract: CR缓冲元件(100)具备第一电阻部(110)、第一电容部(120)、第二电阻部(130)以及第二电容部(140)。第一电容部(120)与第一电阻部(110)串联地连接。第二电阻部(130)与第一电阻部(110)和第一电容部(120)串联地连接。第二电容部(140)与第二电阻部(130)并联地连接。CR缓冲元件(100)构成为在第一电容部(120)短路时，第二电阻部(130)断开。
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公开(公告)号：CN106575555A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580043777.9
申请日：2015-08-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 芦峰智行
IPC: H01C7/00 , C23C14/20 , H01G7/06 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/04
CPC classification number: H01G7/06 , C23C14/16 , C23C14/20 , C23C14/24 , C23C14/5806 , H01C7/00 , H01C7/06 , H01C17/06526 , H01C17/0656 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L23/49822 , H01L23/522 , H01L23/5228 , H01L27/016 , H01L27/04 , H01L28/24 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供具备具有所希望的电阻值的薄膜电阻元件的电子部件。电阻薄膜(10)的与连接电极(11、12)连接的连接界面侧的Ni的浓度比该界面的相反侧的该浓度高，因此，能够使电阻薄膜(10)的与连接电极(11、12)连接的连接界面侧以及连接电极(11、12)各自的逸出功接近。因此，能够防止在电阻薄膜(10)以及连接电极(11、12)的连接界面因逸出功的差异而产生的接触电阻增大。因而，能够提供具备具有电阻薄膜(10)的设计上的所希望的电阻值的薄膜电阻元件(R1)的电子部件(100)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119999346A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380070443.5
申请日：2023-06-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供的电容器内置片材(1)具有：导体层(200)和设置在导体层(200)上的多孔质层(100)，多孔质层(100)具备：电容器部(120)，具备设置于多孔质层(100)的多孔质结构(101)的金属层(121)－电介质层(122)－金属层(123)的结构；通孔部(110)，在多孔质层(100)的多孔质结构(101)中填充有导体(111)；以及多孔质绝缘部(130)，设置在通孔部(110)的周围，在多孔质结构(101)中未填充导体，导体层(200)具备：金属导体(230)；第一导通孔部(210)，贯通通孔部(100)正下方的金属导体(230)，与通孔部(110)连接；以及第一绝缘部(220)，设置在第一导通孔部(210)的周围，使第一导通孔部(210)与金属导体(230)绝缘。
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公开(公告)号：CN110574154B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201880027665.8
申请日：2018-04-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/33 , H01L27/04
Abstract: 电容器(100)具备：具有主面(110A)的基材(110)、设置在基材(110)的主面(110A)侧的介电膜(130)、以及设置在介电膜(130)上的电极层(140)，基材(110)具有凹状构造部(112)，在从基材(110)的主面(110A)的法线方向俯视时，该凹状构造部由形成在比与电极层(140)重叠的区域更靠外侧的区域的至少一个凹部构成，介电膜(130)设置在凹状构造部(112)上。
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公开(公告)号：CN110326073B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201880013711.9
申请日：2018-03-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/30 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 电容器(100)具备第一电容器层(101)以及第二电容器层(103)，该第一电容器层(101)具有：设置具有沟槽部的第一沟槽结构(125)的第一基板(110)、第一电极(115)、以及设置在包括第一沟槽结构(125)的沟槽部(126)的区域的第二电极(119)，该第二电容器层(103)具有：第二基板(130)、第三电极(139)、以及第四电极(135)，第一电容器层(101)与第二电容器层(103)被配置为第二电极(119)与第三电极(139)相互相对且电连接。
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公开(公告)号：CN110574154A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027665.8
申请日：2018-04-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/33 , H01L27/04
Abstract: 电容器(100)具备：具有主面(110A)的基材(110)、设置在基材(110)的主面(110A)侧的介电膜(130)、以及设置在介电膜(130)上的电极层(140)，基材(110)具有凹状构造部(112)，在从基材(110)的主面(110A)的法线方向俯视时，该凹状构造部由形成在比与电极层(140)重叠的区域更靠外侧的区域的至少一个凹部构成，介电膜(130)设置在凹状构造部(112)上。
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